油墨组合物、发光装置及制造发光装置的方法与流程

油墨组合物、发光装置及制造发光装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月29日提交的韩国专利申请第10-2020-0186766号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用在此并入，如同在本文中充分陈述。
技术领域
3.本发明的实施方式通常涉及油墨组合物，更具体地，涉及发光装置和制造发光装置的方法。


背景技术：

4.发光装置将电能转换为光能。这类发光装置的实例包括其中发光材料为有机材料的有机发光装置，以及其中发光材料为量子点的量子点发光装置。
5.发光装置可具有其中第一电极、空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成的结构。从第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子可穿过电子传输区朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。
6.该背景技术章节中公开的上述信息仅仅用于本发明构思的背景技术的理解，因此其可含有不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.根据本发明的阐释性实现方式制备的组合物、构造的发光装置和/或方法能够提供油墨组合物、发光装置和制造发光装置的方法的一个或多个实施方式。
8.本发明构思的另外特征将在下面的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而了解到。
9.根据本发明的一个方面，油墨组合物包括：溶剂；和基本上分散于溶剂中且具有式1的电子传输材料，其中油墨组合物具有约0.1至约0.2的奥内佐格数：
10.式1
11.[ar1]
b1-[(l1)
a1-r1]
c1
[0012]
其中变量在本文中定义。
[0013]
发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层，并且包括在夹层中的多个层中的至少一个通过使用如上所述的油墨组合物形成。
[0014]
制造发光装置的方法，该发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层、在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，该方法包括以下：
[0015]
步骤(a)在第一电极上形成空穴传输区，
[0016]
步骤(b)在空穴传输区上形成发射层，以及
[0017]
步骤(c)在发射层上形成电子传输区，其中步骤(a)至步骤(c)中的至少一个包括使用如上所述的油墨组合物的溶液工艺步骤。
[0018]
应当理解，前述的一般性描述和下述的详细描述都是阐释性和解释性的，并且旨在提供如所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
[0019]
为提供本发明的进一步理解而包括的以及并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的所附附图，阐释了本发明的阐释性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
[0020]
图1显示发光装置的实施方式的示意性截面图。
[0021]
图2为包括发光装置的发光设备的实施方式的示意性截面图。
[0022]
图3为包括发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性截面图。
[0023]
图4为显示实施例1的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。
[0024]
图5为显示实施例2的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。
[0025]
图6为显示比较制备例1的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。
[0026]
图7为显示比较制备例2的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。
具体实施方式
[0027]
在下述描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。本文使用的“实施方式”和“实现方式”是可互换的词语，它们是采用本文公开的一个或多个本发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种实施方式可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实践。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地混淆各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，一个实施方式的具体形状、配置和特征可以在另一个实施方式中使用或实现。
[0028]
除非另外指出，否则阐释的实施方式应理解为提供改变在实践中可实施本发明构思的一些方式的细节的示例性特征。所以，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。
[0029]
在附图中大体上提供交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近元件之间的边界。正因如此，除非指出，否则交叉影线或阴影的存在或缺少都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、维度、比例、阐释的元件之间的共性，和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏爱或要求。进一步，在附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实施实施方式时，可与描述的顺序不同地进行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
[0030]
当元件，比如层，被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一个元件或层时，其可直接在另一个元件或层上、直接连接至或联接至另一个元件或层，或可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一个元件或层“上”、“直接连接至”或“直
接联接至”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如，x轴、y轴和z轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可解释为仅仅x、仅仅y、仅仅z，或x、y和z中的两个或更多个的任何组合，比如，例如，xyz、xyy、yz和zz。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。
[0031]
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。
[0032]
空间相对术语，比如，“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中用于描述性目的，并且从而用于描述图中阐释的一个元件与另一个元件(多个元件)的关系。除了图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用中、操作中和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将图中的设备翻转，则描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件将随之定向在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。进一步，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处在其他定向)，并且，正因如此，相应地解释本文使用的空间相对描述符。
[0033]
本文使用的术语用于描述具体的实施方式的目的，并且不旨在为限制性的。如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。而且，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。如本文使用的术语“由
…
组成”指的是仅存在相应的组件，同时排除添加其他组件的可能性。例如，措辞“由a、b和c组成”指的是仅存在a、b和c。还应注意，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语，用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且，正因如此，用于说明本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
[0034]
本文参考作为理想的实施方式和/或中间结构的示意性阐释的截面阐释和/或分解阐释，描述了各种实施方式。正因如此，应预料到，例如，由于制造技术和/或公差造成的与阐释的形状的变化。因此，本文公开的实施方式不应必须解释为限于区域的具体阐释的形状，而是解释为包括由于，例如，制造造成的形状的偏差。如此，图中阐释的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并且正因如此，不必旨在为限制性的。
[0035]
除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，比如在常用词典中限定的那些，应解释为具有的含义与它们在相关领域的上下文中的含义一致，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
