一种真空自吸式涂布成膜机的制作方法

本实用新型涉及半导体封装设备领域，具体涉及一种真空自吸式涂布成膜机。
背景技术：
：近年来，随着CSP(ChipScalePackage，芯片级尺寸封装)工艺的日渐成熟，CSP制程也在不断的优化与改善。CSP一般制程为：固晶，荧光膜成膜，预制B-Stage荧光膜，压合，切割。成膜工艺作为CSP制程的一环，荧光膜成膜质量是CSP灯珠质量和良率的重要考量指标，荧光膜成膜工艺能显著影响CSP在整张膜的的均匀性，CSP灯珠光电色参数的一致性，因此改善成膜工艺是提高产品良率的重要手段。现阶段CSP制膜工艺制程主要采用固定钢板刮刀式成膜的工艺，将定厚定孔的钢板固定在涂布机上，配制好的荧光浆料均匀地预涂在刮棒前，用刮棒将预涂的荧光浆料匀速刮到钢板上，荧光膜成品在钢板的定孔内，这种刮刀成膜方式出的产品不仅厚度均匀性不好、荧光浆料和钢板边缘因边界效应还容易出现气泡，另外不同厚度的产品需要采购不同厚度的钢板，并需清洗钢板，生产效率低。且薄的钢板易变形，影响二次涂布使用，经济效益低。技术实现要素：本实用新型的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种真空自吸式涂布成膜机和荧光胶膜制备方法。为实现上述目的，本实用新型提出的一种真空自吸式涂布成膜机，用于其特征在于：包括：浆料供给装置，所述浆料供给装置用于涂布浆料的混合、加热和脱泡，所述浆料供给装置为密闭腔，包括，进料口，出料口，搅拌部件，抽气孔，与所述抽气孔连接的真空泵和真空计，设置在所述密闭腔内部的加热部件，温度计，所述温度计和加热部件分别与设置在密闭腔外部的温度控制装置连接，对所述浆料进行温度控制，所述搅拌部件通过设置在密闭腔外部的转速控制装置控制所述搅拌部件转速；涂布成膜机平台，在所述涂布成膜机平台上放置PET离型膜，在涂布成膜机平台的上方设置有浆料挤出吸嘴，所述浆料挤出吸嘴与浆料供给装置的出料口连接，在涂布成膜机平台的一端设置有涂布压辊，其中，所述浆料挤出吸嘴固定在三维平动台上，可以在垂直方向和水平方向上运动，所述涂布压辊设置在二维平动台上，可以在涂布成膜机平台上方水平移动涂布压辊的位置，上下移动控制涂布压辊与涂布成膜机平台之间的距离；气氛烘烤箱，所述气氛烧烤箱将经过浆料涂布的PET离型膜进行烘烤，所述气氛烘烤箱的主体为密闭气氛腔体，所述密闭气氛腔体中具有温控加热台，所述温控加热台，用于经过浆料涂布的PET离型膜的烘烤固化。作为优选，所述浆料为导热硅胶和荧光粉，对所述浆料的搅拌和真空脱泡为三段式脱泡，第一段脱泡转速800r/min，第二段脱泡转速1000r/min，第三段脱泡转速800r/min，所述浆料供给装置的压强小于等于5Pa。作为优选，所述第一段脱泡的时间为50-150分钟，第二段脱泡的时间为30-75分钟，第三段脱泡的时间为50-150分钟。作为优选，所述荧光粉的质量百分比为15％～25％。作为优选，所述真空自吸式涂布成膜机，还包括膜厚测量装置，所述膜厚测量装置为激光干涉仪，所述激光干涉仪的激光波长能够被硅胶透过的可见光，并且不会激发荧光粉产生荧光。作为优选，所述烘烤的气氛为氮气，烘烤的温度为60-75℃，烘烤时间为15-35分钟。作为优选，所述真空自吸式涂布成膜机还包括控制装置，所述控制装置控制浆料供给装置内的压强，混合后涂布浆料的温度，搅拌部件的转速，搅拌时间，浆料挤出吸嘴的位置，涂布头压辊与涂布成膜机平台之间的距离，气氛烘烤箱的温度和烘烤的时间。