高采光抗紫外转光型阳光板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于阳光板领域，具体来说涉及一种高采光抗紫外转光型阳光板。
【背景技术】
[0002] 波长为280-315纳米的紫外线可对皮肤产生强烈的光损伤，长久照射之后，皮肤会 出现红斑、炎症和皮肤老化，严重的可导致皮肤癌，波长为315-400纳米的紫外线对衣物和 皮肤的穿透性更强，长期照射下会造成皮肤老化和严重损害。为了减少紫外线和刺眼日光 的照射，阳光板逐渐被广泛的应用于各种领域和场所，一般在阳光板的板体表面涂覆紫外 线防护涂层，而阳光板内部中也设有竖直挡板，用于支撑阳光板和对光进行反射，然而，即 使如此，还会有很大一部分的紫外线穿过涂覆有紫外线防护涂层的阳光板，阳光中的白光 也会直射穿透阳光板，给人带来炫目和刺眼。
【发明内容】
[0003] 针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种高采光抗紫外转光型阳光板，该 种高采光抗紫外转光型阳光板解决紫外光资源浪费、光损害和采光面积受限等问题。
[0004] 本发明的目的是通过下述技术方案予以实现的。
[0005] -种高采光抗紫外转光型阳光板，包括:上板面和与所述上板面平行的下板面，所 述上板面和下板面之间均布有横向挡板、纵向挡板和上面敞口的棱锥，横向挡板和纵向挡 板均与上板面垂直，棱锥的上端固装在上面板的下面，其中，所述上板面、下板面、棱锥、横 向挡板和纵向挡板均由树脂和紫外吸收荧光粉颗粒制成，且紫外吸收荧光粉颗粒均匀分布 在树脂内。
[0006] 在上述技术方案中，所述棱锥为正棱锥。
[0007] 在上述技术方案中，上板面至下板面的距离为0.8-2厘米，正棱锥、横向挡板、纵向 挡板、上板面和下板面的厚度均为100-200微米。
[0008] 在上述技术方案中，任意所述横向挡板和纵向挡板的交线均为相对应的正棱锥的 尚线。
[0009] 在上述技术方案中，任意所述正棱锥的上面的边与其相邻的正棱锥的上面的相对 应的边重合。
[0010] 在上述技术方案中，按质量计，所述紫外吸收荧光粉颗粒与树脂的比为（0.025-0.1)：1〇
[0011] 在上述技术方案中，所述树脂为聚碳酸酯（PC)、亚克力（PMMA)、环氧树脂或丁二 烯-苯乙烯共聚物。
[0012] 在上述技术方案中，所述紫外吸收荧光粉颗粒为稀土钇铝石榴石荧光材料、（Sr， Ba，Ca)AlSiN3: Eu2+氮化物荧光材料、（Sr，Ba，Ca)2Si5N8:Eu 2+氮化物荧光材料和CaS:Eu2+荧 光材料的一种或几种。
[0013] 相比于现有技术，本发明的高采光抗紫外转光型阳光板通过阳光板内部结构和紫 外吸收荧光粉颗粒的相互配合，减少阳光板的紫外光的透过率，并增大白光的匀光效果，减 少白光所带来炫目和刺眼。
【附图说明】
[0014]图1为稀土钇铝石榴石荧光材料(Y3Al5〇12:Ce 3+)的光谱图，其中，曲线1为波长为 300纳米紫外光激发下的发射光谱，曲线2为波长为350纳米蓝紫光激发下的发射光谱，曲线 3为波长为550纳米的黄光所对应的激发光谱；
[0015]图2为(Sr，Ba，Ca)AlSiN3:Eu2+氮化物焚光材料的光谱图，其中，曲线1为波长为300 纳米紫外光激发下的发射光谱，曲线2为波长为350纳米蓝紫光激发下的发射光谱，曲线3为 波长为650纳米的红光所对应的激发光谱；
[0016]图3为（Sr，Ba，Ca)2Si5N8:Eu2+氮化物荧光材料的光谱图，其中，曲线1为波长为360 纳米蓝紫光激发下的发射光谱，曲线2为波长为460纳米蓝光激发下的发射光谱；
[0017]图4为CaS:Eu2+焚光材料的光谱图，其中，曲线1为波长为470纳米蓝光激发下的发 射光谱，曲线2为波长为654纳米红光激发下的发射光谱；
[0018] 图5为本发明的高采光抗紫外转光型阳光板的俯视图；
[0019] 图6本发明的高采光抗紫外转光型阳光板的剖视图；
[0020] 图7为普通阳光板的结构示意图。
[0021 ]其中，1为正六棱锥，2为横向挡板，3为纵向挡板，4为下板面，5为上板面。
【具体实施方式】
[0022]在本实施例中，聚碳酸酯(PC)购买自东莞市高东塑胶有限公司，牌号:GP-2300,成 分为2，2-双(4-羟基苯基)丙烷聚碳酸酯，其分子式为：
[0023]