[0036]
油墨组合物
[0037]
根据实施方式的油墨组合物可包括溶剂和分散于溶剂中且由式1表示的电子传输
材料，并且可具有0.1至0.2的奥内佐格数：
[0038]
式1
[0039]
[ar1]
b1-[(l1)
a1-r1]
c1
。
[0040]
将参考下面描述来更详细地描述电子传输材料。
[0041]
就此而言，奥内佐格数为由油墨组合物的表面张力和粘度之间的关系组成的值，并且可由下面的方程式1表达。
[0042]
方程式1
[0043]
oh＝η/(dρσ)
1/2
[0044]
在方程式1中，oh为奥内佐格数，
[0045]
d为喷墨喷嘴的直径(微米(μm))，以及
[0046]
η、ρ和σ分别为油墨组合物的粘度，单位为厘泊(cp)；密度，单位为克每立方厘米(g/cm3)；和表面张力，单位为达因每厘米(达因/cm)。
[0047]
通常，即使当油墨组合物中颗粒的重量百分比(重量％或wt％)、溶剂的沸点、油墨组合物的表面张力和粘度都考虑到时，有时也会发生喷射失败。
[0048]
在约0.1至约0.2的奥内佐格数条件下，油墨组合物可被适当地喷射。当油墨组合物具有小于约0.1或大于约0.2的奥内佐格数时，油墨组合物可不被喷射。在实施方式中，油墨组合物的表面张力可为约20达因/cm至约50达因/cm。在实施方式中，油墨组合物在25℃的温度下的粘度可为约1cp至约12cp。在实施方式中，油墨组合物的密度可为约0.8g/cm3至约2.0g/cm3。
[0049]
在实施方式中，溶剂可为包括具有两个或更多个碳原子的醇类溶剂的形式的醇部分的溶剂、包括醚类溶剂的形式的醚部分的溶剂、芳族溶剂或其任何组合。例如，溶剂可包括醚类溶剂或者醚类溶剂和其他溶剂的混合物。
[0050]
在实施方式中，溶剂可具有约150℃至约350℃、约170℃至约320℃或者约200℃至约300℃的沸点，使得油墨液滴稳定地喷射，以防止喷墨印刷头的喷嘴部分中的油墨干燥。
[0051]
例如，溶剂可包括环己基苯(沸点为约240℃)、1,3-二丙氧基苯(沸点为约251℃)、4-甲氧基苯甲醛-二甲基-缩醛(沸点为约253℃)、4,4'-二氟二苯基甲烷(沸点为约258℃)、二苯基醚(沸点为约259℃)、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯(沸点为约264℃)、2-苯氧基甲苯(沸点为约265℃)、二苯基甲烷(沸点为约265℃)、2-苯基吡啶(沸点为约268℃)、二甲基苄基醚(沸点为约270℃)、3-苯氧基甲苯(沸点为约272℃)、3-苯基吡啶(沸点为约272℃)、2-苯基茴香醚(沸点为约274℃)、2-苯氧基四氢吡喃(沸点为约275℃)、1-丙基-4-苯基苯(沸点为约280℃)、2-苯氧基-1,4-二甲基苯(沸点为约280℃)、乙基-2-萘基-醚(沸点为约282℃)、十二烷基苯(沸点为约290℃)、2,2,5-三甲基二苯基醚(沸点为约290℃)、二苄基-醚(沸点为约295℃)、2,3,5-三甲基二苯基醚(沸点为约295℃)、n-甲基二苯基胺(沸点为约297℃)、4-异丙基联苯(沸点为约298℃)、α,α-二氯二苯基甲烷(沸点为约305℃)、4-(3-苯基丙基)吡啶(沸点为约322℃)、苯甲酸苄酯(沸点为约324℃)、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷(沸点为约333℃)、二甘醇丁基甲基醚(degbme)、二甘醇单甲基醚(degme)、二甘醇乙基甲基醚(degeme)、二甘醇二丁基醚(degdbe)、丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)、三甘醇单甲基醚(tgme)、二甘醇单丁基醚(dgbe)或其组合。
[0052]
例如，溶剂可包括环己基苯、丙二醇甲醚乙酸酯、三甘醇单甲基醚、二甘醇单丁基
醚或其组合。
[0053]
如上所述，电子传输材料可由式1表示：
[0054]
式1
[0055]
[ar1]
b1-[(l1)
a1-r1]
c1
。
[0056]
式1中的ar1和l1可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0057]
未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10
取代的c
1-c
60
杂环基在本文定义。
[0058]
例如，ar1可为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的芴基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的二苯并噻吩基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的苯基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的苯并芴基，或者未被取代的或至少一个r
10a
取代的二苯并吖啶基。
[0059]
在式1中，a1可为0、1、2、3、4或5，且b1可为1、2或3。
[0060]
变量a1指示由l1表示的基团的数量，当a1为0时，(l1)
a1
可为单键，且当a1为2或更大时，两个或更多个l1可彼此相同或不同。b1指示由ar1表示的基团的数量，且当b1为2或更大时，两个或更多个ar1可彼此相同或不同。
[0061]
式1中的r1可为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q1)(q2)(q3)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0062]
例如，r1可为被-p(＝o)(q
31
)(q
32
)取代的c
3-c
60
碳环基、被-p(＝o)(q
31
)(q
32
)取代的c
1-c
60
杂环基或者-p(＝o)(q1)(q2)。
[0063]
在式1中，c1可为1、2、3、4或5。
[0064]
变量c1指示由(l1)
a1-r1表示的基团的数量，且当c1为2或更大时，两个或更多个(l1)
a1-r1可彼此相同或不同。
[0065]
在式1中，i)ar1、l1和r1中的至少一个可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团，或者
[0066]
ii)ar1、l1和r1中的至少一个可为被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且至少一个r
10a
可为-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0067]
在实施方式中，电子传输材料可包括至少一个氧化膦(-p(＝o))部分。在实施方式中，电子传输材料可包括至少一个二苯基氧化膦基团。
[0068]
在实施方式中，电子传输材料可为选自化合物1至7中的至少一种：
[0069][0070]
当电子传输材料满足上面条件时，包括电子传输材料的油墨组合物可具有在上述范围内的奥内佐格数，可获得优异的喷射特性。
[0071]
例如，电子传输材料的汉森溶解度参数中的δp和δh值可满足下述条件：
[0072]
条件1
[0073]
δp≥5mpa
0.5
[0074]
条件2
[0075]
δh≥5mpa
0.5
。
[0076]
汉森溶解度参数为分成三个分量δd、δp和δh，并且在三维空间中呈现的溶解度参数。希尔德布兰德(hildebrand)引入了溶解度参数。δd表示由非极性相互作用产生的影响，δp表示由偶极-偶极相互作用产生的影响，且δh表示由氢键结合力产生的影响。每种单体的汉森溶解度参数数值描述于，例如，charles m.hansen编写并由crc出版社出版的“汉森溶解度参数：用户手册”(2007)，并且未描述的单体的汉森溶解度参数数值可通过使用www.hansen-solubility.com的计算机软件(汉森三维溶解度参数(hspip))来评估。
[0077]
当溶剂具有在上述范围内的汉森溶解度参数时，可以最小化对使用包含溶剂的油墨组合物形成的层下方的层的损坏。在实施方式中，油墨组合物可进一步包括无机纳米颗粒，无机纳米颗粒为具有约20nm或更小的直径的量子点或金属氧化物。例如，油墨组合物可由溶剂、电子传输材料和无机纳米颗粒组成。
[0078]
在实施方式中，基于油墨组合物的总重，无机纳米颗粒的量可为约10wt％或更少。在实施方式中，基于油墨组合物的总重，无机纳米颗粒的量可小于约10wt％。
[0079]
在实施方式中，基于油墨组合物的总重，无机纳米颗粒的量可为约0.01wt％至约10wt％。在实施方式中，基于油墨组合物的总重，无机纳米颗粒的量可为约0.05wt％至约10wt％。在实施方式中，基于油墨组合物的总重，无机纳米颗粒的量可为约0.1wt％至约10wt％。
[0080]
量子点的直径可在例如约1纳米(nm)至约10nm的范围内。量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或者与其类似的任何工艺来合成。根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂天然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
[0081]
量子点可包括第ii-vi族的半导体化合物，第iii-v族的半导体化合物，第iii-vi族的半导体化合物，第i-iii-vi族的半导体化合物，第iv-vi族的半导体化合物，第iv族的元素或化合物；或者其任何组合。
[0082]
第ii-vi族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其任何组合。
[0083]
第iii-v族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb等；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb等；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb等；或其任何组合。第iii-v族的半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族的半导体化合物的实例为inznp、ingaznp、inalznp等。
