螺环化合物、电子传输材料及发光器件的制作方法

文档序号:30328446发布日期:2022-06-08 04:58阅读:212来源:国知局
螺环化合物、电子传输材料及发光器件的制作方法

1.本技术涉及发光材料技术领域,具体而言,本技术涉及一种螺环化合物、电子传输材料及发光器件。


背景技术:

2.随着信息产业的进步,发光器件中的有机电致发光二极管(organiclight-emitting diodes,oleds)具有全固态、自主发光、亮度高、高分辨率、视角宽、响应速度快、厚度薄、体积小、重量轻、可使用柔性基板、低电压直流驱动、功耗低、工作温度范围宽等优势,可应用在照明系统、通讯系统、车载显示、便携式电子设备、高清晰度显示和军事领域等。
3.但是目前发光器件中电子传输材料容易结晶和刚性不足,降低发光器件的显示性能和发光效率。


技术实现要素:

4.本技术针对现有方式的缺点,提出一种螺环化合物、电子传输材料及发光器件,用以解决现有发光器件中电子传输材料容易结晶和刚性不足,降低发光器件的显示性能和发光效率的技术问题。
5.第一个方面,本技术实施例提供了一种螺环化合物,所述螺环化合物的结构通式如下述通式(ⅰ)所示:
[0006][0007]
在所述通式(ⅰ)中,r1~r8各自独立地包括取代或未取代的设计基团;ar1、ar2中至少含有一个吸电子基基团,且不能同时为氢;a环和b环各自独立地包括取代或未取代的单环或多环的芳族环,或者包括取代或未取代的苯基、萘基、菲、荧蒽、芴、噻吩或呋喃基;n为0或1;n 为1的情况下,x为直接键、o、s、c和n中的一种,其中当x为直接键时,a环和b环不能都为未取代的苯基。
[0008]
可选地,通式(ⅰ)中n为0时,结构通式如下述通式(ⅱ)所示:
[0009][0010]
可选地,通式(ⅰ)中x为直接键时,结构通式如下述通式(ⅲ)所示:
[0011][0012]
可选地,通式(ⅰ)n为1,x为o、s、c和n中的一种时,结构通式如下述通式(ⅳ)所示:
[0013][0014]
可选地,所述的螺环化合物包括以下至少一项:
[0015]
所述吸电子基团独立地为吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物中的一种;
[0016]
所述ar1和所述ar2各自独立地为下述一种:氢、氘、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、烯基、甲硅烷基、硼基、胺基、芳基膦基、氧化膦基、芳基、杂芳基、或者相邻基团彼此结合形成环。
[0017]
可选地,所述r1~r8的设计基团各自独立地为下述一种:氢、氘、氰基、卤素、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、烯基、甲硅烷基、硼基、胺基、氧化膦基、芳基、杂芳基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、硼杂环基、砜基及其衍生物。
[0018]
可选地,所述a环和所述b环各自独立地为下述结构式中的一种:
[0019][0020]
第二个方面,本技术实施例提供了一种电子传输材料,包括上述的螺环化合物。
[0021]
第三个方面,本技术实施例提供了一种发光器件,包括依次层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极,所述发光功能层包括电子传输层,所述电子传输层包括上述的电子传输材料。
[0022]
可选地,所述发光功能层还包括设置在所述电子传输层靠近所述第一电极的一侧的空穴阻挡层,所述空穴阻挡层包括上述的电子传输材料。
[0023]
本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
[0024]
本技术提供一种螺环化合物,该螺环化合物具有正交的空间立体构型,能够降低分子间的范德华力,利于防止含有该螺环化合物的电子传输材料的结晶,进而能够提升含有电子传输材料的发光器件的显示性能;该螺环化合物具有刚性结构,使得含有该螺环化合物的电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度,利于提高电子传输材料的稳定性,进而能够提升发光器件的发光效率和能够延长发光器件的使用寿命;在螺环化合物中引入吸电子基团,能够实现homo与lumo的有效分离,利于调整相邻的功能层匹配,使得载流子传输更加顺畅,进而降低发光器件的驱动电压。
[0025]
本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0026]
本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得
