专利名称：包装纸材的构造改良的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种包装纸材的构造改良，尤其涉及在一种在运送过程中，用于封存保护LED、半导体及太阳能制程中晶粒半成品的包装纸材，其未使用离型剂且具有防静电产生的纹路结构。
背景技术：
LED制程流程可区分为上游单芯片与磊芯片制造、中游晶粒制造、下游封装测试以及系统组装四层。在上游的单芯片与磊芯片制程中，主要利用砷(As)、镓(( )、磷⑵等 III-V族化合物为材料的单芯片作为结晶成长用的基板，透过磊晶方法制作磊芯片，磊晶方法大致可分为金属有机物化学气相磊晶法(Metal Organic Chemical-Vapor Deposition, MOCVD)、气相磊晶法(Vapor Phase Epitaxt，VPE)或液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)等三种。在中游的晶粒制程中，可依据不同LED组件的需求，透过扩散、金属膜蒸镀、蚀刻、 热处理等制程进行LED磊芯片电极制作，接着磊晶基板磨薄在抛光后，再切割崩裂成多个单颗晶粒，将多个单颗晶粒送往封装前，会将多个单颗晶粒储存于包装纸材之中，以避免晶粒在运送过程中受损及受到污染。下游主要是对LED晶粒进行封装，将晶粒黏于导线架，并经过固晶、固化、打线 (Wire bond)、树脂封胶、烘烤、切割、测试、包装等封装流程，以将晶粒封装成各类型LED， 其中打线是利用金属引线连接晶粒上的电极与导线架上的端子，目前封装后产品的类型有 Lamp、集束型、数字显示、点矩阵型与表面黏着型(Surface Mount Technology，SMD)。参考图1，习知技术的包装纸材的结构示意图。现有技术的专门包装晶粒的包装纸材由底材la、淋膜层3a与离型层fe所组成，其中底材Ia的上方依序形成有淋膜层3a与离型层5a，离型层fe的表面呈平整状，离型层fe的表面可贴附有离型纸7a，在离型层fe与离型纸7a之间还封存有多个晶粒9a，藉以固定多个晶粒9a，同时将晶粒9a与外界隔离，其中多个晶粒9a的贴附于离型层fe的一面具有电极。然而现有技术的缺点在于离型层所具有的硅元素会剥离出来，并附着于多个晶粒的顶面的电极上，导致打线时金属引线无法直接与晶粒接合，必须透过额外的制程才能去除电极上的硅污染物，使晶粒封装成本及封装时间还要再增加，虽也有不使用离型层而直接把晶粒封存于淋膜层与离型纸之间的包装结构，但淋膜层的平整表面会与离型纸会完全密合，必须用力才能从淋膜层上将离型纸撕开，然而在撕开的过程中，淋膜层的平整表面与离型纸的平整纸面会因相互摩擦而产生静电，静电会使得贴附于淋膜层的晶粒受损，影响晶粒的质量，因此必须对晶粒的包装纸材结构加以改良，并提供一种为可防止静电发生及杜绝硅污染的晶粒包装纸材。
实用新型内容本实用新型的主要目的在于提供一种包装纸材的构造改良，本实用新型的包装纸材主要用于晶粒的包装及封存，其中包装纸材本身避免使用到任何会污染晶粒的材质，因此晶粒上的电极不会遭受硅元素的污染，使电极易于与金属引线打线接合，进而提高晶粒封装成功率。本实用新型的另一目的在于提供一种防止静电产生的包装纸材，其中将淋膜层的表面设置成纹路的结构，藉以让离型纸从淋膜层表面撕离时两者相互的摩擦力得以降低， 进而减少静电的发生率及静电值，如此可防止静电的产生导致晶粒受损，使晶粒的封装成功率得以提高。为达上述目的，本实用新型的具体技术手段至少具有一淋膜层及一离型纸，该至少一淋膜层与该离型纸相黏合，其中该淋膜层与该离型纸之间可封存至少一个以上的晶粒，其中该淋膜层相对于该离型纸的一表面形成有一纹路，其中该纹路可以是网格状、网点状或其它适当纹路。由于纹路的设置可减少该淋膜层对该离型纸的接触面积，有易于离型纸从该淋膜层撕离，亦即离型纸与该淋膜层两者的相互的摩擦力会降低，如此静电不易产生且静电值也较小，因而解决现有技术的缺点，且本实用新型的包装纸材也不含离型剂，因此晶粒不会受到硅的覆盖，使晶粒在包装纸材中受到妥善的防护并保持晶粒的干净度，使封装的成功率得以提高。
图1为现有技术的包装纸材的结构示意图。图2为本实用新型的包装纸材的构造改良的结构示意图。图3为本实用新型的包装纸材的构造改良的第一实施例示意图。图4为本实用新型的包装纸材的构造改良的第二实施例示意图。图5为本实用新型的包装纸材的构造改良的第三实施例示意图。
具体实施方式
以下配合图式对本实用新型的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。当晶粒的一面制作出电极后，接着则是对晶粒进行封装，制作出电极的晶粒在送去封装前必须要被妥善的保护，否则在运送过程中晶粒会因碰撞而受损或受到污染，如果伤及或污染电极，将会造电极成无法与金属引线打线，导致晶粒封装良率降低甚至无法完成封装，因此在将晶粒送去封装前，会使用包装纸材保护晶粒，尤其是要保护晶粒具有电极的一面免受污染或损伤，从而提高晶粒封装的成功率。参考图2，本实用新型的包装纸材的构造改良的结构示意图。本实用新型有关一种包装纸材的构造改良，该包装纸材主要用于晶粒的包装及封存，其中包装纸材至少具有一淋膜层1及一离型纸3，该淋膜层1与该离型纸3系相互黏合，其中该淋膜层1与该离型纸 3之间可封存至少一个以上的晶粒5，该淋膜层1的材质系可以是黏胶或其它具有黏性的材质。在第二图的实施例的中，该淋膜层1与该离型纸3之间封存多个晶粒5，所述晶粒 5的一面具有电极(图中未示)，较佳地将所述晶粒5具有电极的一面黏贴于该至少一淋膜层1。上述的晶粒5可以是半导体制程使用的晶粒、或是发光二极管制程使用的晶粒，或是