[0024]亚克力(PMMA)购买自东莞市轩阳塑胶原料有限公司，牌号PW-978B，成分为聚甲基 丙烯酸甲酯，分子量20000-23000,化学式为-[CH2C(CH3) (C00CH3) ]n-。环氧树脂购买自上 海凯茵化工有限公司，牌号:DER662,主要成分是酚醛树脂，双酚A型环氧树脂，环氧当量(g/ eq): 172-176，黏度（25°C )mPa · S: 4000-6000，色度：< APHA75，固体分/ % : 100。丁二烯-苯乙 烯共聚物购买自东莞市胜浩塑胶原料有限公司，牌号为SL-803G，分子量为24.9*104。在本 发明中，稀土钇铝石榴石荧光材料(Y 3Al5〇12:Ce3+)购买自深圳市欧百特科技有限公司，其激 发和发射光谱如附图1，其中，曲线1为波长为300纳米紫外光激发下的发射光谱，曲线2为波 长为350纳米蓝紫光激发下的发射光谱，曲线3为波长为550纳米的黄光所对应的激发光谱； (Sr，Ba，Ca) A1 SiN3: Eu2+氮化物荧光材料和(Sr，Ba，Ca )2Si5N8: Eu2+氮化物荧光材料均购买自 有研稀土新材料股份有限公司，（Sr，Ba，Ca)AlSiN3:Eu 2+氮化物荧光材料的激发和发射光谱 如附图2，（Sr，Ba，Ca)2Si5N 8: Eu2+氮化物荧光材料的激发和发射光谱如附图3。CaS:Eu2+荧光 材料购买自河北奥玻集团，其激发和发射光谱如附图4。
[0025]在本发明中，紫外吸收荧光粉颗粒也可以自行制备，具体制备方法参考如下：
[0026]稀土钇铝石榴石荧光材料制备方法：
[0027]将高纯氧化钇(99.99%)、氧化铝（99.99%)、氧化铈（99.99%)按(￥3-<6\从1 5012 化学式称料，再加入一定量的助熔剂，混合约20h，然后用刚玉坩埚盛装，在高温箱式炉内灼 烧3h，经破碎、过筛，最后放入N2-H2还原炉内在1300°C条件下还原3h，即得所需样品.按摩 尔计，X 取值为 〇 · 06 时，Y2〇3，Al2〇3 和 Ce02 比为 147:250:6。
[0028] CaS:Eu2+荧光材料的制备方法：
[0029] 按照化学式计量比为Cai-XS: xEu2+称取原料CaS〇4，Eu203，加入一定的助熔剂，混合 后充分研磨并干燥，然后加入刚玉坩埚内，再放入管式炉内，在N2/H2还原气氛下1050°C条件 下还原lOOmin，即得到所需样品，按摩尔比，X取值为0.002时，CaS〇4和Eu2〇3的比为998:1。
[0030] (Sr，Ba，Ca) A1S i N3: Eu2+氮化物荧光材料的制备方法：
[0031] 按照化学式计量比，在空气中称量A1N和Si3N4,在Ar气保护的手套箱中称量Ca 3N2 和EuN。将称量好的原料在手套箱中混合均匀，转移到钼坩埚内，在H2/N2混合气氛下，于800 °〇管式炉中进行低温焙烧2h，然后在N 2气氛下，于1600°C烧结5h，冷却后球磨过筛而成所需 样品，按摩尔计，A1N，Si3N4，Ca 3N2和EuN的比为300:100:100:1。
[0032] (Sr，Ba，Ca) 2Si5N8: Eu2+氮化物荧光材料的制备方法：
[0033]以 a-Si3N4(UBE，E-10)、Sr2C〇3(阿拉丁，99·95%)和Eu203(国药集团， 99·99%)为原 料，以C粉(阿拉丁，99.95%)为主要还原剂，采用碳热还原氮化法合成5^51心伽2+焚光粉。 将各组分按化学式Sr 2-xSi5N8:xEu2+(0.015 < X < 0.2)分别进行称量，其中C添加量(nc)与 Si3N4添加量(nSi3N4)的比在nc/nSi3N4 = 7.5/5~15/5范围内调节，在一定范围内引入过量 Sr2⑶3(过量0~0.2)。在氮化娃陶瓷研钵中充分研磨所称量的粉体，混合均勾后装入钼i甘 埚，然后置于管式炉中，在N 2-H2(10%)混合气氛条件下，升温至1600°C保温反应3h，经冷却、 研磨后即得产物。可选择n c/nSi3N4 = 9/5，x = 0.02，按摩尔比，a-Si3N4，Sr2C〇3和Eu2〇3的比为 200:99:1〇
[0034] 测试仪器为林上科技有限公司的LS103A光学透过率测量仪。
[0035] 本发明的高采光抗紫外转光型阳光板，包括:上板面5和与所述上板面平行的下板 面4,所述上板面和下板面之间均布有横向挡板2、纵向挡板3和上面敞口的正六棱锥1，横向 挡板和纵向挡板均与上板面垂直，正六棱锥的上端固装在上面板的下面，任意所述横向挡 板和纵向挡板的交线均为相对应的正六棱锥的高线，任意所述正六棱锥的上面的边与其相 邻的正六棱锥的上面的相对应的边重合。其中，上板面至下板面的距离为1.2厘米，正六棱 锥、横向挡板、纵向挡板、上板面和下板面的厚度均为150微米。所述上板面、下板面、正六棱 锥、横向挡板和纵向挡板均由树脂和紫外吸收荧光粉颗粒制成，且紫外吸收荧光粉颗粒均 匀分布在树脂内。
[0036]高采光抗紫外转光型阳光板的制作方法:将树脂在300°C熔融，