明显和容易理解,其中:
[0027]
图1为本技术实施例提供的一种发光器件的剖面膜层结构示意图。
[0028]
附图标记说明:
[0029]
1-第一电极;
[0030]
2-发光功能层;21-空穴注入层;22-空穴传输层;23-电子阻挡层;24
‑ꢀ
发光层;25-空穴阻挡层;26-电子传输层;27-电子注入层。
[0031]
3-衬底;
[0032]
4-第二电极;
[0033]
100-发光器件。
具体实施方式
[0034]
下面结合本技术中的附图描述本技术的实施例。应理解,下面结合附图所阐述的实施方式,是用于解释本技术实施例的技术方案的示例性描述,对本技术实施例的技术方案不构成限制。
[0035]
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个,例如“a和/或 b”可以实现为“a”,或者实现为“b”,或者实现为“a和b”。
[0036]
在说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
[0037]
为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
[0038]
本技术的研发思路包括:一般情况下,发光器件中空穴迁移率比电子迁移率高,为了实现载流子的电荷平衡传输和有效复合,防止单一载流子累积,电子传输材料具有重要作用。目前电子传输材料容易结晶和刚性不足,降低发光器件的显示性能和发光效率。
[0039]
下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要指出的是,下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合,对于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等,不再重复描述。
[0040]
本技术实施例提供了一种螺环化合物,该螺环化合物具有通式(ⅰ) 所示的结构式:
[0041][0042]
在通式(ⅰ)中,r1~r8各自独立地包括取代或未取代的设计基团; ar1、ar2中至少含有一个吸电子基基团,且不能同时为氢;a环和b环各自独立地包括取代或未取代的单环或多环的芳族环,或者包括取代或未取代的苯基、萘基、菲、荧蒽、芴、噻吩或呋喃基;n为0或1;n为1 的情况下,x为直接键、o、s、c和n中的一种,其中当x为直接键时, a环和b环不能都为未取代的苯基。
[0043]
需要说明的是,a环和b环各自独立地包括取代或未取代的单环或多环的芳族环,意思表示a环和b环各自独立地包括取代的单环的芳族环、未取代的单环的芳族环、取代的多环的芳族环或未取代的多环的芳族环;多环表示至少两个环。
[0044]
本实施例中,该螺环化合物具有正交的空间立体构型,能够降低分子间的范德华力,利于防止含有该螺环化合物的电子传输材料的结晶,进而能够提升发光器件的显示性能;该螺环化合物具有较高的三线态能级,含有该螺环化合物的电子传输材料具有较高的三线态能级,能够防止发光层中产生的激子向电子传输层扩散,从而提升发光器件的发光效率。
[0045]
以及,利用该螺环化合物中的中心c原子的sp3杂化,能够打断分子的共轭,使得homo(highest occupied molecular orbital,分子中电子的最高占有轨道)与lumo(lowest unoccupied molecular orbital,分子中电子的最低未占轨道)能级分布在上下两部分,利于电子传输材料能级的调控和利于阻止三线态级降低;该螺环化合物具有刚性结构,使得含有该螺环化合物的电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度,利于提高电子传输材料的稳定性,进而提升发光器件的发光效率和使用寿命;同时该螺环化合物采用不对称的螺环结构,能够降低分子的对称性,利于提升分子的成膜性。
[0046]
可选地,吸电子基团独立地为吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基、砜基及其衍生物,其中衍生物指吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、噁硼杂环基和砜基中的一种衍生物。
[0047]
本实施例中,在螺环化合物中引入吸电子基团,吸电子基团与电子基团连接,能够实现homo与lumo的有效分离,利于调整发光层的能级与相邻的功能层匹配,使得载流子传输更加顺畅。
[0048]
可选地,在螺环化合物中引入特定的吸电子基团,比如膦氧基、氰基、咪唑基,可改善电子传输材料的注入性,进而降低发光器件的驱动电压。
