一种用于密闭反应室的自净化系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及密闭反应设备技术领域，特别涉及一种用于密闭反应室的自净化系统。
【背景技术】
[0002]由于碳化硅特殊的化学和物理性质，其外延工艺要求反应室必须处在一种密闭、无氧、无氮的特殊环境中，在碳化硅外延生长过程中，会不断产生出现细小的颗粒，这些细小颗粒沉积在反应室腔体底部，如果这些细小的颗粒的不能及时有效的清除掉，就会在密闭的腔体内不断积聚，细小颗粒的大量极具将影响下一周期的碳化硅晶片外延生长，导致碳化硅晶片缺陷的增加。
[0003]虽然目前的碳化硅外延生长反应室具有有一定的自净化能力，但是而且其净化所花费的时间过于漫长，对细小颗粒的清理效率低，远远不能满足碳化硅外延工艺的需求，直接影响到了生产效率。
[0004]因此本发明人特别研制出一种能够速有效地清理密闭反应室内细小颗粒的自净化系统，本案由此产生。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种用于密闭反应室的自净化系统，其应用于碳化硅外延生长的密闭反应室，能够快速有效的清理反应室腔体内的细小颗粒，提高生产效率。
[0006]为了实现上述目的，本发明的技术方案如下:
[0007]一种用于密闭反应室的自净化系统，密闭反应室包括一个主箱体，主箱体内开设上腔体和下腔体，上腔体与下腔体通过一隔板隔开，隔板上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口和抽风口 ；自净化系统包括控制箱、过滤箱、风机、送风法兰、抽风法兰和电控风阀；风机安装在隔板下沿并与通风孔对接，主箱体的上腔体顶部与下腔体底部均安装过滤箱；送风法兰安装在主箱体的送风口，抽风法兰内置一电控风阀，抽风法兰安装在主箱体的抽风口，送风法兰与上腔体顶部的过滤箱对应，抽风法兰与下腔体底部的过滤箱对应，抽风法兰与送风法兰通过一管道连接；控制箱内置一变频控制器，控制箱外部设有与变频控制器的电连接的电源指示灯、风机工作指示灯和阀门工作指示灯，控制箱安装在主箱体外部；风机和电控风阀均与变频控制器电连接。
[0008]所述控制箱外部还设有与控制器电连接档位工作开关。
[0009]所述上腔体顶部安装高效过滤箱，下腔体底部安装中效过滤箱。
[0010]所述主箱体一侧还开设上检修门和下检修门，上检修门与上腔体对应，下检修门与下腔体对应。
[0011]采用上述方案后，本发明通过在密闭反应室内设置风机、在上腔体外部设置送风口及在下腔体外部设置抽风口，启动风机打开电控风阀后，密闭反应室内的气体由上腔体流动到下腔体，再由下腔体进入底部的过滤箱，同时腔内气体流动带动积聚在上腔体底部和下腔体底部的细小颗粒进入过滤箱，过滤后的气体在从送风法兰进入反应室，进入上腔体的气体将经过顶部过滤箱，从而进一步过滤掉细小颗粒，实现密闭反应室的清理，上述过程风机和电控风阀开/关均通过控制箱进行自动化控制；本发明的自净化系统可对密闭反应室内的细小颗粒进行快速有效清理，操作简单，清理程序高效，成本低廉。
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是本发明的立体结构示意图；
[0014]图2是本发明正视图；
[0015]图3是本发明侧视图；
[0016]图4是本发明侧视图。
[0017]标号说明
[0018]主箱体1，上腔体11，下腔体12，隔板13，送风口 14，抽风口 15，控制箱2，电源指示灯21，风机工作指示灯22，阀门工作指示灯23，档位工作开关24，送风法兰3，抽风法兰4，电控风阀5，上检修门61，下检修门62，高效过滤箱71，中效过滤箱72，风机8。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0020]如图1至图4所示，本发明揭示的一种用于密闭反应室的自净化系统，密闭反应室包括一个主箱体1，主箱体I内开设上腔体11和下腔体12，上腔体11与下腔体12通过一隔板13隔开，隔板13上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口 13和抽风口 14;自净化系统包括控制箱2、过滤箱、风机8、送风法兰3、抽风法兰4和电控风阀5 ;风机8安装在隔板13下沿并与通风孔对接，主箱体I的上腔体11顶部与下腔体12底部均安装过滤箱，其中上腔体11的过滤箱为高效过滤箱71，下腔体12的过滤箱为中效过滤箱72 ;送风法兰3安装在主箱体I的送风口，抽风法兰4内置一电控风阀5，抽风法兰4安装在主箱体I的抽风口，送风法兰3与上腔体11顶部的过滤箱对应，抽风法兰4与下腔体12底部的过滤箱对应，抽风法兰4与送风法兰3通过一管道(图中未给出)连接；控制箱2内置一变频控制器(图中未给出)，控制箱2外部设有与变频控制器的电连接的电源指示灯21、风机工作指示灯22和阀门工作指示灯23，控制箱2安装在主箱体I外部；风机8和电控风阀5均与变频控制器电连接。