[0084]
第iii-vi族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，比如ingas3或ingase3；或其任何组合。第i-iii-vi的半导体化合物的实例为三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或其任何组合。
[0085]
第iv-vi族的半导体化合物的实例为二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte等；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte等；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste等；或其任何组合。第iv族的元素或化合物可包括单元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其任何组合。
[0086]
多元化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包含的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施方式中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0087]
量子点的壳可充当保护层来防止核的化学变性以保持半导体特性和/或充当充电层来赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有壳中存在的元素朝向核的中心减小的浓度梯度。
[0088]
量子点的壳的实例可为金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物或其任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例为二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其任何组合。半导体化合物的实例为如本文描述的第ii-vi族的半导体化合物；第iii-v族的半导体化合物；第iii-vi族的半导体化合物；第i-iii-vi族的半导体化合物；第iv-vi族的半导体化合物；或其任何组合。另外，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任何组合。在实施方式中，量子点可包括inp、gap、ingap、znse、zns、znsete或其任何组合。
[0089]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加色纯度或色域。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
[0090]
另外，量子点可为大致球形的纳米颗粒、大致锥体的纳米颗粒、大致多臂的纳米颗粒、大致立方体的纳米颗粒、大致纳米管形状的颗粒；以及可为大致纳米线形状、大致纳米纤维形状或大致纳米板形状。
[0091]
因为能带隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以具有各种波长带的光可获自量子点发射层。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过组合各种颜色的光来发射白光。
[0092]
例如，金属氧化物的直径可小于或等于约20nm。例如，金属氧化物的直径可为约0.1nm至约20nm。例如，金属氧化物的直径可为约1nm至约20nm。在实施方式中，金属氧化物可为碱金属氧化物、含碱土金属氧化物、含稀土金属氧化物、过渡金属氧化物或其任何组合。
[0093]
在实施方式中，金属氧化物可包括铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、铁(fe)、锌(zn)、铝(al)、镓(ga)、铟(in)、硅(si)、锗(ge)、锡(sn)、铜(cu)或其任何组合。例如，金属氧化物可为zno、tio2、wo3、moo3、掺杂有mg的zno、掺杂有mg的tio2、掺杂有mg的wo3、掺杂有mg的moo3或其任何组合。
[0094]
发光装置
[0095]
根据实施方式的发光装置包括：第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层，并且包括在夹层中的多个层中的至少一个可使用油墨组合物形成。
[0096]
图1的描述
[0097]
图1显示发光装置的实施方式的示意性截面图。
[0098]
发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150，并且夹层130包括发射层133。
[0099]
在实施方式中，发射层133可使用油墨组合物形成。就此而言，油墨组合物可包括量子点。量子点可与上文所述的相同。在实施方式中，夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层133之间的空穴传输区131以及在发射层133和第二电极150之间的电子传输区135。
[0100]
在实施方式中，空穴传输区131可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射辅助层、电子阻挡层(ebl)或其任何组合。电子传输区135可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0101]
包括在空穴传输区131和电子传输区135中的多个层中的至少一个层可使用油墨组合物形成。例如，直接接触发射层133的层可使用油墨组合物形成。例如，电子传输区135可包括位于发射层133上的电子传输层，并且电子传输层可使用油墨组合物形成。下文，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0102]
第一电极110
[0103]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合。
[0104]
第一电极110可通过例如在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于注入空穴的高功函材料。
[0105]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或任何其组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或任何其组合可用作用于形成第一电极110的材料。第一电极110可具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层状结构。
[0106]
夹层130
[0107]
夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层133。夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层133之间的空穴传输区131以及在发射层133和第二电极150之间的电子传输区135。
[0108]
除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。在一个或多个实施方式中，夹层130可包括i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)在两个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0109]
夹层130中的空穴传输区131
[0110]
空穴传输区131可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。空穴传输区131可包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射辅助层、电子阻挡层(ebl)或其任何组合。
[0111]
例如，空穴传输区131可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，各层从第一电极110依次堆叠。空穴传输区131可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0112]
式201
[0113][0114]
式202
[0115][0116]
其中，在式201和式202中，
[0117]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0118]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基，或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0119]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0120]
xa5可为选自1至10的整数，
[0121]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0122]r201
和r
202
可任选地经由单键、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基，或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0123]r203
和r
204
可任选地经由单键、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基，或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0124]
na1可为选自1至4的整数。
