布线电路基板、以及布线电路基板的制造方法与流程

1.本发明涉及布线电路基板、以及布线电路基板的制造方法。


背景技术：

2.以往，已知安装图像传感器等电子部件的布线电路基板。
3.例如，提出了一种图像传感器安装基板，其依次具备：具有图像传感器开口部的基础绝缘层、具有图像传感器连接端子的导体图案、以及覆盖绝缘层，图像传感器连接端子从图像传感器开口部露出，以与基础绝缘层的处于覆盖绝缘层相反侧的表面平齐的方式配置(例如参见专利文献1。)。
4.这种图像传感器安装基板中，在基础绝缘层的处于覆盖绝缘层相反侧的表面，图像传感器的端子与图像传感器连接端子通过焊料凸块连接，安装图像传感器。
5.另外，为了制造这种图像传感器安装基板，首先，将感光性的绝缘材料的清漆涂布在金属支撑体上并使其干燥而形成基础皮膜，曝光并显影成规定的图案，根据需要进行加热固化而形成基础绝缘层。
6.作为这种基础绝缘层的材料，例如提出了含有聚酰亚胺前体、作为显影促进剂的酰亚胺丙烯酸酯化合物、以及吡啶系感光剂的聚酰亚胺前体组合物(例如参见专利文献2。)。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2018-190787号公报
10.专利文献2：日本特开2013-100441号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.然而，对于专利文献1所记载那样的图像传感器安装基板，从图像传感器的端子与图像传感器连接端子的连接强度提高的观点来看，有时会在安装面与图像传感器之间设置底部填充层。
13.但是，由专利文献2记载的聚酰亚胺前体组合物形成基础绝缘层时，在湿热条件下，底部填充层对基础绝缘层的密合性降低，有底部填充层自基础绝缘层剥离的担心。
14.另外，为了进行更换、再利用，安装于图像传感器安装基板的图像传感器有时会被取下并进行再加工，该情况下，期望将底部填充层自基础绝缘层剥离。此时，若基础绝缘层与底部填充层的密合性过高，则难以将底部填充层自基础绝缘层剥离，进而有无法确保图像传感器的再加工性的不良情况。
15.本发明提供能够抑制湿热条件下的第2绝缘层对第1绝缘层的密合性降低、并且能够确保电子部件的再加工性的布线电路基板、以及制造效率良好的布线电路基板的制造方法。
16.用于解决问题的方案
17.本发明[1]包括一种布线电路基板，其具备：含有聚酰亚胺、显影促进剂和感光剂的第1绝缘层；以及配置在前述第1绝缘层的厚度方向的一面的端子，前述第1绝缘层中的前述显影促进剂的含有比率与前述感光剂的含有比率的总和为5ppm以上且50ppm以下。
[0018]
根据这种构成，由于第1绝缘层中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为上述下限以上，因此在将电子部件安装于第1绝缘层的厚度方向的一面并在第1绝缘层与电子部件之间设置第2绝缘层的状态下，即使将布线电路基板放置在湿热条件下，也能够抑制第2绝缘层对第1绝缘层的密合性降低。
[0019]
另外，将安装于布线电路基板的电子部件自布线电路基板取下并进行再加工时，由于第1绝缘层中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为上述上限以下，因此能够调整第2绝缘层对第1绝缘层的密合性以使第2绝缘层能够自第1绝缘层剥离，能够确保电子部件的再加工性。
[0020]
本发明[2]包括上述[1]所述的布线电路基板，其中，前述显影促进剂包含酰亚胺丙烯酸酯化合物和/或聚乙二醇化合物。
[0021]
根据这种构成，由于显影促进剂包含酰亚胺丙烯酸酯化合物和/或聚乙二醇化合物，因此能够一边将第1绝缘层中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和调整到上述范围，一边确保含有聚酰亚胺前体、显影促进剂和感光剂的清漆的感光性。
[0022]
本发明[3]包括一种布线电路基板的制造方法，其包括：准备金属支撑层的工序；在前述金属支撑层上形成含有聚酰亚胺、感光剂和显影促进剂的第1绝缘层的工序；以及在前述第1绝缘层的前述厚度方向的一面形成端子的工序，形成前述第1绝缘层的工序包括：在前述金属支撑层上涂布含有聚酰亚胺前体、感光剂和显影促进剂的清漆的工序；对前述清漆进行曝光和显影的工序；以及将显影后的前述清漆在300℃以上且400℃以下进行100分钟以上的加热的工序。
[0023]
根据这种方法，由于将显影后的清漆在300℃以上且400℃以下进行100分钟以上的加热，因此能够将第1绝缘层中的感光剂的含有比率与显影促进剂的含有比率的总和调整到5ppm以上且50ppm以下。其结果，在为简易的方的同时，能够高效地制造上述布线电路基板。
