一种有机半导体发光化合物及其应用的制作方法

文档序号:31528689发布日期:2022-09-14 16:05阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种有机半导体发光化合物,其特征在于,所述有机半导体发光化合物具有如下式i所示结构:其中,x
1-x7各自独立地选自c原子或n原子;y1、y2各自独立地选自单键、o、s、se、ar、ar1和ar2各自独立地选自取代或未取代的六元苯环、取代或未取代的六元芳杂环、取代或未取代的五元芳杂环、取代或未取代的碳原子数不超过18的五元或六元芳杂环的键合体或稠合芳杂环;虚线环表示ar在

处与稠和;r
1-r3各自独立地选自氢、氚、卤素、取代或未取代的c1-c18烷基、取代或未取代的c1-c12烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18含氟烷基、取代或未取代的c1-c12含氘烷基、取代或未取代的c1-c18硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的硒吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的奈基、取代或未取代的蒽基、芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的含有n或o或s或se的稠合芳杂基、-o-z1或-s-z1;z1、z2为取代或未取代的c1-c18烷基、取代或未取代的c6-c18芳基、取代或未取代的c5-c18的芳杂基、取代或未取代的c7-c18稠合芳杂基;m1、m2各自独立地选自0~3的整数,m3为0~4的整数。2.根据权利要求1所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,ar、ar1、ar2、r
1-r3、z1、z2中所述取代的取代基各自独立地选自氚、卤素、化学交联基团、c1-c18烷基、c1-c12烷氧基、
c3-c18环烷基、c1-c18含氟烷基、c1-c12含氘烷基或c1-c18硅烷基中的至少一种;优选地,所述化学交联基团包括乙烯基、丙烯酸脂基或三氟乙烯基。3.根据权利要求1或2所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,所述有机半导体发光化合物具有如下所示结构:
其中,y1、y2各自独立地选自o、s、se、x
1-x7、ar、ar1、ar2、r
1-r3、z1、z2、m1、m2、m3具有与权利要求1相同的限定范围。4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,r
1-r3各自独立地选自氢、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c3-c18环烷基或-o-z1或-s-z1。5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,所述有机半导体发光化合物具有如下所示结构:
其中,d代表氘。6.根据权利要求1-4中任一项所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,所述有机半导体发光化合物具有如下所示结构:
7.根据权利要求1-4中任一项所述的有机半导体发光化合物,其特征在于,所述有机半导体发光化合物具有如下所示结构:
8.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和位于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层,所述有机薄膜层包括发光层,所述发光层包括如权利要求1-7中任一项所述的有机半导体发光化合物;优选地,所述发光层包括主体化合物材料以及如权利要求1-7中任一项所述的有机半导体发光化合物;优选地,以发光层的总重量为100%计,所述有机半导体发光化合物的重量份数为2-49%。9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述主体化合物材料的三线态能级t1>2.56ev,包含如下结构化合物:优选地,所述主体化合物材料的单线态能级s1>2.82ev,包含如下结构化合物:
10.根据权利要求8或9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机薄膜层还包括空穴传输层、电子传输层或电子注入层中的任意一种或至少两种的组合;优选地,所述有机电致发光器件由下至上依次包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

技术总结
本发明提供一种有机半导体发光化合物及其应用,所述有机半导体发光化合物具有如下式I所示结构。本发明的有机半导体发光化合物单线态与三线态能级差


技术研发人员:李晓常 许千千 吴江 黄辉
受保护的技术使用者:江西冠能光电材料有限公司
技术研发日:2022.06.16
技术公布日:2022/9/13
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