[0049]
可选地,ar1和ar2各自独立地为下述一种:氢、氘、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、烯基、甲硅烷基、硼基、胺基、芳基膦基、氧化膦基、芳基、杂芳基或者相邻基团彼此结合形成环,其中相邻基团指化合物结构中任何两个相邻基团。
[0050]
可选地,r1~r8的设计基团各自独立地为下述一种:氢、氘、氰基、卤素、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、烯基、甲硅烷基、硼基、胺基、氧化膦基、芳基、杂芳基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、膦氧基、腈基、硝基、噁唑基、喹喔啉基、噻唑基、喹啉基、咪唑、苯基嘧啶、硼杂环基、砜基及其衍生物。
[0051]
可选地,a环和b环各自独立地为下面结构式中的一种:
[0052][0053][0054]
其中,a、b环的结构不限于以上的结构,可根据实际情况选择具体合适的结构。
[0055]
可选地,通式(ⅰ)中n为0时,结构通式如下通式(ⅱ)所示:
[0056][0057]
本实施例中,具有通式(ⅱ)的化合物可以包括以下化合物1至化合物3:
[0058][0059]
需要说明的是,通式(ⅱ)的化合物的结构不限于以上的结构。
[0060]
可选地,通式(ⅰ)中x为直接键时,结构通式如下具有通式(ⅲ) 所示:
[0061][0062]
本实施例中,具有通式(ⅲ)的化合物可以包括以下化合物4至化合物60:
[0063]
[0064]
[0065]
[0066]
[0067][0068]
需要说明的是,通式(ⅲ)的化合物的结构不限于以上的结构。
[0069]
可选地,通式(ⅰ)n为1,x为o、s、c和n中的一种时,结构通式如下通式(ⅳ)所示:
[0070][0071]
本实施例中,具有通式(ⅳ)的化合物可以包括以下化合物61至化合物87:
[0072]
[0073]
[0074][0075]
需要说明的是,通式(ⅳ)的化合物的结构不限于以上的结构。
[0076]
下面将以多个合成实施例为例来详述本技术的螺环化合物的具体制备方法,但本技术的制备方法并不限于这多个合成实施例。
[0077]
本技术中所用的各种化学药品如4-溴菲、四氢呋喃、丁基锂、乙酸、硫酸、二噁烷、醋酸钾、碳酸钾水溶液、无水硫酸镁等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到。
[0078]
合成实施例1
[0079]
化合物e1的合成:
[0080]
步骤1:合成中间体1,具体如下:
[0081][0082]
在三口烧瓶中,将70毫摩尔(mmol)的化合物1a(4-溴菲)溶于200ml 的四氢呋喃(thf)中,降温至-78℃;缓慢滴加64mmol丁基锂(n-buli),温度不超过-75℃,滴加完丁基锂升至室温反应1h;将溶有60mmol的化合物1b的200ml thf溶液加入反应瓶中,将混合液回流反应3h;tlc (thin layer chromatography,薄层色谱)检测反应完毕后,用乙酸乙酯进行萃取;萃取完成后进行浓缩,得到化合物1c。
[0083]
将上述50mmol的化合物1c投到200ml的乙酸中,在80℃下搅拌并滴入硫酸1~2滴;回流3h后,将温度降至常温,等待反应结束后,利用二氯甲烷萃取,分离得到化合物1d。
[0084]
将上述38mmo的化合物1d和40.5mmol的化合物1e完全溶解于 170ml的二噁烷(dioxane)中后,添加110.5mmol的醋酸钾并加热搅拌,将温度降至常温,结束反应后,去除碳酸钾溶液,过滤去除醋酸钾;将滤液用乙醇使其固化并过滤;将白色固体用乙醇分别洗涤2次,从而得到中间体1,收率为82%。
[0085]
步骤2:合成化合物e1,具体如下:
[0086][0087]
在氮气氛下,在500ml的圆底烧瓶中,将15mmol的中间体1和13mmol 的化合物a1完全溶解于300ml的四氢呋喃后,添加100ml的2m的碳酸钾水溶液;加入0.39mmol的四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)后,加热搅拌 4小时;将温度降至常温,去除水层,用无水硫酸镁干燥后,进行减压浓缩;用250ml的乙酸乙酯重结晶,得到化合物e1,产率为76%。
[0088]
合成实施例2
[0089]
化合物e2的合成:
[0090]
步骤1:合成中间体2,具体如下:
[0091][0092]
合成步骤同中间体1,只是将化合物1b改变为化合物2b,其它试剂不变,得到中间
体2,产率为72.3%。