4一太阳能晶粒或其它类似制程使用晶粒。从以上所述可知，所述晶粒5位于该淋膜层1与该离型纸3之间，该淋膜层1与该离型纸3之间并未包含具有硅元素的离型层(参考图1)，所述晶粒5具有电极的一面只会接触到该至少一淋膜层1或该离型纸3，由于淋膜层1或该离型纸3都不带有任何含硅的元素，由于晶粒5上电极完全不会有硅元素的沉积，如此不会影响到封装制程中电极与金属引线的打线接合(Wire bond)。参考图3，本实用新型的包装纸材的构造改良的第一实施例示意图，参考图4，本实用新型的包装纸材的构造改良的第二实施例示意图。其中该淋膜层1相对于该离型纸3 的一表面形成有一纹路11，纹路11可透过压制及印制方式而成形，该纹路11可以是网格状，网点状或其它具有高低起伏状的适当纹路，该纹路11的设置用来减少该淋膜层1对该离型纸3的接触面积，如此离型纸3会比较容易从该至少一淋膜层1的表面撕离，因此离型纸3被剥离于该淋膜层1时，两者的相互的摩擦力会降低很多，众所周知的是静电的产生及静电值的高低会跟摩擦力的大小有关，当摩擦力降低，静电的产生及静电值也会随着摩擦力降低而减少，因此晶粒可免于突然受到过高的静电电压而使晶粒受到损伤。参考图5，本实用新型的包装纸材的构造改良的第三实施例示意图。该淋膜层1 可形成于底材7的至少一面上，比如是底材7的上表面、下表面或者同时包含上表面及下表面，尤其是底材7的上表面或下表面不平整时，透过该淋膜层1的设置可以填平底材7的不平整处，且淋膜层3也可利用底材7作为基底增加对晶粒5的支撑性，该底材7的材质可以是一聚乙烯(PE)、一聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate，PET)或聚烯烃 (polyolefines, P0)。综上所述，本实用新型的包装纸材主要用于晶粒的包装及封存，其中包装纸材本身避免使用到任何会污染晶粒的材质，如此晶粒及晶粒的电极不会遭受硅元素的污染或净电受损，另外还将淋膜层ι的表面设置成纹路11的结构，因此让离型纸3从淋膜层1表面撕离时两者相互间的摩擦力得以降低，进而减少静电的发生率及静电值，藉以提高晶粒的封装成功率。以上所述仅为用以解释本实用新型的较佳实施例，并非企图据以对本创作做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的创作精神下所作有关本实用新型的任何修饰或变更，皆仍应包括在本实用新型意图保护的范畴。
权利要求1.一种包装纸材的构造改良，其特征在于，该包装纸材用于晶粒的包装及封存，该包装纸材至少具有一淋膜层及一离型纸，该至少一淋膜层与该离型纸相黏合，其中该淋膜层与该离型纸之间可封存至少一个以上的晶粒，其中该淋膜层相对于该离型纸的一表面形成有一纹路。
2.依据如权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，该淋膜层的材质可以是一黏胶。
3.依据如权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，所述晶粒的一面具有电极，所述晶粒的具有电极的一面黏贴于该淋膜层。
4.依据权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，该晶粒可以是一半导体晶粒、一发光二极管晶粒或一太阳能晶粒的至少其中之一。
5.依据权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，该纹路的形成透过压制或印制的方式。
6.依据权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，该纹路可以是一网格状或一网点状。
7.依据权利要求1所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，进一步包含一底材， 该淋膜层可设置于该底材的至少一面上。
8.依据权利要求7所述的晶粒包装纸材的构造改良，其特征在于，该底材的材质为一聚乙烯、一聚对苯二甲酸乙二酯或聚烯烃。
专利摘要一种包装纸材的构造改良，本实用新型的包装纸材主要用于半导体晶粒、LED晶粒及太阳能晶粒的包装及封存，其中包装纸材本身避免使用到任何会污染晶粒的材质，并将淋膜层的表面设置成纹路的结构，因此撕离时的摩擦力得以降低，进而减少静电的发生率及静电值，如此晶粒及晶粒的电极不会遭受硅元素的污染或因静电的产生而受损，使晶粒的封装成功率得以提高。
文档编号B65D85/30GK202163728SQ20112021237
公开日2012年3月14日 申请日期2011年6月22日 优先权日2011年6月22日
发明者彭国焕 申请人:彭国焕