[0024]
发明的效果
[0025]
根据本发明的布线电路基板，能够抑制湿热条件下的第2绝缘层对第1绝缘层的密合性降低，并且能够确保电子部件的再加工性。
[0026]
根据本发明的布线电路基板的制造方法，能够高效地制造上述布线电路基板。
附图说明
[0027]
图1示出作为本发明的布线电路基板的一个实施方式的图像传感器安装基板的俯视图。
[0028]
图2示出图1所示的图像传感器安装基板的a-a截面图。
[0029]
图3的a～图3的d示出图2所示的图像传感器安装基板的制造工序图，图3的a示出金属支撑体准备工序和基础绝缘层形成工序，图3的b示出导体图案形成工序，图3的c示出覆盖绝缘层形成工序，图3的d示出金属支撑体去除工序。
[0030]
图4的e和图4的f接在图3的d后示出将图像传感器安装于图像传感器安装基板的工序图，图4的e示出元件连接工序，图4的f示出底部填充形成工序。
[0031]
图5示出具备图2所示的图像传感器安装基板的成像装置。
具体实施方式
[0032]
1.图像传感器安装基板
[0033]
参照图1和图2对作为本发明的布线电路基板的一个实施方式的图像传感器安装基板1(以下记为安装基板1。)进行说明。
[0034]
如图1所示，安装基板1是用于安装作为电子部件的一例的图像传感器21(后述、参照图4的f)的柔性布线电路基板(fpc)，尚不具备图像传感器21。安装基板1具有俯视大致矩形(长方形状)的平板形状(片形状)。
[0035]
安装基板1具备外壳配置部2和外部部件连接部3。
[0036]
外壳配置部2为配置外壳22(后述、参照图5)、图像传感器21的部分。具体而言，在外壳22配置于安装基板1的情况下，外壳配置部2为在沿安装基板1的厚度方向投影时与外壳22重叠的部分。在外壳配置部2的大致中央配置有多个作为端子的一例的第1端子10(后述)。
[0037]
外部部件连接部3为外壳配置部2以外的区域，为用于与外部部件连接的部分。外部部件连接部3在安装基板1的长度方向上与外壳配置部2连续地配置。在外部部件连接部3中配置有多个第2端子11(后述)。
[0038]
如图2所示，安装基板1在基础绝缘层4的厚度方向上依次具备：作为第1绝缘层的一例的基础绝缘层4、导体图案5和覆盖绝缘层6。需要说明的是，以下将基础绝缘层4的厚度方向简称为厚度方向。图2中，纸面上侧为基础绝缘层4的厚度方向的一侧，纸面下侧为基础绝缘层4的厚度方向的另一侧。
[0039]
如图1所示，基础绝缘层4形成安装基板1的外形，具有俯视大致矩形状。基础绝缘层4未被后述金属支撑体19(参照图3的a～图3的c)支撑，安装基板1不具备金属支撑体19(金属支撑层)。
[0040]
基础绝缘层4具备多个第1开口部7和多个第2开口部8。
[0041]
多个第1开口部7使第1端子10(后述)自厚度方向的一侧露出。多个第1开口部7在外壳配置部2的中央部以形成矩形框状的方式相互隔开间隔地排列配置。第1开口部7在厚度方向上贯穿基础绝缘层4，具有俯视大致圆形状。第1开口部7具有开口截面积随着朝向厚度方向的一侧而减小的锥形状(参照图2)。
[0042]
多个第2开口部8使第2端子11(后述)自厚度方向的一侧露出。多个第2开口部8在外部部件连接部3中，在安装基板1的宽度方向上相互隔开间隔地排列配置。第2开口部8在厚度方向上贯穿基础绝缘层4，具有俯视大致矩形状(长方形状)。
[0043]
另外，如图2所示，基础绝缘层4在厚度方向上具备一面4a和另一面4b。
[0044]
基础绝缘层的一面4a位于厚度方向的一侧。基础绝缘层的一面4a具有平坦(平滑)状，其整体露出。基础绝缘层的另一面4b位于厚度方向的另一侧，在厚度方向上位于一面4a的相反侧。基础绝缘层的另一面4b被覆盖绝缘层6被覆。
[0045]
这样的基础绝缘层4含有聚酰亚胺、显影促进剂和感光剂。
[0046]
聚酰亚胺例如为日本特开2018-190787号公报中记载的聚酰亚胺，包含酸二酐成分与二胺成分的反应产物(固化物)。更详细而言，聚酰亚胺通过使作为酸二酐成分与二胺成分的反应产物的聚酰胺酸进行酰亚胺化而制备。
[0047]
作为酸二酐成分，例如可列举出日本特开2018-190787号公报中记载的芳香族酸二酐(例如3,3’,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐(bpda)等联苯四羧酸二酐等)、以及脂肪族酸二酐等。酸二酐成分可以单独使用或组合使用2种以上。
[0048]