[0125]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0126][0127]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
与参考r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0128]
在实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0129]
在一个或多个实施方式中，式201中的xa1为1，r
201
为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0130]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团
[0131]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0132]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0133]
在实施方式中，空穴传输区131可包括化合物ht1至ht46中的一种、4,4',4
”‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)、1-n,1-n-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-n,4-n-二苯基苯-1,4-二胺(tdata)、4,4',4
”‑
三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-tnata)、双(1-萘基)-n,n'-双(苯基)联苯胺(npb或npd)、n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(β-npb)、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基联苯胺(tpd)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-tpd)、n2,n7-二-1-萘基-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺(螺-npb)、n,n
′‑
二(1-萘基)-n,n
′‑
二苯基-2,2
’‑
二甲基-(1,1
′‑
联苯基)-4,4
′‑
二胺(甲基化的npb)、4,4
′‑
亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、n,n,n
′
,n
′‑
四(3-甲基苯基)-3,3
′‑
二甲基联苯胺(hmtpd)、4,4',4"-三(n-咔唑基)
三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或其任何组合：
[0134]
[0135]
[0136]
[0137]
[0138][0139]
空穴传输区131的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区131包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区131、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得满意的空穴传输特性。
[0140]
发射辅助层可通过根据由发射层133发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区135的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上所述的材料。
[0141]
p-掺杂剂
[0142]
除了这些材料之外，空穴传输区131可进一步包括用于改善传导性质的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀或非均匀分散于空穴传输区131中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。电荷生成材料可为例如p-掺杂剂。在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为约-3.5ev或更小。
[0143]
在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任何组合。醌衍生物的实例为四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)等。含氰基化合物的实例为1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯基-六甲腈(hat-cn)和由下面的式221表示的化合物。
[0144][0145]
式221
[0146][0147]
在式221中，
[0148]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，以及
[0149]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任何组合。
[0150]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其组合。
[0151]
金属的实例为碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；和镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0152]
准金属的实例为硅(si)、锑(sb)和碲(te)。非金属的实例为氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。在实施方式中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
[0153]
金属氧化物的实例为钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，
vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。金属卤化物的实例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0154]
碱金属卤化物的实例为lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。碱土金属卤化物的实例为bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0155]
过渡金属卤化物的实例为钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0156]
后过渡金属卤化物的实例为锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。镧系金属卤化物的实例为ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。准金属卤化物的实例为锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0157]
金属碲化物的实例为碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0158]
夹层130中的发射层133
[0159]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层133可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层133可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。发射层133可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。
[0160]
基于100重量份的主体，发射层133中的掺杂剂的量可为约0.01至约15重量份。在一个或多个实施方式中，发射层133可包括量子点。发射层133可包括延迟荧光材料。延迟荧
光材料可充当发射层133中的主体或掺杂剂。
[0161]
发射层的厚度133可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度133在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得优异的光发射特性。
[0162]
主体
[0163]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由下面的式301表示的化合物：
[0164]
式301
[0165]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
。
[0166]
在式301中，
[0167]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0168]
xb11可为1、2或3，
[0169]
xb1可为选自0至5的整数，
[0170]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0171]
xb21可为选自1至5的整数，以及
[0172]q301
至q
303
与参考q1描述的相同。
[0173]
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0174]
在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0175]
式301-1
[0176][0177]
式301-2
[0178]
[0179]
在式301-1和式301-2中，
[0180]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0181]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0182]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0183]
