一种可调节振动功率的超声波清洗机的制作方法

1.本发明涉及清洗机技术领域，具体是一种可调节振动功率的超声波清洗机。


背景技术：

2.市面通用的40khz换能器的超声波清洗机，其在产生最大振动功率的谐振功率在40khz，换能器产的爆发力也最强，对电量的损耗也最小，但由于清洗机水槽内的水和清洗物的多少，会因为负载的多少而改变换能器的谐振频率，谐振频率会在35-40khz之间改变；在最大的谐振频率时，清洗贵重金属或其他用品时，会对物体表面造成一定的损伤，通过改变超声波清洗机的振动时间，可改变超声波清洗机换能器的振动功率，达到清洗的目地又不对清洗物品造成损伤。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种可调节振动功率的超声波清洗机，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种可调节振动功率的超声波清洗机，包括mcu、pwm转电压信号模块、电压信号转电流信号模块、pwm控制芯片、驱动电路和lc高频振荡模块，所述mcu输出可变pwm信号到pwm转电压信号模块，pwm转电压信号模块的输出端连接电压信号转电流信号模块，电压信号转电流信号模块的输出端连接pwm控制芯片，pwm控制芯片输出两路pwm控制信号到驱动电路，驱动电路输出交流信号到lc高频振荡模块。
5.作为本发明的进一步技术方案，所述mcu为单片机。
6.作为本发明的进一步技术方案，所述pwm转电压信号模块包括mos管q4、稳压模块u8、运算放大器u9a、运算放大器u9b、三极管q8和三极管q9，mos管q4的栅极通过电阻r27连接pwm信号，mos管q4的漏极连接电阻r28、电阻r29和稳压模块u8，稳压模块u8的另一端连接mos管q4的源极和地，电阻r29的另一端连接电阻r30和电容c15，电阻r30的另一端连接运算放大器u9a的输入端+，运算放大器u9a的输入端-连接电容c17和电阻r31，电阻r31的另一端连接三极管q5的发射极和电阻r33，三极管q5的基极通过电阻r32连接运算放大器u9a输出端和电容c17的另一端，三极管q5的集电极通过电阻r40连接运算放大器u9b的输入端+，运算放大器u9b的输入端-通过电阻r47连接三极管q7的发射极和电阻r42，三极管q7的基极通过电阻r41连接运算放大器u9b的输出端，三极管q7的集电极连接三极管q8的基极、三极管q9的基极、三极管q10的基极和三极管q11的基极，三极管q9的集电极连接输出端j4，三极管q10的集电极连接输出端j5，三极管q11的集电极连接输出端j6，作为本发明的进一步技术方案，所述pwm控制芯片包括pwm芯片u1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6和电容c2。
7.作为本发明的进一步技术方案，所述驱动电路包括变压器t1、变压器t2、变压器t3、mos管vt1和mos管vt2，变压器t1的端口4通过电容c10连接信号pwma，变压器t1的端口3
接地，变压器t1的端口2连接电阻r8和二极管d1的阴极，电阻r8的另一端连接二极管d1的阳极、电阻r9和mos管vt1的栅极，mos管vt1的源极连接电阻r9的另一端、mos管vt2的漏极和变压器t2的端口12，变压器t3的端口4通过电容c11连接信号pwmb，变压器t3的端口3接地，变压器t3的端口2连接电阻r10和二极管d2的阴极，电阻r10的另一端连接二极管d2的阳极、电阻r11和mos管vt2的栅极，变压器t2的端口5连接电感l1，电感l1的另一端连接换路器p4。
8.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明增加了功能调功率，可以改变换能器的谐振时间，达到不同震动功率，达到不损失清洗物的目的。
附图说明
9.图1是本发明的整体原理图。
10.图2为mcu的电路图。
11.图3为pwm转电压信号模块的电路图。
12.图4为pwm控制芯片的电路图。
13.图5为驱动电路图。
具体实施方式
14.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
15.请参阅图1-5所示，实施例1：一种可调节振动功率的超声波清洗机，包括mcu、pwm转电压信号模块、电压信号转电流信号模块、pwm控制芯片、驱动电路和lc高频振荡模块，所述mcu输出可变pwm信号到pwm转电压信号模块，pwm转电压信号模块的输出端连接电压信号转电流信号模块，电压信号转电流信号模块的输出端连接pwm控制芯片，pwm控制芯片输出两路pwm控制信号到驱动电路，驱动电路输出交流信号到lc高频振荡模块，lc高频振荡模块产生的超声波能够进行清洗操作。
16.其中，pwm转电压信号模块包括mos管q4、稳压模块u8、运算放大器u9a、运算放大器u9b、三极管q8和三极管q9，mos管q4的栅极通过电阻r27连接pwm信号，mos管q4的漏极连接电阻r28、电阻r29和稳压模块u8，稳压模块u8的另一端连接mos管q4的源极和地，电阻r29的另一端连接电阻r30和电容c15，电阻r30的另一端连接运算放大器u9a的输入端+，运算放大器u9a的输入端-连接电容c17和电阻r31，电阻r31的另一端连接三极管q5的发射极和电阻r33，三极管q5的基极通过电阻r32连接运算放大器u9a输出端和电容c17的另一端，三极管q5的集电极通过电阻r40连接运算放大器u9b的输入端+，运算放大器u9b的输入端-通过电阻r47连接三极管q7的发射极和电阻r42，三极管q7的基极通过电阻r41连接运算放大器u9b的输出端，三极管q7的集电极连接三极管q8的基极、三极管q9的基极、三极管q10的基极和三极管q11的基极，三极管q9的集电极连接输出端j4，三极管q10的集电极连接输出端j5，三极管q11的集电极连接输出端j6，pwm控制芯片包括pwm芯片u1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6和电容c2。驱动电路包括变压器t1、变压器t2、变压器t3、mos管vt1和mos管vt2，变压器t1的端
口4通过电容c10连接信号pwma，变压器t1的端口3接地，变压器t1的端口2连接电阻r8和二极管d1的阴极，电阻r8的另一端连接二极管d1的阳极、电阻r9和mos管vt1的栅极，mos管vt1的源极连接电阻r9的另一端、mos管vt2的漏极和变压器t2的端口12，变压器t3的端口4通过电容c11连接信号pwmb，变压器t3的端口3接地，变压器t3的端口2连接电阻r10和二极管d2的阴极，电阻r10的另一端连接二极管d2的阳极、电阻r11和mos管vt2的栅极，变压器t2的端口5连接电感l1，电感l1的另一端连接换路器p4。
17.实施例2，在实施例1的基础上，所述mcu为单片机，其体积小，运算速度快，价格低廉，使用寿命长。
18.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
19.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。