酸二酐成分优选包含芳香族酸二酐，进一步优选包含3,3’,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐(bpda)。另外，酸二酐成分优选由芳香族酸二酐(3,3’,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐)组成。
[0049]
作为二胺成分，例如可列举出日本特开2018-190787号公报中记载的芳香族二胺和脂肪族二胺等。二胺成分可以单独使用或组合使用2种以上。
[0050]
二胺成分优选包含芳香族二胺，进一步优选由芳香族二胺组成。
[0051]
作为芳香族二胺，例如可列举出对苯二胺(ppd)等苯二胺等。
[0052]
另外，芳香族二胺还包括：2个以上的芳香族环通过单键键合，且2个以上的氨基分别直接或作为取代基的一部分而键合在不同的芳香族环上的芳香族二胺。作为这种芳香族二胺，例如用下述通式(1)表示。
[0053][0054]
(通式(1)中，a为0或1以上的自然数，r1表示氢原子或取代基。相对于苯环之间的键合，氨基键合在间位或对位。)
[0055]
上述通式(1)中，作为r1所示的取代基，可列举出例如甲基等碳数3以下的烷基，例如三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基等碳数3以下的卤代烷基(优选为氟烷基)，例如氯、氟等卤素原子等。
[0056]
上述通式(1)中，r1优选表示取代基，可进一步优选列举出卤代烷基、可特别优选列举出氟烷基，可特别优选列举出三氟甲基。
[0057]
作为上述通式(1)所示的芳香族二胺，具体例中可列举出2,2
’‑
二(三氟甲基)-4,4
’‑
二氨基联苯(别称：2,2
’‑
双(三氟甲基)-4,4
’‑
二氨基联苯、tfmb)等。
[0058]
这样的芳香族二胺优选包含苯二胺与上述通式(1)所示的芳香族二胺的组合，进一步优选为包含苯二胺与上述通式(1)中的r1为氟烷基(三氟甲基)的芳香族二胺的组合。
[0059]
这样的二胺成分中，上述通式(1)所示的芳香族二胺的含有比率例如为15mol％以上、优选为20mol％以上，例如为80mol％以下、优选为50mol％以下。
[0060]
另外，酸二酐成分含有3,3’,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐(bpda)且二胺成分含有苯二胺(ppd)和2,2
’‑
二(三氟甲基)-4,4
’‑
二氨基联苯(tfmb)时，聚酰亚胺含有下述通式(2)所示的结构单元a和下述通式(3)所示的结构单元b。
[0061][0062]
这样的聚酰亚胺中，上述通式(1)所示的结构单元a与上述通式(2)所示的结构单元b的mol比(结构单元a/结构单元b)例如为15/85～80/20、优选为20/80～50/50。
[0063]
显影促进剂例如包含酰亚胺丙烯酸酯化合物和/或聚乙二醇化合物。
[0064]
酰亚胺丙烯酸酯化合物例如包含日本特开2013-100441号公报中记载的酰亚胺丙烯酸酯化合物。
[0065]
具体而言，酰亚胺丙烯酸酯化合物用下述通式(4)表示。
[0066][0067]
(通式(4)中，r2表示氢原子或甲基。r3表示碳数2以上的2价烃基。)
[0068]
上述通式(4)中，r2优选表示氢原子。
[0069]
上述通式(4)中，r3优选表示碳数2以上的亚烷基，进一步优选表示亚乙基。
[0070]
作为这样的上述通式(4)所示的酰亚胺丙烯酸酯化合物，具体而言，可列举出n-丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酰亚胺等。
[0071]
聚乙二醇化合物例如包含日本特开2013-100441号公报中记载的聚乙二醇化合物。
[0072]
具体而言，聚乙二醇化合物用下述通式(5)表示。
[0073][0074]
(通式(5)中，r4表示羟基或甲氧基。r5表示氢原子或甲基。b表示4～23的自然数。)
[0075]
上述通式(5)中，作为r4与r5的组合，可列举出羟基(r4)与氢原子(r5)、羟基(r4)与甲基(r5)、甲氧基(r4)与甲基(r5)，可优选列举出羟基(r4)与氢原子(r5)。
[0076]
这样的上述通式(5)所示的聚乙二醇化合物的数均分子量(mn)例如为200以上，例如为1000以下、优选为400以下。需要说明的是，数均分子量可以利用凝胶渗透色谱(gpc)法来测定，可以通过聚氧乙烯换算而算出。
[0077]
这样的显影促进剂优选由上述通式(4)所示的酰亚胺丙烯酸酯化合物组成。
[0078]
感光剂例如包含日本特开2013-100441号公报中记载的吡啶系感光剂。