l
301
、xb1和r
301
与本文描述的相同，
[0184]
l
302
至l
304
可各自独立地与参考l
301
描述的相同，
[0185]
xb2至xb4可各自独立地与参考xb1描述的相同，以及
[0186]r302
至r
305
和r
311
至r
314
与参考r
301
描述的相同。
[0187]
在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。在实施方式中，主体可包括be复合物(例如，化合物h55)、mg复合物、zn复合物或其任何组合。
[0188]
在实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
′‑
双(n-咔唑基)-1,1
′‑
联苯(cbp)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、3,3-二(9h-咔唑-9-基)联苯(mcbp)或其任何组合：
[0189]
[0190]
[0191]
[0192]
[0193]
[0194][0195]
磷光掺杂剂
[0196]
在实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。磷光掺杂剂可为电中性的。
[0197]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0198]
式401
[0199]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
。
[0200]
在式401中，
[0201]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0202]
l
401
可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0203]
l
402
可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0204]
式402
[0205][0206]
在式402中，
[0207]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0208]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0209]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0210]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0211]q411
至q
414
与参考q1描述的相同，
[0212]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0213]q401
至q
403
与参考q1描述的相同，
[0214]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，以及
[0215]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0216]
例如，在式402中，i)x
401
为氮，且x
402
为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个为氮。
[0217]
在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由t
402
(其为连接基团)彼此连接，并且两个环a
402
可任选地经由t
403
(其为连接基团)彼此连接(见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
与参考t
401
描述的相同。
[0218]
式401中的变量l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮化物基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-c(＝o)基、异腈基、-cn基、含磷基团(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。
[0219]
磷光掺杂剂可包括例如化合物pd1至pd25中的一种，或其任何组合：
[0220][0221]
荧光掺杂剂
[0222]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0223]
式501
[0224][0225]
在式501中，
[0226]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0227]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，以及
[0228]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0229]
在实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0230]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0231]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至fd36中的一种；dpvbi；dpavbi；或其任何组合：
[0232]
[0233]
[0234][0235]
延迟荧光材料
[0236]
发射层133可包括延迟荧光材料。如本文使用的，延迟荧光材料可选自能够基于延
迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。包括在发射层133中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层133中的其他材料的类型。
[0237]
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之差可大于或等于约0ev且小于或等于约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之差满足上述范围时，延迟荧光材料的从三重态到单重态的上转换可有效发生，因此，可改善发光装置10的发射效率。
[0238]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一个电子供体(例如，富含π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0239]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括下述化合物df1至df9中的至少一种：
[0240][0241]
量子点
[0242]
在一个或多个实施方式中，发射层133可包括量子点。量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可在例如约1nm至约10nm的范围内。量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或者与其类似的任何工艺来合成。
[0243]
根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生
长时，有机溶剂天然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
[0244]
量子点可包括第ii-vi族的半导体化合物，第iii-v族的半导体化合物，第iii-vi族的半导体化合物，第i-iii-vi族的半导体化合物，第iv-vi族的半导体化合物，第iv族的元素或化合物；或其任何组合。
[0245]
第ii-vi族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其任何组合。
[0246]
第iii-v族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb等；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb等；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb等；或其任何组合。第iii-v族的半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族的半导体化合物的实例为inznp、ingaznp、inalznp等。
[0247]
第iii-vi族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，比如ingas3或ingase3；或其任何组合。
[0248]
第i-iii-vi族的半导体化合物的实例为：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或其任何组合。第iv-vi族的半导体化合物的实例为：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte等；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte等；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste等；或其任何组合。
[0249]
第iv族的元素或化合物可包括单元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其任何组合。多元化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包含的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。
