一种芯片测试分选机用芯片压紧装置

1.本发明属于芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片测试分选机用芯片压紧装置。


背景技术：

2.电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路(模拟和数字在一个芯片上)。数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗(参见低功耗设计)并降低了制造成本。这些数字ic，以微处理器、数字信号处理器和微控制器为代表，工作中使用二进制，处理1和0信号。然而，现有芯片测试分选机用芯片压紧装置不能对芯片进行调试；同时，不能准确预测芯片寿命。
3.综上所述，现有技术存在的问题是：现有芯片测试分选机用芯片压紧装置不能对芯片进行调试；同时，不能准确预测芯片寿命。


技术实现要素：

4.针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种芯片测试分选机用芯片压紧装置。
5.本发明是这样实现的，一种芯片测试分选机用芯片压紧装置包括：
6.机箱、显示器、电源接线板、转轴、芯片压盖、芯片槽、加热器、压力检测模块、温度检测模块、中央控制模块、调试模块、寿命预测模块；
7.机箱正面左边嵌装有显示器；机箱左端通过螺丝固定有电源接线板；机箱顶面左端通过转轴连接芯片压盖；机箱顶面中央开设有芯片槽；机箱正面中央上方嵌装有加热器；机箱内左边上方设置有压力检测模块；机箱内右边上方设置有温度检测模块；机箱内中央设置有中央控制模块；机箱内右边下方设置有调试模块；机箱内左边下方设置有寿命预测模块；
8.压力检测模块，用于检测芯片压紧过程的压力；
9.温度检测模块，用于检测芯片压紧过程的温度；
10.中央控制模块，用于控制各个模块正常工作；
11.调试模块，用于对芯片进行调试；
12.寿命预测模块，用于对芯片寿命进行预测。
13.进一步，所述调试模块调试方法如下：
14.(1)配置jtag控制器测试参数，并监测jtag控制器工作是否正常；接收jtag控制器发送的第一控制指令，所述第一控制指令包括接口选择信息；
15.(2)根据所述接口选择信息选择与总线连接的压紧后的芯片的多个测试接口中的第一测试接口传输所述压紧后的芯片的测试结果信号；
16.(3)接收所述总线传输的所述测试结果信号；发送所述测试结果信号至所述jtag控制器，以供调试使用；其中，所述第一控制指令还包括分组选择信息，所述多个测试接口被分为多组测试接口。
17.进一步，所述根据所述接口选择信息选择与总线连接的压紧后的芯片的多个测试接口中的第一测试接口传输所述压紧后的芯片的测试结果信号，包括：
18.根据所述分组选择信息，从所述多组测试接口中选择一组测试接口；
19.根据所述接口选择信息从所述一组测试接口中选择所述第一测试接口传输所述测试结果信号；所述总线根据所述压紧后的芯片的模块采用分级机制进行分级，所述测试结果信号相应的进行分组；所述多个测试接口的分组基于所述总线的分级来实现，所述压紧后的芯片中分别与所述多组测试接口连接的多个模块是分级集成的；所述多组测试接口根据所述压紧后的芯片中分别与所述多组测试接口连接的多个模块的相关性进行分组。
20.进一步，所述调试方法还包括：
21.发送所述测试结果信号至存储器，以存储所述测试结果信号；从所述存储器读取所述测试结果信号，其中，所述发送所述测试结果信号至所述jtag控制器，包括：将从所述存储器读取的所述测试结果信号发送至所述jtag控制器。
22.进一步，所述寿命预测模块预测方法如下：
23.1)构建芯片测试数据库；基于获取的所述压紧后的芯片在所述测试设备上运行的多条芯片运行数据进行筛选处理，得到对应的第一运行数据筛选集合和对应的第二运行数据筛选集合，并将筛选的数据存入到芯片测试数据库中；数据筛选集合包括消耗功率、运行速度、耐压度等；
24.其中，每一条所述芯片运行数据用于表征在一个时间段内所述压紧后的芯片是否处于运行状态，所述第一运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯片运行数据用于表征在一个时间段内所述芯片处于运行状态，所述第二运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯片运行数据用于表征在一个时间段内所述压紧后的芯片未处于运行状态；
25.2)对所述第一运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第一运行特征信息，并对所述第二运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第二运行特征信息；
26.3)基于所述第一运行特征信息和所述第二运行特征信息对所述压紧后的芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果。
27.进一步，所述对所述第一运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第一运行特征信息的步骤，包括：
28.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，确定该芯片运行数据对应的时间段的长度，得到该芯片运行数据对应的时间段长度信息，并确定该芯片运行数据与前一条芯片运行数据对应的时间段之间的间隔，得到该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息；
29.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，基于该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，确定出与该时间间隔长度信息具有负相关关系的系数，得到该芯片运行数据对应的第一加权系数，其中，所述加权系数大于0、小于或等于1，且所述第一运行数据筛选集合中的第一条芯片运行数据对应的第一加权系数小于其它的每一