[0093]
步骤2:合成化合物e1,具体如下:
[0094][0095]
在氮气氛下,在500ml的圆底烧瓶中,将18.9mmol的中间体2和化合物16.47mmol的b1完全溶解于150ml的四氢呋喃后,添加100ml的2m 的碳酸钾水溶液;加入0.48mmol的四(三苯基膦)钯,加热搅拌4小时;将温度降至常温,去除水层,用无水硫酸镁干燥后,进行减压浓缩,用 250ml的乙酸乙酯重结晶,得到化合物e2,产率为75.8%。
[0096]
合成实施例3
[0097]
化合物e3的合成:
[0098]
步骤1:合成中间体3,具体如下:
[0099][0100]
合成步骤同中间体1,只是将化合物1b改变为3b,其它试剂不变,得到中间体3,产率为79.5%。
[0101]
步骤2:合成化合物e3,具体如下:
[0102][0103]
在氮气氛下,在500ml的圆底烧瓶中,将18.9mmol的中间体3和 16.47mmol的化合物c1完全溶解于150ml的四氢呋喃后,添加100ml的 2m的碳酸钾水溶液,加入0.48mmol的四(三苯基膦)钯后,加热搅拌4小时;将温度降至常温,去除水层,用无水硫酸镁干燥后,进行减压浓缩,用250ml的乙酸乙酯重结晶,得到化合物e2,产率为75.8%。
[0104]
合成实施例4
[0105]
化合物e4的合成:
[0106]
步骤1:合成中间体4,具体如下:
[0107][0108]
合成步骤同中间体1,只是将化合物1b改变为4b,其它试剂不变,得到中间体4,产率为83.6%。
[0109]
步骤2:合成化合物e4,具体如下:
[0110][0111]
在氮气氛下,在500ml的圆底烧瓶中,将16.7mmol的中间体4和 13.26mmol的化合物d1完全溶解于150ml的四氢呋喃后,添加100ml的 2m的碳酸钾水溶液,加入0.41mmol的四(三苯基膦)钯后,加热搅拌4小时;将温度降至常温,去除水层,用无水硫酸镁干燥后,进行减压浓缩,用250ml的乙酸乙酯重结晶,得到化合物e4,产率为81.3%。
[0112]
如下表1所示,利用分子模拟软件模拟通式(ⅱ)、通式(ⅲ)和通式(ⅳ)的螺环化合物的空间立体构型,具体如下:
[0113]
表1
[0114][0115][0116]
通过表1可知,本技术的螺环化合物属于正交的空间立体构型,利用含有该螺环化合物的电子传输材料,使得分子有较好的空间立体结构,降低分子间的范德华力,能够有效的防止电子传输材料的结晶,提升发光器件的发光性能。
[0117]
如下表2所示,利用分子模拟软件模拟通式(ⅱ)、通式(ⅲ)和通式(ⅳ)的螺环化合物的电子云的分布,具体如下:
[0118]
表2
[0119][0120][0121]
通过表2可知,该螺环化合物中的中心c原子的sp3杂化,能够打断分子的共轭,使得homo与lumo能级分布在上下两部分,利于电子传输材料能级的调控和利于阻止三线态级降低,能够实现与相邻的功能层的匹配,同时该螺环化合物采用不对称的螺环结构,能够降低分子的对称性,利于提升分子的成膜性。
[0122]
如下表3所示,利用测量仪器为dsc差示扫描量热仪,测试气氛为氮气,升温速率为为10℃/min,温度范围为50~380℃,测试通式(ⅱ)、通式(ⅲ)和通式(ⅳ)的螺环化合物的玻璃转化温度(tg),具体如下:
[0123]
表3
[0124][0125][0126]
通过表3可知,本技术的螺环化合物具有刚性的立体结构,含有该螺环化合物的电子传输材料,有较高的玻璃转化温度,有利于提升电子传输材料的热力学稳定性;在进行蒸镀工艺时,电子传输材料不发生裂解改变,具有较好的成模性,延长电子传输材料的使用寿命。发光器件中使用高玻璃转化温度的电子传输材料,能够显著地提升器件的性能。
[0127]
基于同一发明构思,本技术实施例提供一种电子传输材料,该电子传输材料包括上述实施例提供的螺环化合物。
[0128]
本实施例中,该电子传输材料包括上述的螺环化合物,则电子传输材料的有益效果包括上述的螺环化合物的有益效果,此处不再赘述。
[0129]
基于同一发明构思,本技术实施例提供一种发光器件100,如图1所示,包括依次层叠设置的第一电极1、发光功能层2和第二电极4,发光功能层2包括电子传输层26,电子传输层26包括上述实施例提供的电子传输材料。
[0130]
本实施例中,第一电极1为阳极,可以为透明氧化物ito、izo,或者可为ito/ag/ito、ag/izo、cnt/ito、cnt/izo、go/ito、go/izo 等形成的复合电极;第二电极4为阴极。该发光器件100中的电子传输材料引入螺环化合物,使得电子传输材料具有较高的三线态能级,能够防止发光层24中产生的激子向电子传输层26扩散,从而提升发光器件100的发光效率;电子传输材料引入螺环化合物可改善电子传输材料的注入性,进而降低发光器件100的驱动电压;电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度,利于提高电子传输材料的稳定性,进而能够提升发光器件100的发光效率和能够延长发光器件100的使用寿命。