[0250]
量子点可以具有单一结构或核-壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施方式中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0251]
量子点的壳可以充当保护层来防止核的化学退化以保持半导体特性和/或充当充电层来赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有壳中存在的元素朝向核的中心减小的浓度梯度。
[0252]
量子点的壳的实例可为金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物或其任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例为二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其任何组合。半导体化合物的实例为如本文描述的第ii-vi族的半导体化合物；第iii-v族的半导体化合物；第iii-vi族的半导体化合物；第i-iii-vi族的半导
体化合物；第iv-vi族的半导体化合物；或其任何组合。另外，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任何组合。
[0253]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加色纯度或色域。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
[0254]
另外，量子点可为大致球形的纳米颗粒、大致锥体的纳米颗粒或其他颗粒形状，并且可如上所述调节能带隙。
[0255]
夹层130中的电子传输区135
[0256]
电子传输区135可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。电子传输区135可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0257]
在实施方式中，电子传输区135可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每个结构，构成层从发射层133依次堆叠。
[0258]
电子传输区135可通过油墨组合物形成。在实施方式中，电子传输区135(例如，电子传输区135中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层(etl))可包括包含至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团的无金属化合物。
[0259]
在实施方式中，电子传输区135可包括由下面的式601表示的化合物：
[0260]
式601
[0261]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0262]
其中，在式601中，
[0263]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0264]
xe11可为1、2或3，
[0265]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0266]r601
可为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0267]q601
至q
603
与参考q1描述的相同，
[0268]
xe21可为1、2、3、4或5，以及
[0269]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未被取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0270]
例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键连接。在实施方式中，式601中的ar
601
可为被取代的或未被取代的蒽基。在实施方式中，电子传输区135可包括由式601-1表示的化合物：
[0271]
式601-1
[0272][0273]
在式601-1中，
[0274]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0275]
l
611
至l
613
与参考l
601
描述的相同，
[0276]
xe611至xe613与参考xe1描述的相同，
[0277]r611
至r
613
与参考r
601
描述的相同，以及
[0278]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基，或者未被取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0279]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0280]
电子传输区135可包括化合物et1至et45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、三-(8-羟基喹啉)铝(alq3)、双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(tspo1)或其任何组合：
[0281]
[0282]
[0283][0284]
电子传输区135的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区135包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得满意的电子传输特性。
[0285]
除了上述材料之外，电子传输区135(例如，电子传输区135中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0286]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0287]
例如，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括例如化合物et-d1(8-羟基喹啉锂，liq)或et-d2：
[0288]
[0289]
电子传输区135可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0290]
电子注入层可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0291]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。
[0292]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0293]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任何组合。
[0294]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物比如li2o、cs2o或k2o，碱金属卤化物比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki，或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例为late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0295]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0296]
电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合组成。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0297]
在实施方式中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层等。
[0298]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
[0299]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在驱动电压没有显著增加的情况下具有满意的电子注入特性。
[0300]
第二电极150
[0301]
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合。
[0302]
在实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0303]
封盖层
[0304]
第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0305]
发光装置10的夹层130的发射层133中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧提取，或者发光装置10的夹层130的发射层133中生成的光可通过第二电极110(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧提取。
[0306]
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发射效率。因此，增加发光装置10的光提取效率，以便可改善发光装置10的发射效率。
[0307]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率(在589nm)为约1.6或更大的材料。
