1.一种荧光金刚石，其以1×1014/cm3以上的浓度包含mv中心(m为金属或半金属，v表示空位)。
2.根据权利要求1所述的荧光金刚石，其满足下述(i)～(iii)中的至少1者：
(i)导入的空位数与金属或半金属的原子数之比(v数/m数)为0.1～10000；
(ii)含有0.0001～1原子％的金属或半金属(m)；
(iii)nv中心的浓度为1×1017/cm3以下。
3.根据权利要求1或2所述的荧光金刚石，其中，
金属或半金属元素为si、ge或sn。
4.根据权利要求1或2所述的荧光金刚石，其中，
半金属元素为si。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光金刚石，其含有构成mv中心的金属或半金属元素以外的金属或半金属元素。
6.根据权利要求5所述的光金刚石，其中，
所述构成mv中心的金属或半金属元素以外的金属或半金属元素为fe、co或ni。
7.权利要求1～6中任一项所述的荧光金刚石的制造方法，该方法包括下述的第1阶段及第2阶段：
第1阶段，在金刚石的合成过程中导入浓度适当的金属或半金属(m)，提供含有金属或半金属(m)的金刚石；
第2阶段，对含有金属或半金属(m)的金刚石照射高能量射线，形成空位，接着进行退火，形成发出荧光的mv中心。
8.根据权利要求7所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
所述高能量射线为he或h的离子束或电子束。
9.根据权利要求7所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
在所述第1阶段中，存在构成mv中心的金属或半金属元素以外的金属或半金属。
10.根据权利要求9所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
所述构成mv中心的金属或半金属元素以外的金属或半金属为fe、co或ni。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
第1阶段的金刚石合成的方法为化学气相合成法(cvd法)。
12.根据权利要求7～10中任一项所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
第1阶段的金刚石合成的方法为爆轰法。
13.根据权利要求7～10中任一项所述的荧光金刚石的制造方法，其中，
第1阶段的金刚石合成的方法为内爆法。