[0021]控制箱2外部还设有与控制器电连接档位工作开关，依托此开关，本发明可根据需要切换不同的档位。
[0022]主箱体I 一侧还开设上检修门61和下检修门62，上检修门61与上腔体对应11，下检修门62与下腔体12对应，开设检修门便于查看腔体内细小颗粒的积聚量和清理状况，根据获取的腔体内的情况，对自清理系统实施相应的指令。
[0023]本发明在工作时:
[0024]开启控制箱2的档位工作开关24后，当档位为高速档位时，风机8开始工作并告诉运转，电控风阀5打开，电源指示灯21、风机工作指示灯22及阀门工作指示灯24均亮起，上腔体11的气体带动上腔体11底部的细小颗粒进入下腔体12，然后连同下腔体12的气体及其顶部的细小颗粒经过中效过滤箱72后由抽风法兰4出来，第一遍过滤后的其他通过管道再经送风法兰3进入上腔体11，在进入上腔体11的过程中气体经过高效过滤箱71的过滤，此档为风速最快，过滤时间最短；当档位调至低速档位时，风机低速运转，气体循环过滤过程同上述高速档位，但速度较慢。
[0025]高速档位在密闭反应室内积聚大量细小颗粒时使用，实现快速净化，低速档位则可在反应室内进行反应时使用，不会影响反应室内的物理化学反应(例如碳化硅的外延生长反应)。
[0026]本发明用于密闭反应室的自净化系统，实现高效智能的清理密闭反应室中的杂质，满足反应室各自工况条件，应用于碳化硅外延生长的密闭反应室时，能够及时有效的清理掉密闭腔体内的外延工艺生产过程中产生的细小颗粒，避免对后续进行的碳化硅外延生长晶片品质的影响，也提高了生产效率。
[0027]上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。
【主权项】
1.一种用于密闭反应室的自净化系统，其特征在于:密闭反应室包括一个主箱体，主箱体内开设上腔体和下腔体，上腔体与下腔体通过一隔板隔开，隔板上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口和抽风口 ；自净化系统包括控制箱、过滤箱、风机、送风法兰、抽风法兰和电控风阀；风机安装在隔板下沿并与通风孔对接，主箱体的上腔体顶部与下腔体底部均安装过滤箱；送风法兰安装在主箱体的送风口，抽风法兰内置一电控风阀，抽风法兰安装在主箱体的抽风口，送风法兰与上腔体顶部的过滤箱对应，抽风法兰与下腔体底部的过滤箱对应，抽风法兰与送风法兰通过一管道连接；控制箱内置一变频控制器，控制箱外部设有与变频控制器的电连接的电源指示灯、风机工作指示灯和阀门工作指示灯，控制箱安装在主箱体外部；风机和电控风阀均与变频控制器电连接。
2.如权利要求1所述的一种用于密闭反应室的自净化系统，其特征在于:所述控制箱外部还设有与控制器电连接档位工作开关。
3.如权利要求1所述的一种用于密闭反应室的自净化系统，其特征在于:所述上腔体顶部安装高效过滤箱，下腔体底部安装中效过滤箱。
4.如权利要求1所述的一种用于密闭反应室的自净化系统，其特征在于:所述主箱体一侧还开设上检修门和下检修门，上检修门与上腔体对应，下检修门与下腔体对应。
【专利摘要】本发明公开一种用于密闭反应室的自净化系统，密闭反应室包括一个主箱体，主箱体内开设上腔体和下腔体，上腔体与下腔体通过一隔板隔开，隔板上开设一通风孔；主箱体外侧开设送风口和抽风口；自净化系统包括控制箱、过滤箱、风机、送风法兰、抽风法兰和电控风阀；风机安装在隔板下沿并与通风孔对接，主箱体的上腔体顶部与下腔体底部均安装过滤箱；送风法兰安装在主箱体的送风口，抽风法兰内置一电控风阀，抽风法兰安装在主箱体的抽风口；控制箱安装在主箱体外部；风机和电控风阀均与变频控制器电连接；本发明应用于碳化硅外延生长的密闭反应室，能够快速有效的清理反应室腔体内的细小颗粒，提高生产效率。
【IPC分类】B01J19-00, B01D46-00
【公开号】CN104645914
【申请号】CN201510018754
【发明人】吕立平, 冯淦, 赵建辉
【申请人】瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年1月14日