本发明属于废气处理技术领域，尤其涉及半导体行业硅料、硅芯、硅片酸洗环节产生的废气处理处理装置。
背景技术：
原生多晶硅是硅材料行业的基础材料，原生多晶硅、单晶拉制切断硅棒头尾、原生多晶料在运输、储存、使用过程中表面污染；因而在使用这些料之前必须对表面清洗，主要祛除有机物、氧化层、金属沾污，确保表面质量。
传统的硅料清洗方法是hf+hno3强酸或者naoh等强酸强碱的化学试剂清洗。使用强酸或者强碱腐蚀硅料表面会产生氮氧化物等气体。对操作人员危害大，产生的废气、废液不好处理，对环境造成严重污染。另外强酸、强碱腐蚀造成硅料的损耗大且成本高。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有硅料清洗试剂腐蚀性强，清洗过程产生的废气废水危害大处理成本高的问题，提供一种腐蚀性低、污染小的硅料清洗剂。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是配置两种弱酸性清洗试剂，利用这两种弱酸试剂对硅料表面依次进行清洗，将硅料表面的有机物、金属沾污、氧化物清洗干净。
本发明硅料清洗剂,包括了清洗剂sx1和清洗剂sx2两部分；所述清洗剂sx1由柠檬酸、乙酸、甜菜碱和高纯水配置组成，质量比为柠檬酸0.5-1份、乙酸0.2-0.5份、甜菜碱0.5-1.0份、余量为高纯水；所述清洗剂sx2由氢氟酸配置去离子水制成，质量比为氢氟酸5份、余量为去离子水。
所述清洗剂sx1中的柠檬酸分子式为c6h10o8、乙酸分子式为ch3cooh、甜菜碱分子式为12h25-n(ch3)2ch2coo。
所述清洗剂sx2中的氢氟酸分子式为4hf。
本发明的有益效果在于：所使用的酸均为弱酸，不会对操作人员产生危害，安全性高；在对硅料的清洗过程中不会产生氮氧化物，对硅料表面伤害小，对环境不会产生污染，清洗后的废液酸性弱，容易处理。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案结合实施例进行详细的描述。
实施例1
一种硅料的清洗工艺及过程：
1)按照以下配方(质量比)配置清洗剂sx1：柠檬酸(c6h10o8)0.5-1份、乙酸(ch3cooh)0.2-0.5份、甜菜碱(12h25-n(ch3)2ch2coo)0.5-1.0份、余量为高纯水；
2)按照以下配方(质量比)配置清洗剂sx2：氢氟酸5份、余量为去离子水；
3)将硅料放入步骤1)的清洗剂sx1中持续清洗五分钟；
4)将步骤3)清洗好的硅料放入清洗剂sx2中浸泡十分钟；
5)将步骤4)浸泡好的硅料利用去离子水反复冲洗，直到冲洗至中性；
6)将步骤5)冲洗好的硅料利用超声波清洗十五分钟；
7)将步骤6)清洗好的硅料烘干冷却。
实施例2
本发明硅料清洗剂的在实施例1中的作用原理。
清洗剂sx1：
1.清洗剂sx1中的柠檬酸(c6h10o8)和无机酸相比较而言，柠檬酸的酸性相对比较弱，柠檬酸清洗的安全可靠性比较强，对人体不会造成危害，废液也比较容易处理；柠檬酸自身的螯合能力也比较强，主要及时柠檬酸盐对锰离子以及铁离子等有着比较强的螯合能力，使用效果也比较突出；柠檬酸的使用对环境不会造成影响，在微生物以及热等作用下比较容易降解。
2.清洗剂sx1中的乙酸(ch3cooh)为弱酸，对硅料不会产生腐蚀，但是对许多金属有腐蚀效果，例如铁、镁和锌，能够反应生成氢气和金属乙酸盐。
3.清洗剂sx1中的甜菜碱(12h25-n(ch3)2ch2coo)在酸性及碱性条件下均具有优良的稳定性，是一种表面活性剂，能祛除表面有机沾污。
清洗剂sx2：
4.清洗剂sx2中的氢氟酸具有能够与二氧化硅反应的特性，对于祛除硅料表面的氧化有很好的作用，氢氟酸属于弱酸，使用比较安全。
1.一种硅料清洗剂,其特征在于：包括了清洗剂sx1和清洗剂sx2两部分；所述清洗剂sx1由柠檬酸、乙酸、甜菜碱和高纯水配置组成，质量比为柠檬酸0.5-1份、乙酸0.2-0.5份、甜菜碱0.5-1.0份、余量为高纯水；所述清洗剂sx2由氢氟酸配置去离子水制成，质量比为：氢氟酸5份、余量为去离子水。
2.如权利要求1所述的硅料清洗剂,其特征在于：所述清洗剂sx1中的柠檬酸分子式为c6h10o8、乙酸分子式为ch3cooh、甜菜碱分子式为12h25-n(ch3)2ch2coo。
3.如权利要求1所述的硅料清洗剂,其特征在于：所述清洗剂sx2中的氢氟酸分子式为4hf。