本实用新型还提供了一种用于LED的芯片级封装的荧光膜的制备方法，包括：步骤1）将导热硅胶和荧光粉在密闭腔内进行混合形成涂布浆料，其中，所述荧光粉在涂布浆料中的质量百分比为15％～25％；步骤2）对所述涂布浆料进行搅拌和真空脱泡，所述搅拌和真空脱泡为三段式脱泡，第一段脱泡转速800r/min，第二段脱泡转速1000r/min，第三段脱泡转速800r/min，所述浆料供给装置的压强小于等于5Pa，在搅拌和真空脱泡的同时对浆料进行加热，所述加热的温度为40℃；步骤3）脱泡好的荧光浆料置于具真空自吸搅拌功能的涂布料腔内，持续搅拌抽真空，真空度为5Pa，搅拌速度为800r/min，在涂布成膜机平台提供单层PET离型膜，并用涂布压辊将PET离型膜的一端锁紧；步骤4）调整好涂布压辊与涂布成膜机平台在垂直方向上的距离，调整好浆料挤出吸嘴的水平位置到平台指定的成膜起点，控制料腔挤出吸嘴与PET离型膜上表面的距离，控制挤出荧光浆料压力，速度和时间，横向匀速移动到指定成膜终点，停止挤出浆料，形成一片荧光膜；步骤5）水平移动浆料挤出吸嘴到距离步骤4）所形成的荧光膜边缘外的一定距离，控制挤出荧光浆料压力，速度和时间，横向匀速移动到指定成膜终点，停止挤出浆料，形成一片与步骤4）所形成的荧光膜距有一定距离的尺寸或厚度不同的另一荧光膜；步骤6)将有荧光膜的PET离型膜裁切，得到不同尺寸和厚度的荧光膜；步骤7）将切割好的PET离型膜上形成的荧光膜搬运到气氛烘烤箱，将经过浆料涂布荧光膜的PET离型膜进行烘烤，得到不同厚度的荧光膜。作为优选，所述方法还包括，通过膜厚测量装置测量荧光胶膜的厚度，并根据荧光胶膜的厚度反馈给控制装置调整挤出荧光浆料压力，速度和时间。本实用新型的有益效果如下：本实用新型通过特殊的真空自吸搅拌涂膜工艺，制备了不需使用钢板就能间断定高成膜的荧光膜。本实用新型的荧光膜产品无边界效应带来的气泡、厚度均一性好，且自吸荧光浆料，一次可以成膜不同厚度，不同尺寸的荧光膜，无需开孔钢板，无需清洗钢板，避免荧光浆料和薄钢板弯折的浪费，提高生产效率和经济效益。本实用新型通过膜厚测量装置反馈给控制装置调整挤出荧光浆料压力，速度和时间制备不同厚度的荧光膜。附图说明图1为本实用新型的真空自吸式涂布成膜机的结构示意图，图中：1涂布压辊，2涂布成膜机平台，3PET离型膜；图2为本实用新型的真空自吸式涂布成膜机的浆料挤出吸嘴示意图，图中：4浆料挤出吸嘴；图3为本实用新型的真空自吸式涂布成膜机用于制备LED的芯片级封装的荧光膜的制备方法的示意图，（a）涂布前，（b）涂布后，图中：5浆料；图4为本实用新型制备的不同厚度的LED的芯片级封装的荧光膜。具体实施方式实施例1参见图1和2，一种真空自吸式涂布成膜机，用于其特征在于：包括：浆料供给装置，所述浆料供给装置用于涂布浆料的混合、加热和脱泡，所述浆料供给装置为密闭腔，包括，进料口，出料口，搅拌部件，抽气孔，与所述抽气孔连接的真空泵和真空计，设置在所述密闭腔内部的加热部件，温度计，所述温度计和加热部件分别与设置在密闭腔外部的温度控制装置连接，对所述浆料进行温度控制，所述搅拌部件通过设置在密闭腔外部的转速控制装置控制所述搅拌部件转速；涂布成膜机平台2，在所述涂布成膜机平台1上放置PET离型膜3，在涂布成膜机平台的上方设置有浆料挤出吸嘴4，所述浆料挤出吸嘴4与浆料供给装置的出料口连接，在涂布成膜机平台的一端设置有涂布压辊1，其中，所述浆料挤出吸嘴4固定在三维平动台上，可以在垂直方向和水平方向上运动，所述涂布压辊1设置在二维平动台上，可以在涂布成膜机平台2上方水平移动涂布压辊1的位置，上下移动控制涂布压辊1与涂布成膜机平台2之间的距离；气氛烘烤箱，所述气氛烧烤箱将经过浆料涂布的PET离型膜进行烘烤，所述气氛烘烤箱的主体为密闭气氛腔体，所述密闭气氛腔体中具有温控加热台，所述温控加热台，用于经过浆料涂布的PET离型膜的烘烤固化。