[0131]
可选地,发光功能层2还包括设置在电子传输层26靠近第一电极1 的一侧的空穴阻挡层25,空穴阻挡层25包括上述实施例提供的电子传输材料。
[0132]
可选地,发光器件100还包括设置在第一电极1远离第二电极4一侧的衬底3,衬底3可以为透明的刚性或柔性的衬底3材料,如玻璃、聚酰亚胺等。
[0133]
可选地,发光功能层2还包括设置在第一电极1靠近空穴阻挡层25 的一侧依次层叠设置的空穴注入层21、空穴传输层22、电子阻挡层23和发光层24;发光功能层2还包括设置在所述电子传输层26远离所述空穴阻挡层25一侧的电子注入层27。
[0134]
本实施例中,空穴注入层21可以为无机的氧化物,比如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物等,或者也可以为强吸电子体系的掺杂物,例如f4tcnq、hatcn等,或者还可以在空穴传输材料进行p型掺杂,空穴注入层21的厚度可以为5nm(纳米)~30nm(纳米)。空穴传输层22的材料是具有良好的空穴传输特性,可以为芳胺类或者咔唑类材料,如npb、tpd、baflp、dfldpbi等,空穴传输层 22的厚度可以为100nm~2000nm。电子阻挡层23,即发光辅助层,具有空穴传输特性,可以为红色发光辅助层、绿色发光辅助层、蓝色发光辅助层,发光辅助层的材料可以为芳胺类或者咔唑类材料,如cbp、pczpa 等,电子阻挡层23的厚度可以为5nm~100nm。
[0135]
发光层24可以为磷光主体和红色磷光掺杂剂、磷光主体和绿色磷光掺杂剂或者荧光主体和荧光掺杂剂,发光层24的主体材料可以包含一种材料,也可以包含两种以上的混合材料,其中蓝色发光层24主体材料可选自蒽衍生物adn、madn等,客体材料可为芘衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等,如tbpe、bdavbi、 dpavbi、firpic等;绿色发光层24主体材料可选自如香豆素染料、喹吖啶铜类衍生物、多环芳香烃、二胺蒽类衍生物、咔唑衍生物,如dmqa、 ba-npb、alq3等,客体材料可以为金属配合物等,如ir(ppy)3、 ir(ppy)2(acac)等;红色发光主体材料可选自如dcm系列材料,如dcm、dcjtb,dcjti等,客体材料可以为金属配合物,如ir(piq)2(acac)、ptoep、 ir(btp)2(acac)等,发光层24的厚度可以为20nm~100nm。
[0136]
空穴阻挡层25的厚度可以为5nm~100nm,电子传输层26的厚度可以为20nm~100nm,空穴阻挡层25和电子传输层26独立的包括芳族杂环化合物,例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物,以及嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物,还有喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物,也可以包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物,例如:oxd-7、taz、 p-ettaz)、bphen、bcp、本技术的电子传输材料等。电子注入层27的厚度可以为1nm~10nm,电子注入层27材料包括碱金属或者金属,例如lif、 yb、mg、ca或者其化合物等。
[0137]
以图1为实施例,该发光器件100的结构为:衬底3(玻璃板)/第一电极1(ito)/空穴注入层21(10nm)/空穴传输层22(100nm)/电子阻挡层23(35nm)/发光层24(20nm)/空穴阻挡层25(5nm)/电子传输层26(30nm)/电子注入层27(1nm)/第二电极4(100nm)。
[0138]
下面具体介绍图1中发光器件100的制备过程:
[0139]
将设有第一电极1(ito)的衬底3(玻璃板)在清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份。
[0140]
把设有ito的玻璃板置于真空腔内,抽真空至1
×
10-5
~1
×
10-6
,在 ito远离玻璃板的一侧真空蒸镀空穴注入材料,形成空穴注入层21。
[0141]
在空穴注入层21远离ito的一侧蒸镀空穴传输材料,形成空穴传输层22。