[0079]
具体而言，吡啶系感光剂用下述通式(6)表示。
[0080][0081]
(通式(6)中，r6～r
10
表示氢原子或碳数1～4的烷基。r6～r
10
彼此可以相同或不同。)
[0082]
上述通式(6)中，r6和r7各自优选表示氢原子或甲基，进一步优选表示氢原子。
[0083]
上述通式(6)中，r8优选表示碳数1～4的烷基，进一步优选表示甲基或乙基，特别优选表示乙基。
[0084]
上述通式(6)中，r9和r
10
各自优选表示碳数1～4的烷基，进一步优选表示甲基或乙基，特别优选表示甲基。
[0085]
作为这样的上述通式(6)所示的吡啶系感光剂，具体而言，可列举出1-乙基-3,5-二甲氧基羰基-4-(2-硝基苯基)-1,4-二氢吡啶等。
[0086]
另外，基础绝缘层4中的感光剂的含有比率与显影促进剂的含有比率的总和(质量比率)为5ppm以上且50ppm以下。需要说明的是，感光剂的含有比率与显影促进剂的含有比率的总和可以利用tof-sims来测定(以下同样)。
[0087]
如果感光剂的含有比率与显影促进剂的含有比率的总和为上述下限以上，则能够调整底部填充层18(后述)对基础绝缘层4的密合性以使得底部填充层18(后述)能够自基础绝缘层4剥离，能够确保图像传感器21的再加工性。另外，如果感光剂的含有比率与显影促进剂的含有比率的总和为上述上限以下，则能够抑制湿热条件下的底部填充层18(后述)对基础绝缘层4的密合性的降低。
[0088]
另外，基础绝缘层4还可以含有公知的添加剂。作为公知的添加剂，例如可列举出敏化剂、阻聚剂、链转移剂、流平剂、增塑剂、表面活性剂、消泡剂等。基础绝缘层4中的公知的添加剂的含有比率例如为15质量％以下、优选为10质量％以下。
[0089]
基础绝缘层4的厚度例如为1μm以上、优选为3μm以上，例如为30μm以下、优选为12μm以下、进一步优选为8μm以下。
[0090]
导体图案5具备多个第1端子10、多个第2端子11(参照图1)和多个布线9。
[0091]
多个第1端子10在外壳配置部2的中央部以形成矩形框状的方式相互隔开间隔地排列配置(参照图1)。多个第1端子10以与所安装的图像传感器21的多个端子25(参照图4的
e)对应的方式设置。另外，多个第1端子10与多个第1开口部7对应地设置。第1端子10具有俯视大致圆形状。第1端子10填充于第1开口部7，从厚度方向一侧观察时自基础绝缘层4露出。厚度方向的第1端子10的一面10a具有平坦(平滑)状。厚度方向的第1端子10的一面10a与基础绝缘层4的一面4a大致平齐。由此，第1端子10配置于基础绝缘层4的一面4a。
[0092]
如图1所示，多个第2端子11在外部部件连接部3中相互隔开间隔地排列配置。多个第2端子11以与外部部件的多个端子(未图示)对应的方式设置。另外，多个第2端子11与多个第2开口部8对应地设置。第2端子11具有俯视大致矩形状(长方形状)。第2端子11填充于第2开口部8，从厚度方向一侧观察时自基础绝缘层4露出。厚度方向的第2端子11的一面与基础绝缘层4的一面4a大致平齐。由此，第2端子11配置于基础绝缘层4的一面4a。
[0093]
如图2所示，多个布线9相对于基础绝缘层4配置在厚度方向的另一侧，具体而言，配置于基础绝缘层4的另一面4b。
[0094]
多个布线9将多个第1端子10与多个第2端子11电连接。具体而言，各布线9的一端自另一面4b沉入第1开口部7，与各第1端子10相连。各布线9的另一端自另一面4b沉入第2开口部8，与各第2端子11相连。
[0095]
作为导体图案5的材料，例如可列举出铜、银、金、镍或包含它们的合金、焊锡等金属材料，可优选列举出铜。
[0096]
导体图案5的厚度例如为1μm以上、优选为2μm以上，例如为15μm以下、优选为10μm以下。
[0097]
覆盖绝缘层6以被覆导体图案5的方式相对于基础绝缘层4配置在厚度方向的另一侧，具体而言，配置于基础绝缘层4的另一面4b。覆盖绝缘层6的外形以与基础绝缘层4的外形相同的方式形成。
[0098]
作为覆盖绝缘层6的材料，例如可列举出绝缘材料。作为绝缘材料，例如可列举出聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、亚克力、聚醚腈、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成树脂等。作为绝缘材料，可优选列举出与基础绝缘层4同样的聚酰亚胺。
[0099]
覆盖绝缘层6的厚度例如为1μm以上、优选为2μm以上，例如为30μm以下、优选为10μm以下、进一步优选为5μm以下。