其中，所述浆料为导热硅胶和荧光粉，对所述浆料的搅拌和真空脱泡为三段式脱泡，第一段脱泡转速800r/min，第二段脱泡转速1000r/min，第三段脱泡转速800r/min，所述浆料供给装置的压强小于等于5Pa。所述第一段脱泡的时间为50-150分钟，第二段脱泡的时间为30-75分钟，第三段脱泡的时间为50-150分钟。所述荧光粉的质量百分比为15％～25％。所述真空自吸式涂布成膜机，还包括膜厚测量装置，所述膜厚测量装置为激光干涉仪，所述激光干涉仪的激光波长能够被硅胶透过的可见光，并且不会激发荧光粉产生荧光。所述烘烤的气氛为氮气，烘烤的温度为60-75℃，烘烤时间为15-35分钟。所述真空自吸式涂布成膜机还包括控制装置，所述控制装置控制浆料供给装置内的压强，混合后涂布浆料的温度，搅拌部件的转速，搅拌时间，浆料挤出吸嘴的位置，涂布头压辊与涂布成膜机平台之间的距离，气氛烘烤箱的温度和烘烤的时间。实施例2参见图1-4，一种用于LED的芯片级封装的荧光膜的制备方法，包括：步骤1）将导热硅胶和荧光粉在密闭腔内进行混合形成涂布浆料5，其中，所述荧光粉在涂布浆料中的质量百分比为15％～25％；步骤2）对所述涂布浆料5进行搅拌和真空脱泡，所述搅拌和真空脱泡为三段式脱泡，第一段脱泡转速800r/min，第二段脱泡转速1000r/min，第三段脱泡转速800r/min，所述浆料供给装置的压强小于等于5Pa，在搅拌和真空脱泡的同时对浆料进行加热，所述加热的温度为40℃；步骤3）脱泡好的荧光涂布浆料5置于具真空自吸搅拌功能的涂布料腔内，持续搅拌抽真空，真空度为5Pa，搅拌速度为800r/min，在涂布成膜机平台提供单层PET离型膜3，并用涂布压辊1将PET离型膜3的一端锁紧；步骤4）调整好涂布压辊1与涂布成膜机平台2在垂直方向上的距离，调整好浆料挤出吸嘴4的水平位置到平台指定的成膜起点，控制料腔挤出吸嘴4与PET离型膜3上表面的距离，控制挤出荧光浆料压力，速度和时间，横向匀速移动到指定成膜终点，停止挤出浆料5，形成一片荧光膜；步骤5）水平移动浆料挤出吸嘴到距离步骤4）所形成的荧光膜边缘外的一定距离，控制挤出荧光浆料压力，速度和时间，横向匀速移动到指定成膜终点，停止挤出浆料5，形成一片与步骤4）所形成的荧光膜距有一定距离的尺寸或厚度不同的另一荧光膜；步骤6)将有荧光膜的PET离型膜裁切，得到不同尺寸和厚度的荧光膜；步骤7）将切割好的PET离型膜上形成的荧光膜搬运到气氛烘烤箱，将经过浆料涂布荧光膜的PET离型膜进行烘烤，得到不同厚度的荧光膜，如图4示意得到的荧光膜的厚度为25um的正方形荧光膜、30um正方形荧光膜、30um长方形荧光膜。并且，荧光膜的制备方法还包括通过膜厚测量装置测量荧光胶膜的厚度，并根据荧光胶膜的厚度反馈给控制装置调整挤出荧光浆料压力，速度和时间。实施例3利用本实用新型用于LED的芯片级封装的荧光膜的制备方法制备的300um的半固化荧光膜对倒装LED芯片进行CSP封装，如表1所示，所述膜厚均匀一致，光电色参数均匀分布，提高了CSP的良率，使封装的LED芯片达到于电视背光，手机闪光灯等领域的要求。表1本实用新型半固化膜膜厚和光电色数据分布测试条件：25℃，电流350mA设定值本发明实测值膜厚mm0.30.28-0.31色温K60005800-6100显指8080-80.3光通量lm120118-121最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。当前第1页1 2 3