条芯片运行数据对应的第一加权系数；
30.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，计算该芯片运行数据对应的时间长度信息和对应的第一加权系数之间乘积，得到该芯片运行数据对应的运行时间表征值；
31.基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第一运行数据筛选集合对应的第一运行特征信息。
32.进一步，所述基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第一运行数据筛选集合对应的第一运行特征信息的步骤，包括：
33.基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行均值计算，得到对应的第一时间表征均值；
34.基于所述第一时间表征均值和所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行离散计算，得到对应的第一时间表征离散值，并确定所述第一时间表征离散值与预先配置的第一时间表征离散阈值之间的相对大小关系；
35.若所述第一时间表征离散值小于或等于所述第一时间表征离散阈值，则计算所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的和值，得到对应的第一运行特征信息；
36.若所述第一时间表征离散值大于所述第一时间表征离散阈值，则确定所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的变化趋势，得到对应的第一表征值变化趋势信息，并将所述第一表征值变化趋势信息确定为第一运行特征信息。
37.进一步，所述对所述第二运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第二运行特征信息的步骤，包括：
38.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，确定该芯片运行数据对应的时间段的长度，得到该芯片运行数据对应的时间段长度信息，并确定该芯片运行数据与前一条芯片运行数据对应的时间段之间的间隔，得到该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，其中，第一条芯片运行数据对应的时间间隔长度信息基于所述第一运行数据筛选集合中的第一条芯片运行数据对应的时间段确定；
39.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，基于该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，确定出与该时间间隔长度信息具有负相关关系的系数，得到该芯片运行数据对应的第二加权系数，其中，所述加权系数大于0、小于或等于1；
40.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，计算该芯片运行数据对应的时间长度信息和对应的第二加权系数之间乘积，得到该芯片运行数据对应的运行时间表征值；
41.基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第二运行数据筛选集合对应的第二运行特征信息。
42.进一步，所述基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第二运行数据筛选集合对应的第二运行特征信息的步骤，包括：
43.基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行均值计算，得到对应的第二时间表征均值；
44.基于所述第二时间表征均值和所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行离散计算，得到对应的第二时间表征离散值，并确定所述第二时间表征离散值与预先配置的第二时间表征离散阈值之间的相对大小关系；
45.若所述第二时间表征离散值小于或等于所述第二时间表征离散阈值，则计算所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的和值，得到对应的第二运行特征信息；
46.若所述第二时间表征离散值大于所述第二时间表征离散阈值，则确定所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的变化趋势，得到对应的第二表征值变化趋势信息，并将所述第二表征值变化趋势信息确定为第二运行特征信息。
47.进一步，所述基于所述第一运行特征信息和所述第二运行特征信息对所述目标芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果的步骤，包括：
48.计算所述第一运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯片运行数据对应的时间段的长度的和值，得到对应的运行总时长；
49.基于运行特征融合值，并基于所述运行总时长和所述运行特征融合值对所述目标芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果。
50.本发明的优点及积极效果为：本发明通过调试模块利用总线连接压紧后的芯片与控制器，并通过控制器最终将测试结果信号发送给jtag控制器，使得对压紧后的芯片内部模块的功能的在线调试过程中，避免了对压紧后的芯片定义过多的调试接口，使对压紧后的芯片内部模块的功能的在线调试和检测更为便捷；同时，通过寿命预测模块可以实现对芯片寿命进行准确的预测。