[0100]
这样的安装基板1的厚度(基础绝缘层4、导体图案5以及覆盖绝缘层6的厚度的总和)例如为3μm以上，例如为50μm以下、优选为30μm以下。
[0101]
2.图像传感器安装基板的制造方法
[0102]
接着，参照图3的a～图3的d，对安装基板1的制造方法进行说明。安装基板1的制造方法例如依次包括金属支撑体准备工序、基础绝缘层形成工序、导体图案形成工序、以及覆盖绝缘层形成工序。
[0103]
如图3的a所示，在金属支撑体准备工序中，准备作为金属支撑层的一例的金属支撑体19。
[0104]
金属支撑体19具有俯视大致矩形(长方形状)的平板形状。金属支撑体19的上表面具有平坦(平滑)状。
[0105]
金属支撑体19的材料例如可列举出不锈钢、42合金、铝等金属材料，可优选列举出不锈钢。
[0106]
金属支撑体19的厚度例如为5μm以上、优选为10μm以上，例如为50μm以下、优选为30μm以下。
[0107]
接着，在基础绝缘层形成工序中，在金属支撑体19的上表面形成含有上述聚酰亚胺、上述显影促进剂和上述感光剂的基础绝缘层4。需要说明的是，图3的a～图3的d所示的基础绝缘层4的厚度方向与图2所示的基础绝缘层4的厚度方向相反，纸面上侧为厚度方向的另一侧，纸面下侧为厚度方向的一侧。即，基础绝缘层4的一面4a与金属支撑体19接触，基础绝缘层4的另一面4b相对于一面4a位于金属支撑体19的相反侧。
[0108]
具体而言，基础绝缘层形成工序包括：将作为基础绝缘层4的材料的清漆涂布在金属支撑体19上的工序、对涂布的清漆进行曝光和显影的工序、以及对显影后的清漆进行加热的工序。
[0109]
清漆含有作为聚酰亚胺前体的一例的聚酰胺酸、上述显影促进剂和上述感光剂。
[0110]
聚酰胺酸为上述酸二酐成分与上述二胺成分的反应产物。例如，使上述酸二酐成分与上述二胺成分在有机溶剂的存在下、以例如15℃以上且40℃以下、0.2小时以上且72小时以下的条件进行反应。由此制备聚酰胺酸。
[0111]
有机溶剂能够溶解上述酸二酐成分与上述二胺成分。作为有机溶剂，例如可列举出n-甲基吡咯烷酮等极性非质子类、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、乙腈等。有机溶剂可以单独使用或组合使用2种以上。
[0112]
有机溶剂之中，可优选列举出极性非质子类，可进一步优选列举出n-甲基吡咯烷酮。需要说明的是，有机溶剂的含有比率可以适当变更。
[0113]
另外，清漆中的显影促进剂的含有比率相对于聚酰胺酸100质量份例如为30质量份以上且100质量份以下。
[0114]
另外，清漆中的感光剂的含有比率相对于聚酰胺酸100质量份例如为10质量份以上且55质量份以下。
[0115]
并且，将清漆涂布于金属支撑体19的上表面整体并使其干燥。由此，有机溶剂挥发，形成基础皮膜。
[0116]
然后，隔着具有与开口部(第1开口部7和第2开口部8)对应的图案的光掩模对基础皮膜进行曝光。然后，对基础皮膜进行显影。
[0117]
接着，将显影后的基础皮膜加热而使其固化。
[0118]
加热温度为300℃以上、优选为330℃以上，为400℃以下、优选为380℃以下。
[0119]
加热时间为100分钟以上、优选为110分钟以上、进一步优选为120分钟以上、例如为500分钟以下、优选为400分钟以下、进一步优选为350分钟以下。
[0120]
加热温度为上述下限以上、且加热时间为上述下限以上时，聚酰胺酸发生酰亚胺化而形成聚酰亚胺，并且上述显影促进剂和感光剂的大部分被去除。因此，能够将基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和调整到上述上限以下。另外，加热温度为上述上限以下时，能够确保基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为上述下限以上。
[0121]
由此，在金属支撑体19上形成含有聚酰亚胺的基础绝缘层4。
[0122]
接着，如图3的b所示，在导体图案形成工序中，在基础绝缘层4的上表面(另一面4b)、以及自第1开口部7和第2开口部8露出的金属支撑体19的上表面，通过例如添加法等，
以上述图案形成导体图案5。
[0123]
由此，一并形成多个第1端子10、多个第2端子11和多个布线9。第1端子10配置在第1开口部7内，与金属支撑体19的上表面接触。第2端子11未图示，配置在第2开口部8内，与金属支撑体19的上表面接触。由此，第1端子10和第2端子11配置于基础绝缘层4的一面4a。另外，布线9配置于基础绝缘层4的另一面4b。
[0124]
