一种高导电率和高导磁的新型材料的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种工业金属材料，尤其涉及一种高导电率和高导磁的新型材料。
【背景技术】
[0002]一般的高分子材料不导电也不具有磁性，但为了某种用途，需要使这些高分子材料变成导电体和具有磁性等功能，这就需对高分子材料进行改性，最常用的方法就是在高分子材料中加入导电物质或带磁性的铁粉或稀土类物质或其他一些添加剂，从而使之成为高分子导体或半导体甚至超导体，或带磁性的高分子材料，但现有技术中能够导磁且能够导电的材料都存在弊端，要么导电高而导磁效果差，不成正比，非常影响使用，因此，存在改进空间。
【发明内容】
[0003]本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种高导电率和高导磁的新型材料。
[0004]本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]本发明由聚苯硫醚、聚吡咯、银、铜、铁、钴、镍和硅钢组成，所述银为网状结构，所述铜包覆于网状结构的所述银的表面，所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢均为颗粒状并填充于网状结构的所述银包覆所述筒后的间隙中。
[0006]进一步，所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢的颗粒混合填充后与所述银和所述铜经过高压压缩而合成。
[0007]本发明的有益效果在于:
[0008]本发明是一种高导电率和高导磁的新型材料，与现有技术相比，本发明采用聚苯硫醚和聚吡咯两种高分子的导电材料与导电率较高的银和铜组成，能够具有强大的导电率，再加以硅钢、铁、钴、镍这几种具有强烈导磁的材料而合成，使用本发明在具有高导电率的情况下同时具有高导磁效率，而且将银改进为网状结构，能够使电流直接从银材质里导通，避免其他导磁材质混合后阻碍电流的通过，因此，在具有导磁效果下还能够有效的导电，从而改进现有技术中的导磁导电材料的不足之处，具有推广应用的价值。
【具体实施方式】
[0009]下面对本发明作进一步说明:
[0010]本发明由聚苯硫醚、聚吡咯、银、铜、铁、钴、镍和硅钢组成，所述银为网状结构，所述铜包覆于网状结构的所述银的表面，所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢均为颗粒状并填充于网状结构的所述银包覆所述筒后的间隙中。
[0011]进一步，所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢的颗粒混合填充后与所述银和所述铜经过高压压缩而合成。
[0012]本发明采用聚苯硫醚和聚吡咯两种高分子的导电材料与导电率较高的银和铜组成，能够具有强大的导电率，再加以硅钢、铁、钴、镍这几种具有强烈导磁的材料而合成，使用本发明在具有高导电率的情况下同时具有高导磁效率，而且将银改进为网状结构，能够使电流直接从银材质里导通，避免其他导磁材质混合后阻碍电流的通过，因此，在具有导磁效果下还能够有效的导电。
[0013]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种高导电率和高导磁的新型材料，其特征在于:由聚苯硫醚、聚吡咯、银、铜、铁、钴、镍和硅钢组成，所述银为网状结构，所述铜包覆于网状结构的所述银的表面，所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢均为颗粒状并填充于网状结构的所述银包覆所述筒后的间隙中。2.根据权利要求1所述的高导电率和高导磁的新型材料，其特征在于:所述聚苯硫醚、所述聚吡咯、所述铁、所述钴、所述镍和所述硅钢的颗粒混合填充后与所述银和所述铜经过高压压缩而合成。
【专利摘要】本发明公开了一种高导电率和高导磁的新型材料，由聚苯硫醚、聚吡咯、银、铜、铁、钴、镍和硅钢组成，银为网状结构，铜包覆于网状结构的银的表面，聚苯硫醚、聚吡咯、铁、钴、镍和硅钢均为颗粒状并填充于网状结构的银包覆筒后的间隙中。采用聚苯硫醚和聚吡咯两种高分子的导电材料与银和铜组成，能够具有强大的导电率，再加以硅钢、铁、钴、镍这几种具有强烈导磁的材料而合成，使用本发明在具有高导电率的情况下同时具有高导磁效率，而且将银改进为网状结构，能够使电流直接从银材质里导通，避免其他导磁材质混合后阻碍电流的通过，因此，在具有导磁效果下还能够有效的导电，从而改进现有技术中的导磁导电材料的不足之处，具有推广应用的价值。
【IPC分类】C08L79/04, C08L81/02, C08K3/02, C08K3/08, C08K3/00
【公开号】CN104893289
【申请号】CN201510271406
【发明人】左明辉, 崔术新, 邢乐红
【申请人】牡丹江师范学院
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月25日