极薄电解铜箔及其制备方法和应用与流程

1.本发明涉及铜箔技术领域，具体涉及一种极薄电解铜箔及其制备方法和应用。


背景技术：

2.随着电子信息产业快速发展，电解铜箔的使用量越来越大，产品广泛应用于航空航天、通讯设备、锂离子电池、新能源汽车等领域，国内外市场对电解铜箔，尤其是高性能电解铜箔的需求日益增加。现代电子设备新增功能的拓展与性能提升导致组件数量日益增加，占用了更多的内部空间，电解铜箔除在动力电池、电路板方面应用，在高端应用领域将会开辟更多的应用空间，因此，对铜箔材料发展趋势提出了轻薄化、低轮廓、高光泽度、易剥离的新要求。
3.电解铜箔应用于ic载板、锂离子电池、5g信号高频高速传输领域等后端产品时，首先要保证所需的电解铜箔是超薄低轮廓铜箔(厚度≤1.5μm)，铜箔的轮廓度(表面粗糙度)低是一个关键的性能指标，能够保证信号的稳定传输，否则会导致高频信号传输延迟大、效率低的问题；其次，锂离子电池用的双光面铜箔对耐高温防氧化、抗拉强度和延伸率有一定要求，确保在对负极片进行压平时铜箔能够充分变形，否则将会造成极片易断裂问题，从而影响电池的成品率和循环寿命；同时，铜箔层与阴极面可完整剥离也是对铜箔制备技术的一项挑战，工业上常常需用物理手段将铜箔从阴极上剥离，有时铜箔的粘结性太高将导致铜箔易撕裂，浪费箔材。然而，当前国内的极薄电解铜箔普遍存在轮廓度高、抗氧化性能差、铜箔层与阴极面难以完整剥离等问题，因此，发展适用于高端产品应用的低轮廓、高抗氧、易剥离的极薄铜箔制备技术，既可以保证信号的传输速率、减少信号传输的损失，显著改善后端应用，又能够节约制备成本，提高生产效率，这将成为现今以至未来铜箔技术发展中的一项重大研究课题。
4.目前国内电子铜箔的制造企业常使用镀铬手段进行防氧化处理，虽然具有良好的耐热耐磨能力和化学稳定性，但六价铬剧毒，严重污染环境，随着国家新型环保形式的出现，电镀正逐渐向无铬化发展。铜箔产品的绿色环保表面处理对于国内发展新兴产业是一项极大的挑战。开展高性能的极薄铜箔的研究对铜箔工业、电子、通讯、能源、交通、航天、军事等产业的发展有重大意义。