附图说明
51.图1是本发明实施例提供的芯片测试分选机用芯片压紧装置结构框图。
52.图2是本发明实施例提供的机箱结构框图。
53.图3是本发明实施例提供的调试模块调试方法流程图。
54.图4是本发明实施例提供的寿命预测模块预测方法流程图。
55.图1和图2中：1、机箱；2、显示器；3、电源接线板；4、转轴；5、芯片压盖；6、芯片槽；7、加热器；8、压力检测模块；9、温度检测模块；10、中央控制模块；11、调试模块；12、寿命预测模块。
具体实施方式
56.为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
57.下面结合附图对本发明的结构作详细的描述。
58.如图1和图2所示，本发明实施例提供的芯片测试分选机用芯片压紧装置包括：机箱1、显示器2、电源接线板3、转轴4、芯片压盖5、芯片槽6、加热器7、压力检测模块8、温度检
测模块9、中央控制模块10、调试模块11、寿命预测模块12。
59.机箱1正面左边嵌装有显示器2；机箱1左端通过螺丝固定有电源接线板3；机箱1顶面左端通过转轴4连接芯片压盖5；机箱1顶面中央开设有芯片槽6；机箱1正面中央上方嵌装有加热器7；机箱1内左边上方设置有压力检测模块8；机箱1内右边上方设置有温度检测模块9；机箱1内中央设置有中央控制模块10；机箱1内右边下方设置有调试模块11；机箱1内左边下方设置有寿命预测模块12；
60.压力检测模块8，用于检测芯片压紧过程的压力；
61.温度检测模块9，用于检测芯片压紧过程的温度；
62.中央控制模块10，用于控制各个模块正常工作；
63.调试模块11，用于对芯片进行调试；
64.寿命预测模块12，用于对芯片寿命进行预测。
65.如图3所示，本发明提供的调试模块11调试方法如下：
66.s101，配置jtag控制器测试参数，并监测jtag控制器工作是否正常；接收jtag控制器发送的第一控制指令，所述第一控制指令包括接口选择信息；
67.s102，根据所述接口选择信息选择与总线连接的压紧后的芯片的多个测试接口中的第一测试接口传输所述压紧后的芯片的测试结果信号；
68.s103，接收所述总线传输的所述测试结果信号；发送所述测试结果信号至所述jtag控制器，以供调试使用；其中，所述第一控制指令还包括分组选择信息，所述多个测试接口被分为多组测试接口。
69.本发明提供的根据所述接口选择信息选择与总线连接的压紧后的芯片的多个测试接口中的第一测试接口传输所述压紧后的芯片的测试结果信号，包括：
70.根据所述分组选择信息，从所述多组测试接口中选择一组测试接口；
71.根据所述接口选择信息从所述一组测试接口中选择所述第一测试接口传输所述测试结果信号；所述总线根据所述压紧后的芯片的模块采用分级机制进行分级，所述测试结果信号相应的进行分组；所述多个测试接口的分组基于所述总线的分级来实现，所述压紧后的芯片中分别与所述多组测试接口连接的多个模块是分级集成的；所述多组测试接口根据所述压紧后的芯片中分别与所述多组测试接口连接的多个模块的相关性进行分组。
72.本发明提供的调试方法还包括：
73.发送所述测试结果信号至存储器，以存储所述测试结果信号；从所述存储器读取所述测试结果信号，其中，所述发送所述测试结果信号至所述jtag控制器，包括：将从所述存储器读取的所述测试结果信号发送至所述jtag控制器。
74.如图4所示，本发明提供的寿命预测模块12预测方法如下：
75.s201，构建芯片测试数据库；基于获取的所述压紧后的芯片在所述测试设备上运行的多条芯片运行数据进行筛选处理，得到对应的第一运行数据筛选集合和对应的第二运行数据筛选集合，并将筛选的数据存入到芯片测试数据库中；数据筛选集合包括消耗功率、运行速度、耐压度等；
76.其中，每一条所述芯片运行数据用于表征在一个时间段内所述压紧后的芯片是否处于运行状态，所述第一运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯片运行数据用于表征在一个时间段内所述芯片处于运行状态，所述第二运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯
片运行数据用于表征在一个时间段内所述压紧后的芯片未处于运行状态；
77.s202，对所述第一运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第一运行特征信息，并对所述第二运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第二运行特征信息；
78.s203，基于所述第一运行特征信息和所述第二运行特征信息对所述压紧后的芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果。
79.本发明提供的对所述第一运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第一运行特征信息的步骤，包括：
80.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，确定该芯片运行数据对应的时间段的长度，得到该芯片运行数据对应的时间段长度信息，并确定该芯片运行数据与前一条芯片运行数据对应的时间段之间的间隔，得到该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息；
81.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，基于该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，确定出与该时间间隔长度信息具有负相关关系的系数，得到该芯片运行数据对应的第一加权系数，其中，所述加权系数大于0、小于或等于1，且所述第一运行数据筛选集合中的第一条芯片运行数据对应的第一加权系数小于其它的每一条芯片运行数据对应的第一加权系数；
