本发明涉及一种半导体硅片加工设备清洗的工艺，尤其涉及一种用于硅片刻蚀的反应腔室清洗的方法。
背景技术：
目前在半导体制造工艺中，半导体元器件的特征尺寸越来越小，所以，相应的对半导体的加工工艺要求也越来越高，其中，对工艺过程中的颗粒（particle)的控制是控制期间成品率很关键的一个因素。
在半导体制造的刻蚀制程中，颗粒控制是一个至关重要的一部分。刻蚀过程中颗粒来源有很多，当腔室使用的时间较长时，由于刻蚀的副产物附着在腔室内壁，所以在接下来的刻蚀过程中，这些附着在内壁的副产物难免会受到等离子体的轰击而产生颗粒，这些颗粒会使得刻蚀线条互相搭连，从而导致器件的垫性能降低，因此刻蚀工艺过程中，颗粒的控制是十分必要的。
目前，一般是在刻蚀工艺前对反应腔室进行清洗。但现有技术中的清洗方法，用等离子体清洗完反应腔室后，腔室内仍存在一定数量的颗粒，不能对反应腔室中的颗粒进行彻底清除。
技术实现要素：
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本发明的目的是提供一种反应腔室清洗的方法，该方法能有效清除反应腔室中的刻蚀副产物及颗粒。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的反应腔室淸洗的方法，用于清洗反应腔室内的副产物，包括步骤：
a、向反应腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体与所述副产物反应，生成挥发性物质；
b、向反应腔室中通入工艺气体，将所述挥发性物质带出反应腔室。
所述步骤a中所用的工艺气体包括气体sf6和/或02;所述射频源的功率为50〜800w。所述步骤a包括步骤：
a1、向反应腔室中通入气体sf6和/或02，并将所述射频源的功率设定为50〜400w，保持设定的时间；
a2、将射频源的功率设定为400〜800w，保持至反应结束。
所述步骤a1中，
所述气体sf6的流量为80〜120sccm;
所述气体02的流量为10〜30sccm;
所述工艺气体的压力为5〜15mt;
设定的时间为2〜4s。
所述步骤a2中，
所述气体sf6的流量为80〜120sccm;
所述气体02的流量为10〜30sccm;
所述工艺气体的压力为5〜15mt;
反应时间为8〜12s。
所述气体sf6的流量为loosccm;
所述气体02的流量为20sccm;
所述工艺气体的压力为lomt;
所述步骤a1中，设定的时间为3s;
所述步骤a2中，设定的时间为10s。
所述的等离子体包括f和02_;
所述的副产物包括含si和/或含c的颗粒和/或聚合物；所述的挥发性物质包括sif4和/或c02和/或co。所述步骤b中所用的工艺气体包括he气和/或n2气。所述的he气和/或n2气的总流量为100〜200sccm。
所述的反应腔室连接有摆阀；
所述步骤b中，摆阀釆用位置模式控制，且摆阀开到最大，工艺气体通过摆阀将所述挥发性物质带出反应腔室。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的反应腔室清洗的方法，由于首先向反应腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体与腔室内的副产物反应，生成挥发性物质；然后向反应腔室中通入工艺气体，将所述挥发性物质带出反应腔室。通过对反应腔室内的副产物进行气化，并带走，能有效清除反应腔室中的刻蚀副产物及颗粒。
又由于启动射频源时，首先将射频源的功率设定为50〜400w,保持一段时间；然后将射频源的功率设定为400〜800w，保持至反应结束，有利于获得稳定的等离子体。
主要适用于清洗硅片加工设备中的刻蚀腔室，也适用于清洗其它的腔室。
具体实施方式。
本发明反应腔室清洗的方法，用于对反应腔室进行清洗，这里所说的反应腔室主要指半导体硅片加工设备的反应腔室，也可以是其它的腔室。主要是清洗硅片刻蚀过程中反应腔室内残留的副产物及颗粒等，这些副产物主要包括含si或含c的颗粒或者聚合物。
其较佳的具体实施方式是，包括步骤：
步骤1、向反应腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体与所述副产物反应，生成挥发性物质；
步骤2、向反应腔室中通入工艺气体，将所述挥发性物质带出反应腔室。
上述的步骤1中，所用的工艺气体包括气体sf6或02,或者二者的混合气体；所述射频源的功率为50〜800w,可以是50、100、200、400、600、700、800w等优选功率。
这一步骤中，需要获得稳定的等离子体，才能得到理想的工艺效果。如果射频源从0w瞬间升高到800w可能会引起等离子体不稳定，从而不利于获得稳定均匀的等离子体。因此在这一步中射频源的功率要缓慢或分段提升的到需要的功率。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。