半导体原料清洗装置的制作方法

本实用新型涉及半导体处理技术领域，具体涉及一种半导体原料清洗装置。

背景技术：

砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。以上材料都需要砷化镓单晶才能制备，而砷化镓单晶制备的前期工作需要腐蚀去除砷化镓原料表面的有机物杂质以及各种金属杂质。现在所使用腐蚀盒腐蚀料时，需要操作者撬动料，达到料全方位与腐蚀液反应，在操作上存在危险性，容易发生腐蚀液飞溅在操作者身体上造成人员灼伤，而且比较浪费纯水。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本实用新型提出一种半导体原料清洗装置，结构简单，使用安全，避免半导体原料的浪费以及人员伤害。

为了实现上述目的，本实用新型第一方面提供了一种半导体原料清洗装置，包括：

盒状本体，所述盒状本体的底部具有镂空结构；

喷淋装置，设置于所述盒状本体的上方，用于对半导体原料进行喷淋冲洗；

可抽拉的密封板，设置于所述镂空结构之间。

另外，根据本实用新型上述半导体原料清洗装置还可以具有如下附加的技术特征：

根据本实用新型的一个实施例，还包括：

所述镂空结构由两块上下间隔设置的镂空板构成。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：

所述密封板设置于两块镂空板之间。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：

排液层，设置于所述镂空结构的下方，用于将所述盒状本体内的液体排出。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：晃动机构，设置于所述盒状本体上，用于晃动所述盒状本体。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：驱动机构，用于驱动所述晃动机构。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：

探测器，用于获取盒状本体内添加腐蚀液体的信息，并将添加腐蚀液体的信息传递至控制系统；

控制系统，用于接受所述探测器的信息，并控制晃动机构进行晃动。

根据本实用新型的一个实施例，所述盒状本体为聚丙烯材料的盒状本体。

根据本实用新型的一个实施例，所述盒状本体呈正方体或长方体，所述排液层的高度为2-10厘米。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体为砷化镓。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型通过设置晃动机构，这样在腐蚀半导体原料的时候可以晃动盒状本体带动料运动，达到半导体原料可以全方位无死角被腐蚀液腐蚀。这种晃动方法减少了酸溶液溅出造成操作人员灼伤。

2、通过设置可抽拉的密封板，在排酸冲水时抽去密封板同时打开高压喷淋装置冲洗，高压冲洗的好处是使用水生产多束、多角度、强度各异的高压水射流，这种水射流的速度极高，具有巨大的打击能力，能够更好的带走半导体原料表面附着的酸溶液及酸溶液腐蚀的杂质，这种方法减少了水资源的浪费，大大的提高了工作效率。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本实用新型一些实施例中腐蚀盒的截面示意图；

图2为本实用新型一些实施例中控制系统的模块图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、元件、部件、和/或它们的组合。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“底”、“前”、“上”、“倾斜”、“下”、“顶”、“内”、“水平”、“外”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中机构的不同方位。例如，如果在图中的机构翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。

如图1-2所示，本实用新型的一些实施例提供了一种半导体原料清洗装置100，包括：

盒状本体10，盒状本体10可以呈长方体或正方体，其内部具有容纳腔，盒状本体10的底部具有由两块上下间隔设置的镂空板101构成的镂空结构。

喷淋装置，安装于盒状本体10上，用于对半导体原料进行喷淋冲洗。在本实施例中，半导体可以是砷化镓。

可抽拉的密封板11，设置于两块镂空板101之间，具体地，两块镂空板101之间形成具有开口的抽拉槽12，密封板11能够在抽拉槽12内抽拉。

排液层13，排液层13的高度为2-10厘米，设置于镂空结构的下方，用于将盒状本体10内的液体排出。具体地，排液层13可以与盒状本体10一体设置，也可以与盒状本体10分离设置，本实施例在此不做限定。

优选地，本实施例中半导体原料清洗装置还包括晃动机构14，设置于盒状本体10上，用于晃动盒状本体10。这样在腐蚀半导体原料的时候可以晃动盒状本体带动料运动，达到半导体原料可以全方位无死角被腐蚀液腐蚀。这种晃动方法减少了酸溶液溅出造成操作人员灼伤。

驱动机构15，用于驱动晃动机构14。

探测器16，用于获取盒状本体10内添加腐蚀液体的信息，并将添加腐蚀液体的信息传递至控制系统17。

控制系统17，用于接受探测器16的信息，并控制驱动机构15驱动晃动机构14进行晃动。

值得一提的是，盒状本体10可以为耐酸、耐碱的聚丙烯材料的盒状本体10。

在实际使用半导体原料清洗装置100进行腐蚀砷化镓原料时，需要以下步骤：

1、将原材料称重、做标识、放入腐蚀盒；

2、加入纯水(淹没原材料)加入适量氢氧化钠浸泡大概两个小时；

3、抽去密封板排出氢氧化钠溶液，打开纯水高压喷淋冲洗原料至中性；

4、插入密封板，在腐蚀盒内注入盐酸和硝酸混合液，使腐蚀液没过原材料(大约5-10分钟)；

5、打开纯水高压喷淋装置冲洗原材料，抽去密封板；

6、纯水高压喷淋冲洗原材料直至中性；

7、使用高压喷淋装置喷射热纯水高压喷淋十遍，放入烘箱烘干待用。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。