接着，如图3的c所示，在覆盖绝缘层形成工序中，以被覆导体图案5的方式在基础绝缘层4的上表面(另一面4b)形成覆盖绝缘层6。覆盖绝缘层形成工序可以与基础绝缘层形成工序同样地实施。
[0125]
接着，如图3的d所示，在金属支撑体去除工序中，去除金属支撑体19。
[0126]
作为金属支撑体19的去除方法，可列举出：例如自基础绝缘层4的下表面(一面4a)将金属支撑体19剥离的方法、例如对金属支撑体19进行蚀刻(例如干式蚀刻、湿式蚀刻等)的方法等。
[0127]
金属支撑体19的去除方法中，可优选列举出蚀刻、可进一步优选列举出湿式蚀刻。
[0128]
对金属支撑体19进行湿式蚀刻时，作为蚀刻液，例如使用氯化铁溶液等。并且，例如相对于金属支撑体19自厚度方向的一侧喷雾蚀刻液，从而去除金属支撑体19。
[0129]
这样，基础绝缘层4的一面4a、第1端子10的一面10a和第2端子11的一面(未图示)露出。
[0130]
根据以上，可制造具备基础绝缘层4、导体图案5和覆盖绝缘层6的安装基板1。
[0131]
3.图像传感器对安装基板的安装方法
[0132]
这样的安装基板1例如安装图像传感器而设置于照相机模块等成像装置。
[0133]
接着，参照图4的e和图4的f，针对图像传感器21对安装基板1的安装方法进行说明。
[0134]
图像传感器21对安装基板1的安装方法包括元件连接工序和底部填充形成工序。
[0135]
如图4的e所示，在元件连接工序中，首先准备图像传感器21。
[0136]
图像传感器21是将光转换成电信号的半导体元件，例如可列举出cmos传感器、ccd传感器等固体图像传感器。图像传感器21形成为俯视大致矩形的平板形状，虽未图示，但具备si基板等硅、配置在其上的发光二极管(光电转换元件)和滤色片。图像传感器21具备多个端子25。多个端子25与多个第1端子10对应。
[0137]
接着，在安装基板1的第1端子10上配置焊料凸块等接合材料26，借助接合材料26将安装基板1的第1端子10与图像传感器21的端子25电连接。
[0138]
由此，图像传感器21被配置在安装基板1的外壳配置部2的中央部，在安装基板1上进行了倒装芯片安装。此时，图像传感器21相对于基础绝缘层4的一面4a隔开间隔地位于厚度方向的一侧。
[0139]
接着，如图4的f所示，在底部填充形成工序中，在图像传感器21与基础绝缘层4之间形成作为第2绝缘层的一例的底部填充层18。
[0140]
具体而言，在图像传感器21与基础绝缘层4的一面4a之间注入液态的树脂组合物后，使其加热固化。
[0141]
作为底部填充层18的材料，例如可列举出环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、聚酯树脂等树脂材料，可优选列举出环氧树脂。底部填充层18的材料可以单独使用或组合使用2种
以上。
[0142]
加热温度可根据底部填充层18的材料而适当变更，例如为100℃以上、优选为120℃以上，例如为150℃以下、优选为130℃以下。
[0143]
加热时间可根据底部填充层18的材料而适当变更，例如为10分钟以上、优选为30分钟以上，例如为120分钟以下、优选为60分钟以下。
[0144]
由此，在图像传感器21与基础绝缘层4的一面4a之间形成底部填充层18。换言之，底部填充层18配置于基础绝缘层4的一面4a。即，安装有图像传感器21的安装基板1具备底部填充层18。
[0145]
根据以上，图像传感器21对安装基板1的安装结束。需要说明的是，安装基板1、图像传感器21和底部填充层18构成成像单元27。
[0146]
另外，安装基板1并非后述的成像装置，而是成像装置的一个部件，即、用于制作成像装置的部件，是产业上可利用的器件。安装基板1可以以不含图像传感器的部件的形式单独流通，也可以作为安装有图像传感器的成像单元而流通。
[0147]
4.成像装置
[0148]
接着，参照图5，对具备成像单元27的成像装置20进行说明。
[0149]
成像装置20具备成像单元27、外壳22、光学透镜23和滤波器24。
[0150]
成像单元27具备安装基板1、图像传感器21和底部填充层18。
[0151]
外壳22以与图像传感器21隔开间隔并将其包围的方式配置于安装基板1的外壳配置部2。外壳22具有俯视大致矩形状的筒状。
[0152]
光学透镜23在厚度方向上隔开间隔地配置于图像传感器21相对于安装基板1的相反侧。光学透镜23形成为俯视大致圆形状，以使来自外部的光到达图像传感器21的方式固定于外壳22。
[0153]
滤波器24在厚度方向上配置在图像传感器21与光学透镜23之间且与它们隔开间隔，其固定于外壳22。