82.针对所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，计算该芯片运行数据对应的时间长度信息和对应的第一加权系数之间乘积，得到该芯片运行数据对应的运行时间表征值；
83.基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第一运行数据筛选集合对应的第一运行特征信息。
84.本发明提供的基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第一运行数据筛选集合对应的第一运行特征信息的步骤，包括：
85.基于所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行均值计算，得到对应的第一时间表征均值；
86.基于所述第一时间表征均值和所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行离散计算，得到对应的第一时间表征离散值，并确定所述第一时间表征离散值与预先配置的第一时间表征离散阈值之间的相对大小关系；
87.若所述第一时间表征离散值小于或等于所述第一时间表征离散阈值，则计算所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的和值，得到对应的第一运行特征信息；
88.若所述第一时间表征离散值大于所述第一时间表征离散阈值，则确定所述第一运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的变化趋势，得到对应的第一表征值变化趋势信息，并将所述第一表征值变化趋势信息确定为第一运行特征信息。
89.本发明提供的对所述第二运行数据筛选集合包括的所述芯片运行数据进行特征提取处理，得到对应的第二运行特征信息的步骤，包括：
90.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，确定该芯片运行数据对应的时间段的长度，得到该芯片运行数据对应的时间段长度信息，并确定该芯片运行数据与前一条芯片运行数据对应的时间段之间的间隔，得到该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，其中，第一条芯片运行数据对应的时间间隔长度信息基于所述第一运行数据筛选集合中的第一条芯片运行数据对应的时间段确定；
91.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，基于该芯片运行数据对应的时间间隔长度信息，确定出与该时间间隔长度信息具有负相关关系的系数，得到该芯片运行数据对应的第二加权系数，其中，所述加权系数大于0、小于或等于1；
92.针对所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据，计算该芯片运行数据对应的时间长度信息和对应的第二加权系数之间乘积，得到该芯片运行数据对应的运行时间表征值；
93.基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第二运行数据筛选集合对应的第二运行特征信息。
94.本发明提供的基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行特征提取处理，得到所述第二运行数据筛选集合对应的第二运行特征信息的步骤，包括：
95.基于所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行均值计算，得到对应的第二时间表征均值；
96.基于所述第二时间表征均值和所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值进行离散计算，得到对应的第二时间表征离散值，并确定所述第二时间表征离散值与预先配置的第二时间表征离散阈值之间的相对大小关系；
97.若所述第二时间表征离散值小于或等于所述第二时间表征离散阈值，则计算所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的和值，得到对应的第二运行特征信息；
98.若所述第二时间表征离散值大于所述第二时间表征离散阈值，则确定所述第二运行数据筛选集合包括的每一条所述芯片运行数据对应的运行时间表征值的变化趋势，得到对应的第二表征值变化趋势信息，并将所述第二表征值变化趋势信息确定为第二运行特征信息。
99.本发明提供的基于所述第一运行特征信息和所述第二运行特征信息对所述目标芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果的步骤，包括：
100.计算所述第一运行数据筛选集合中包括的每一条所述芯片运行数据对应的时间段的长度的和值，得到对应的运行总时长；
101.基于运行特征融合值，并基于所述运行总时长和所述运行特征融合值对所述目标芯片的使用寿命进行预测得到对应的寿命预测结果。
102.本发明工作时，首先，通过电源接线板3接入电源线进行供电，将芯片放入芯片槽6，将芯片压盖5通过转轴4将芯片进行压紧；通过加热器7对芯片压紧过程进行加热；通过压力检测模块8检测芯片压紧过程的压力；通过温度检测模块9检测芯片压紧过程的温度；通过中央控制模块10控制各个模块正常工作；通过调试模块11对芯片进行调试；通过寿命预测模块12对芯片寿命进行预测；最后，通过显示器2显示压力、温度、寿命预测结果。
103.以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。