[0142]
在空穴传输层22远离空穴注入层21的一侧真空蒸镀电子阻挡材料,形成电子阻挡层23。
[0143]
在电子阻挡层23远离空穴传输层22的一侧真空蒸镀发光材料,形成发光层24,发光材料包括主体材料和客体材料,利用多源共蒸的方法,主体材料和客体材料的重量比为97:3。
[0144]
在发光层24远离电子阻挡层23的一侧真空蒸镀空穴阻挡材料,形成空穴阻挡层25。
[0145]
在空穴阻挡层25远离发光层24的一侧真空蒸镀电子传输材料,形成电子传输层26。
[0146]
在电子传输层26远离空穴阻挡层25的一侧真空蒸镀厚度为1nm的无机物(lif)作为电子注入材料,形成电子注入层27。
[0147]
在电子注入层27远离蒸电子传输层26镀al层作为阴极。
[0148]
如下表4所示,为空穴注入层21、空穴传输层22、电子阻挡层23、发光层24、空穴阻挡层25和电子传输层26所用的材料中的化合物。
[0149]
表4
[0150][0151][0152]
在固定的电流密度下测量下述五种发光器件的驱动电压和发光效率,在15ma/cm2的电流密度下,测试发光器件的使用寿命,实施例1的发光器件中的电子传输材料包括化合物e1;实施例2的发光器件中的电子传输层材料括化合物e2;实施例3的发光器件中的电子传输材料包括化合物e3;实施例4的发光器件中的电子传输材料包括化合物e4;实施例5 的发光器件中的电子传输材料包括化合物83;实施例6的发光器件中的电子传输材料包括对比化合物,测试结果如表5所示。
[0153]
表5
[0154][0155]
通过表5可知,实施例1至实施例5的驱动电压均比实施例6的驱动电压低,这是因为电子传输层中含有的化合物e1、化合物e2、化合物e3、化合物e4和化合物83利用其中心c原子的sp3杂化,能够打断分子的共轭,利于实现homo与lumo分离,便于进行调控能级,使利于相邻的功能层的匹配,进而发光器件具有较低的驱动电压。
[0156]
通过表5还可知,实施例1至实施例5的发光效率和使用寿命均比实施例6的发光效率和使用寿命高,这是因为电子传输层中含有的化合物 e1、化合物e2、化合物e3、化合物e4和化合物83具有正交的空间立体构型,能够降低分子间的范德华力,利于防止含有电子传输材料的结晶,进而能够提升发光器件的显示性能,以及化合物e1、化合物e2、化合物 e3、化合物e4和化合物83具有刚性结构,使得电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度,利于提高电子传输材料的稳定性,进而提升发光器件的发光效率和使用寿命。
[0157]
应用本技术实施例,至少能够实现如下有益效果:
[0158]
1.本技术实施例提供的螺环化合物具有正交的空间立体构型,能够降低分子间的范德华力,利于防止含有该螺环化合物的电子传输材料的结晶,进而能够提升发光器件的显示性能。
[0159]
2.本技术实施例提供的螺环化合物具有较高的三线态能级,含有该螺环化合物的电子传输材料具有较高的三线态能级,能够防止发光层中产生的激子向电子传输层扩散,从而提升发光器件的发光效率。
[0160]
3.本技术实施例提供的螺环化合物中的中心c原子的sp3杂化,能够打断分子的共轭,使得homo与lumo能级分布在上下两部分,利于电子传输材料能级的调控和利于阻止三线态级降低。
[0161]
4.本技术实施例提供的螺环化合物具有刚性结构,使得含有该螺环化合物的电子传输材料具有较高的玻璃化转变温度,利于提高电子传输材料的稳定性,同时该螺环化合物采用不对称的螺环结构,能够降低分子的对称性,利于提升分子的成膜性。
[0162]
本技术领域技术人员可以理解,本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地,具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地,现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
[0163]
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
[0164]
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0165]
以上所述仅是本技术的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术的方案技术构思的前提下,采用基于本技术技术思想的其他类似实施手段,同样属于本技术实施例的保护范畴。
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