[0154]
本发明人等得到了如下见解：如图4的f所示，将成像装置20(成像单元27)放置在湿热条件下(例如100℃以上、相对湿度80％以上)时，底部填充层18对基础绝缘层4的密合性会降低。
[0155]
因此，本发明人等基于该见解而进行了各种研究，发现湿热条件下的底部填充层18的密合性的降低依赖于基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和，从而完成了本发明。
[0156]
如图4的f所示，在安装基板1中，基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为上述下限以上。因此，即使在将成像装置20(成像单元27)放置在湿热条件下的情况下，也能够抑制底部填充层18对基础绝缘层4的密合性降低。
[0157]
另外，基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为上述上限以下。因此，将安装于安装基板1的图像传感器21自安装基板1取下并进行再加工时，能够将底部填充层18自基础绝缘层4剥离。其结果，能够确保图像传感器21的再加工性。
[0158]
另外，显影促进剂包含酰亚胺丙烯酸酯化合物和/或聚乙二醇化合物。因此，能够将基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和调整到上述范围内，并且能够确保含有聚酰亚胺前体、显影促进剂和感光剂的清漆的感光性。
[0159]
另外，在安装基板1的制造方法中，如图3的a～图3的d所示，在金属支撑体19上涂布含有聚酰亚胺前体、显影促进剂和感光剂的清漆后，对清漆(基础被膜)进行曝光和显影，接着，将清漆(基础被膜)以上述加热温度和上述加热时间进行加热，从而形成基础绝缘层4。
[0160]
因此，能够将基础绝缘层4中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和调整到上述范围。其结果，不仅为简易的方法，而且能够高效地制造上述安装基板1。
[0161]
《变形例》
[0162]
在上述实施方式中，作为本发明的布线电路基板，对用于安装图像传感器21的图像传感器安装基板1(安装基板1)进行了说明，但布线电路基板的用途不限定于此。例如可适宜地用于在智能手机、个人电脑、游戏机等中使用的fpc等。
[0163]
另外，在安装基板1中，在厚度方向上彼此相邻的层为没有粘接剂地粘接的无粘接剂的fpc，但不限定于此。也可以在厚度方向上彼此相邻的层之间设置粘接剂层。另一方面，从薄型化的观点来看，如上述实施方式那样，安装基板1优选为无粘接剂的fpc。
[0164]
另外，安装基板1如图2所示地具备基础绝缘层4、导体图案5以及覆盖绝缘层6，但安装基板1的构成并不限定于此。例如，安装基板1可以进一步具备配置在覆盖绝缘层6的厚度方向的一侧、用于阻断来自外部的電磁波的屏蔽层和被覆屏蔽层的第2覆盖绝缘层。
[0165]
另外，在成像装置20中，如图5所示，图像传感器21在安装基板1上进行了倒装芯片安装，但也可以通过引线接合安装于安装基板1。
[0166]
这样的变形例也发挥与上述实施方式同样的作用效果。另外，可以将上述实施方式与变形例适当组合。
[0167]
实施例
[0168]
以下示出参考实施例和参考比较例来对本发明进行进一步的具体说明。需要说明的是，本发明不限定于参考实施例和参考比较例。另外，以下记载中使用的配混比率(含有比率)、物性值、参数等具体数值可以替换为上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比率(含有比率)、物性值、参数等相关记载的上限(以“以下”、“小于”的方式定义的数值)或下限(以“以上”、“超过”的方式定义的数值)。
[0169]
制造例1
[0170]
将2,2
’‑
双(三氟甲基)-4,4
’‑
二氨基联苯(tfmb、具有卤代烷基作为取代基的芳香族二胺)4.0g(20mmol)和对苯二胺(ppd、芳香族二胺)8.65g(80mmol)投入500ml的可拆式烧瓶中，使其溶解于200g的经脱水的n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)，在氮气气流下一边通过油浴用热电偶监控并加热使得液温为50℃一边进行搅拌。确认它们完全溶解后，在可拆式烧瓶中用30分钟向其中配混3,3’,4,4
’‑
联苯四羧酸二酐(bpda、芳香族酸二酐)29.4g(100mmol)后，在50℃下搅拌5小时。然后冷却至室温，得到聚酰亚胺前体溶液。
[0171]