[0308]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或者包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0309]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0310]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0311]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种、化合物cp1至cp6中的一种、β-npb或其任何组合：
[0312][0313][0314]
电子设备
[0315]
发光装置可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。
[0316]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与如上所述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为例如如本文描述的量子点。
[0317]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。
[0318]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0319]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括
量子点。详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0320]
在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一-颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一-颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一-颜色光。就此而言，第一第一-颜色光、第二第一-颜色光和第三第一-颜色光可具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可为蓝光，第一第一-颜色光可为红光，第二第一-颜色光可为绿光，并且第三第一-颜色光可为蓝光。
[0321]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任何一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
[0322]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可置于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时防止环境空气和湿气渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0323]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为例如通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0324]
电子设备可采用或应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照片机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。
[0325]
图2和图3的描述
[0326]
图2为包括发光装置的发光设备的实施方式的示意性截面图。
[0327]
图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0328]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透穿过基板100并且可在基板100上提供基本上平坦的表面。
[0329]
tft可位于缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0330]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，以及置于栅电极240和漏电极270
之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0331]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0332]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0333]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0334]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，以公共层的形式定位。
[0335]
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯，聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(age)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0336]
图3为包括发光装置的发光设备的另一实施方式的示意性截面图。
[0337]
图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0338]
制造发光装置的方法
[0339]
制造根据实施方式的发光装置的方法包括(a)在第一电极上形成空穴传输区；(b)在空穴传输区上形成发射层；和(c)在发射层上形成电子传输区，其中(a)至(c)中的至少一个包括使用油墨组合物的溶液工艺步骤。
[0340]
在制造根据实施方式的发光装置的方法中，(a)包括使用油墨组合物的溶液工艺，并且油墨组合物可进一步包括金属氧化物。在制造根据实施方式的发光装置的方法中，(b)包括使用油墨组合物的溶液工艺，并且油墨组合物可进一步包括量子点。
[0341]
在制造根据实施方式的发光装置的方法中，(c)包括使用油墨组合物的溶液工艺，并且油墨组合物可进一步包括金属氧化物。在实施方式中，溶液工艺步骤可使用喷墨印刷方法进行。作为喷墨印刷方法中使用的喷墨印刷机，可使用已知的喷墨印刷机。
[0342]
由于通过使用油墨组合物形成包括在发光装置中的空穴传输区、发射层和电子传输区中的至少一个层，因此可高效制造具有高质量的大面积发光装置。
[0343]
除了使用利用油墨组合物的溶液工艺形成的层之外，空穴传输区、发射层和电子传输区的多个层中包括的每个层可通过各种方法，比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗
基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(liti)形成于特定区域中。
[0344]
当构成空穴传输区131的层、发射层133和构成电子传输区135的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构。
[0345]
术语的定义
[0346]
如本文使用的术语“第i族”可包括iupac周期表上的第ib族元素，并且第i族元素可包括，例如，铜(cu)、银(ag)和金(au)等。
[0347]
如本文使用的术语“第ii族”可包括iupac周期表上的第iia族元素和第iib元素，并且第ii族元素包括，例如，镁(mg)、钙(ca)、锌(zn)、镉(cd)和汞(hg)。
[0348]
如本文使用的术语“第iii族”可包括iupac周期表上的第iiia族元素和第iiib族元素，并且第iii族元素可包括，例如，铝(al)、镓(ga)、铟(in)和铊(tl)。
[0349]
如本文使用的术语“第iv族”可包括iupac周期表上的第iva族元素和第ivb族元素，并且第iv族元素包括，例如，碳(c)、硅(si)、锗(ge)、锡(sn)和铅(pb)。
[0350]
如本文使用的术语“第v族”可包括iupac周期表上的第va族元素和第vb元素，并且第v族元素可包括，例如，氮(n)、磷(p)、砷(as)和锑(sb)。
[0351]
如本文使用的术语“第vi族”可包括iupac周期表上的第via族元素和第vib族元素，并且第vi族元素可包括，例如，硫(s)、硒(se)和碲(te)。
[0352]
如本文使用的术语“夹层”指发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有层。包括在“夹层”中的材料不限于有机材料。
[0353]
如本文使用的，量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0354]
如本文使用的，术语“原子”可意味着与一个或多个其他原子键合的元素或其相应的自由基。
[0355]
术语“氢”和“氘”指它们各自的原子和相应的自由基，并且术语
“‑
f、-cl、-br和-i”分别为氟、氯、溴和碘的自由基。
[0356]
如本文使用的，单价基团例如烷基的取代基也可独立地为相应的二价基团例如亚烷基的取代基。
[0357]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子且除碳原子以外进一步具有杂原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基的成环原子的数量可为3至61。
[0358]
如本文使用的“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0359]
如本文使用的术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*’作为成环部分的杂环基。
[0360]
例如，c
3-c
60
碳环基可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊
吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，
[0366]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，以及
