1.一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于：首先制作母模；随后基于所述母模制作聚二甲基硅氧烷反转模；然后基于所述聚二甲基硅氧烷反转模制作焦糖模具；最后于所述焦糖模具上浇注聚二甲基硅氧烷，固化后，溶解焦糖模具，制得聚二甲基硅氧烷微流控芯片。
2.如权利要求1所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)所述母模通过微加工工艺制作；
(2)于步骤(1)中制得的母模上浇注聚二甲基硅氧烷，经固化、剥离制得聚二甲基硅氧烷反转模；所述二甲基硅氧烷反转模具有结构面；所述结构面上设置有进样口和出样口；
(3)将步骤(2)中制得的聚二甲基硅氧烷反转模的结构面与设置有孔的基体对准，贴合密封，形成一个聚二甲基硅氧烷反转模-基体结构，其中结构面上的进样口和出样口与基体上的打孔处对应；
(4)将步骤(3)中制得的聚二甲基硅氧烷反转模-基体结构置于真空容器中，进行脱气处理；
(5)将焦糖溶液从基体上的打孔处注入经步骤(4)处理后的聚二甲基硅氧烷反转模-基体结构中；
(6)将步骤(5)中的聚二甲基硅氧烷反转模-基体结构进行加热除水处理至焦糖固化；
(7)剥离步骤(6)中聚二甲基硅氧烷反转模-基体结构中的聚二甲基硅氧烷反转模，制得焦糖模具；
(8)于步骤(7)中的焦糖模具上浇注聚二甲基硅氧烷，经聚二甲基硅氧烷固化后，溶解焦糖模具，制得聚二甲基硅氧烷微流控芯片。
3.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述微加工工艺为硅片通过微电子光刻工艺结合等离子体深刻蚀工艺、光刻胶通过微电子光刻工艺在硅片上图形化中的一种。
4.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述基体为基片、微流控结构层中的一种。
5.如权利要求4所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，所述基片、微流控结构层为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷中的一种。
6.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述真空容器中绝对压强为5～25kPa；所述脱气处理，处理时间为0.5～24h。
7.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(6)中，所述加热除水处理为经热板或烘箱处理。
8.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(8)中，所述聚二甲基硅氧烷固化为在25℃下静置24～48h或先在25℃下静置8～12h至聚二甲基硅氧烷半固化，再在60℃～120℃下静置1～2h至聚二甲基硅氧烷固化。
9.如权利要求2所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法，其特征在于，步骤(8)中，所述溶解焦糖模具通过50～100℃热水辅助超声实现。
10.将权利要求1至9任一项所述的一种基于焦糖倒模制作微流控芯片的方法用于制作玻璃-聚二甲基硅氧烷薄膜-玻璃夹心式微流控芯片、多层微流控芯片中任一种芯片的应用。