接着，在聚酰亚胺前体溶液中，相对于聚酰亚胺前体溶液的固体成分(聚酰胺酸)100质量份，添加n-丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酰亚胺(显影促进剂)74质量份和1-乙基-3,5-二甲氧基羰基-4-(2-硝基苯基)-1,4-二氢吡啶(感光剂)14质量份，制备清漆。
[0172]
参考实施例1、2以及参考比较例1
[0173]
准备以不锈钢为材料的金属支撑体，将制造例1中制备的清漆涂布在金属支撑体的上表面，接着在80℃下使其干燥10分钟，形成基础皮膜(聚酰亚胺前体皮膜)。
[0174]
接着，对基础皮膜进行曝光和显影后，在氮气气氛下，以表1所示的加热温度和加热时间使其固化。由此，形成含有聚酰亚胺的基础绝缘层。
[0175]
接着，对金属支撑体喷雾氯化铁水溶液(蚀刻液)，将金属支撑体去除。由此使基础绝缘层的一面露出。
[0176]
根据以上，得到基础绝缘层。
[0177]
测定各基础绝缘层中显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和。其结果示于表1。
[0178]
另外，通过ft-ir确认所有的基础绝缘层的固化结束。
[0179]
参考比较例2
[0180]
准备kapton 100h(du pont公司制)作为基础绝缘层。kapton 100h中不含显影促进剂和感光剂。
[0181]
《底部填充层的初始密合力》
[0182]
在各参考实施例和各参考比较例的基础绝缘层的一面形成底部填充层，测定底部填充层对基础绝缘层的初始密合力。
[0183]
具体而言，在pct试验后的基础绝缘层的一面涂布液态的环氧树脂组合物，接着在125℃下使其干燥10分钟，形成底部填充层。底部填充层的厚度为约40μm。
[0184]
接着，在底部填充层的与基础绝缘层相反侧的面上粘贴双面胶带(no.5000ns、日东电工株式会社制)，准备层叠体。层叠体在厚度方向上依次具备基础绝缘层、底部填充层和双面胶带。
[0185]
接着，将层叠体切成5mm宽的平带状，利用双面胶带将层叠体固定于具备下述装置的试样台。试样台具有可旋转地被支撑的圆柱形状，试样台的外径为20cm。另外，层叠体粘接在试样台的周面上。
[0186]
接着，在下述条件下将基础绝缘层自底部填充层剥离。其结果示于表1。
[0187]
装置；svz-50nb(imada公司制)
[0188]
拉伸角度；90
°
(即，拉伸方向为试样台的径向)
[0189]
拉伸速度；10mm/分钟
[0190]
《底部填充层的湿热后的密合力降低率》
[0191]
在密合力的测定之前，对各参考实施例和各参考比较例的基础绝缘层实施压力锅试验(pct试验)。具体而言，将各基础绝缘层在120℃、相对湿度100％、压力1.9atm的条件下放置100小时。
[0192]
然后，与上述同样地在pct试验后的基础绝缘层的一面形成底部填充层，测定pct试验后的底部填充层对基础绝缘层的密合力。并且，算出pct试验后的底部填充层的密合力的降低率(pct试验后的密合力/初始密合力)。其结果示于表1。
[0193]
[表1]
[0194][0195]
《考察》
[0196]
如表1所示，基础绝缘层中的显影促进剂的含有比率和感光剂的含有比率的总和为50ppm以下的参考实施例1与基础绝缘层中的显影促进剂的含有比率和感光剂的含有比率的总和超过50ppm的参考比较例1相比，pct试验后(即、在湿热条件下放置后)的底部填充层对基础绝缘层的密合力降低明显得到抑制。
[0197]
另外，参考实施例1被调整为基础绝缘层中的显影促进剂的含有比率与感光剂的含有比率的总和为5ppm以上、底部填充层对基础绝缘层的初始密合力为200gf/cm以下。需要说明的是，如参考比较例2那样，密合力超过200gf/cm时，电子部件的再加工时难以将底部填充层自基础绝缘层剥离。关于这一点，参考实施例1的密合力为100gf/cm以下，能够确保电子部件的再加工性。
[0198]
需要说明的是，虽然作为本发明的例示的实施方式而提供了上述技术方案，但这仅仅是单纯的例示，不应做限定性解释。该技术领域的技术人员所清楚的本发明的变形例包括在前述权利要求的保护范围内。
[0199]
产业上的可利用性
[0200]
本发明的布线电路基板例如可在用于图像传感器安装基板、智能手机、个人电脑、游戏机等的柔性布线电路基板等各种用途中使用。
[0201]
附图标记说明
[0202]1ꢀꢀꢀ
安装基板
[0203]4ꢀꢀꢀ
基础绝缘层
[0204]
4a
ꢀꢀ
一面
[0205]
10
ꢀꢀ
第1端子
[0206]
18
ꢀꢀ
底部填充层