[0367]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0368]
如本文使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、富含π电子的c
3-c
60
环状基团或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指与任何环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于使用该术语有关的式的结构。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其可通过本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来容易理解。
[0369]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0370]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有对应于c
1-c
60
烷基的结构的二价基团。
[0371]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其实例为乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有对应于c
2-c
60
烯基的结构的二价基团。
[0372]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有对应于c
2-c
60
炔基的结构的二价基团。
[0373]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0374]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，且其实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有对应于c
3-c
10
环烷基的结构的二价基团。
[0375]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烷基的结构的二价基团。
[0376]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指具有3-10个碳原子和在其环中的至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其实例为环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有对应于c
3-c
10
环烯基的结构的二价基团。
[0377]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和在其环结构中的至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有对应于c
1-c
10
杂环烯基的结构的二价基团。
[0378]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0379]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子和1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子和1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0380]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环、仅具有作为成环原子的碳原子，以及在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例为茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。
[0381]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环、至少一个除碳原子之外的杂原子作为成环原子，以及在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。
[0382]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文
使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0383]
如本文使用的q1至q3可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0384]
如本文使用的术语“r
10a”指：
[0385]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0386]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合，
[0387]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合，或者
[0388]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0389]
其中如本文使用的q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0390]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例为o、s、n、p、si、b、ge、se及其任何组合。
[0391]
如本文使用的，术语“ph”指苯基，术语“me”指甲基，术语“et”指乙基，术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且术语“ome”指甲氧基。
[0392]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0393]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0394]
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式中的相邻原子的结合位点。
[0395]
实施例
[0396]
制备例1：油墨a
[0397]
将作为电子传输材料的化合物1(3.5wt％)以及2ml的作为溶剂的其中丙二醇甲醚乙酸酯和三甘醇单甲基醚以5:5的体积比混合的混合溶剂，用于制备油墨组合物。
[0398]
[0399]
制备例2：油墨b
[0400]
以与制备例1相同的方式制备油墨组合物，只是2ml的二甘醇单丁基醚用作溶剂。
[0401]
比较制备例1：油墨c
[0402]
以与制备例1相同的方式制备油墨组合物，只是2ml的三甘醇单丁基醚用作溶剂。
[0403]
比较制备例2：油墨d
[0404]
以与制备例1相同的方式制备油墨组合物，只是2ml的三甘醇单甲基醚用作溶剂并且使用直径为5.5nm的zno纳米颗粒。
[0405]
比较制备例3：油墨e
[0406]
2-甲氧基乙醇、水和wo3纳米颗粒以90:6:4的重量比混合以制备2ml的油墨组合物。
[0407]
比较制备例4：油墨f
[0408]
2-甲氧基乙醇、水和wo3纳米颗粒以95:3:2的重量比混合以制备2ml的油墨组合物。
[0409]
比较制备例5：油墨g
[0410]
1,3-丙二醇、二甘醇醚乙酸酯和zno纳米颗粒以63:34:3的重量比混合以制备2ml的油墨组合物。
[0411]
评估例：喷射特性
[0412]
图4为显示实施例1的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。图5为显示实施例2的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。图6为显示比较制备例1的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。图7为显示比较制备例2的油墨组合物的喷射测试结果的照片结果。
[0413]
制备例1和2以及比较制备例1至5中制备的油墨组合物通过喷墨印刷方法(喷墨印刷机的喷嘴直径：21μm)施加至分隔在拒液基板上的像素，评估每种油墨组合物的奥内佐格数和喷射特性，且其结果示于表1和图4至图7中。所有组合物在基本相同的条件下从同一台喷墨印刷机中喷射。
[0414]
在表1的喷射特性评估项目中，“o”表示油墨组合物被适当喷射，且“x”表示油墨组合物被不适当喷射。
[0415]
表1
[0416][0417]
参考表1，仅适当地喷射了根据实施方式的满足奥内佐格数范围(0.1至0.2)的制备例1和2的油墨组合物，并且在包括其他无机纳米颗粒的其他情况下，当油墨组合物的奥内佐格数在上述范围之外时，喷射可能不适当地发生。
[0418]
另外，参考图4至图7，证实了作为实施方式的油墨组合物的制备例1和2的油墨组合物是在不堵塞油墨头的情况下喷射的，而比较制备例1和2的油墨组合物喷射不能很好地喷射。
[0419]
因为油墨组合物具有适当范围的奥内佐格数，所以包括电子传输材料的油墨组合物可以容易地喷射，并且包括电子传输材料的发光装置(例如，量子点发光装置)可以通过喷墨印刷被容易制造。通过当在发光装置中的发射层上堆叠电子传输层时使用油墨组合物，可防止发射层特性的劣化。
[0420]
通过本发明的示例性实现方式和/或本发明的阐释性方法可以实现的一些优点包括容易喷射的电子传输材料和通过喷墨印刷容易制造的包括电子传输材料的发光装置(例如，量子点发光装置)。
[0421]
尽管本文已经描述了某些实施方式和实现方式，但是其他实施方式和修改从该描述中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附的权利要求的更宽的范围以及将对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置。