技术实现要素：

5.本发明的目的是为了克服现有技术中极薄铜箔难剥离、抗氧化性能差的问题，提供了一种极薄电解铜箔及其制备方法和应用。
6.为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种极薄电解铜箔，其中，所述铜箔的厚度为0.5-3μm，表面粗糙度rz为0.5-3.5μm，光亮度60
°
为 180-250gu，抗拉强度为320-430mpa，延伸率为1.5-3.2％，表面张力为 65-78mm/m以上；在220℃下放置2h不变色。
7.本发明第二方面提供了一种极薄电解铜箔的制备方法，其中，所述方法包括：
8.(1)将阴极和阳极置于含铜电解液中，通电进行电解处理，得到生箔；
9.(2)将所述生箔置于含防氧化剂的水溶液中浸泡后水洗、烘干后，进行表面离子化处理；
10.其中，在步骤(1)中，将导电玻璃浸入含导电聚合物的水溶液中进行前处理并烘干后作为所述阴极。
11.本发明第三方面提供了一种第二方面所述方法制备得到的极薄电解铜箔。
12.本发明第四方面提供了一种第三方面所述极薄电解铜箔在芯片封装中的应用。
13.通过上述技术方案，采用本发明提供的方法制得的极薄电解铜箔具有以下优势：
14.(1)在制备时可与阴极自动剥离，且剥离下来的铜箔属于双光面铜箔，解决了实际生产中铜箔难以剥离导致的撕裂现象；
15.(2)铜箔厚度极薄，抗氧化性高，力学性能好，可用于芯片封装，相较于同类芯片封装用电解铜箔，体积与重量占比可减少50-70％，满足当前芯片封装与5g通信领域对于铜箔轻量化的要求；
16.(3)具有超低轮廓(表面粗糙度rz为0.5-3.5μm)的特征，用于通信领域能够加快信号传输，改善信号传输的稳定性；
17.(4)铜箔表面张力大(65-78mm/m)，表现为亲水性，具有一定的粘结性，应用于锂电池中能够提高循环容量；应用于印刷电路板中具有一定的剥离强度，性能佳。
附图说明
18.图1是实施例1极薄铜箔的扫描电镜(sem)图像(放大20000倍)；
19.图2是实施例1极薄铜箔的截面的扫描电镜(sem)图像(放大10000 倍)；
20.图3是实施例2极薄铜箔的截面的扫描电镜(sem)图像(放大10000 倍)。
具体实施方式
21.在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
22.本发明第一方面提供了一种极薄电解铜箔，其中，所述铜箔的厚度为 0.5-3μm，表面粗糙度rz为0.5-3.5μm，光亮度60
°
为180-250gu，抗拉强度为320-430mpa，延伸率为1.5-3.2％，表面张力为65-78mm/m以上；在220℃下放置2h不变色。
23.在本发明中，铜箔的厚度通过型号为美国fei mla650f的扫描电镜 (sem)获得；铜箔的表面粗糙度采用型号为德国马尔ps-10粗糙仪测得；铜箔的抗拉强度和延伸率采用型号为日本岛津ag-is/1kn拉伸试验机测得；光亮度采用深圳三恩时3nh光泽度仪测得；表面张力采用美国爱莎a.shine 达因笔测得；抗氧化性通过在dz-1bciv真空干燥箱中加热测得。
24.在本发明中，所述铜箔厚度极薄，抗氧化性高，力学性能好，可用于芯片封装，相较于同类芯片封装用电解铜箔，体积与重量占比可减少50-70％，满足当前芯片封装与5g通信领域对于铜箔轻量化的要求；且具有超低轮廓 (表面粗糙度rz为0.5-3.5μm)的特征，用于通信领域能够加快信号传输，改善信号传输的稳定性；表面张力大(65-78mm/m)，表现为亲
水性，具有一定的粘结性，应用于锂电池中能够提高循环容量；应用于印刷电路板中具有一定的剥离强度，性能佳。
25.本发明第二方面提供了一种极薄电解铜箔的制备方法，其中，所述方法包括：
26.(1)将阴极和阳极置于含铜电解液中，通电进行电解处理，得到生箔；
27.(2)将所述生箔置于含防氧化剂的水溶液中浸泡后水洗、烘干后，进行表面离子化处理；
28.其中，在步骤(1)中，将导电玻璃浸入含导电聚合物的水溶液中进行前处理并烘干后作为所述阴极。
29.本发明中，所述导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡(ito)膜加工制成。
30.在本发明中，限定导电玻璃为阴极，并将其置于导电聚合物水溶液中进行前处理，通过上述技术手段的协同作用，可以取得铜箔自剥离的技术效果，同时能够将所述铜箔的表面粗糙度rz控制在0.5-3.5μm。
31.在本发明中，所述阳极材料可以选择本领域的常规阳极电极材料；优选地，所述阳极材料可以选自纯铜板、涂钽钛板、涂钽铱钛板或钌-铱-钛三元涂层钛板。
32.在本发明的一种优选实施方式中，所述前处理的时间为5-10s。
33.在本发明的一种优选实施方式中，所述导电聚合物选自聚吡咯、聚苯胺、聚酞菁中的至少一种。
34.在本发明的一种优选实施方式中，所述导电聚合物的水溶液的体积浓度为2-4.5％。
35.在本发明的一种优选实施方式中，所述含铜电解液的配制方法包括：将络合剂和辅助络合剂加入碱液中，得到溶液a；将含铜化合物、含锌化合物、含助剂金属化合物、光亮剂加入水中，得到溶液b，再将所述溶液a和溶液 b混合，得到所述含铜电解液。
36.在本发明中，通过添加光亮剂，使得制得的铜箔的光亮度60
°
能够达到 180-250gu。
37.在本发明的一种优选实施方式中，所述碱液为碱的水溶液，所述碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
38.在本发明的一种优选实施方式中，所述络合剂选自酒石酸钾钠、酒石酸钾、酒石酸钠、焦磷酸钾、焦磷酸钠、甘氨酸、组氨酸、脯氨酸、半胱氨酸、亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾中的至少一种。
39.在本发明的一种优选实施方式中，所述辅助络合剂选自柠檬酸钠、柠檬酸钾和柠檬酸二钠中的至少一种。
40.在本发明的一种优选实施方式中，所述含铜化合物选自铜的硫酸盐、氯化盐和硝酸盐中的至少一种。
41.在本发明的一种优选实施方式中，所述含锌化合物选自锌的硫酸盐、氯化盐和硝酸盐中的至少一种。
42.在本发明的一种优选实施方式中，所述含助剂金属化合物中的助剂金属选自bi、sn、sb、cd中的至少一种，所述含助剂金属化合物选自所述助剂金属的硫酸盐、氯化盐和硝酸盐中的至少一种。
43.在本发明的一种优选实施方式中，所述光亮剂选自2-巯基苯并咪唑、聚乙烯亚胺、硫脲、2-巯基丙酸、硫代吗啉-3-羧酸盐酸盐中的至少一种。
44.在本发明的一种优选实施方式中，所述碱液、络合剂、辅助络合剂、含铜化合物、含锌化合物、含助剂金属化合物和光亮剂的用量使得在所述含铜电解液中，所述碱的浓度为20-60g/l，优选为30-55g/l；
45.所述络合剂的浓度为70-150g/l，优选为80-100g/l；
46.所述辅助络合剂的浓度为5-50g/l，优选为10-40g/l；
47.以铜元素计，所述含铜化合物的浓度为10-60g/l，优选为30-50g/l；
48.以锌元素计，所述含锌化合物的浓度为10-25g/l，优选为11-15g/l；
49.以所述助剂金属计，所述含助剂金属化合物的浓度为0.01-1g/l，优选为0.01-0.5g/l；
50.所述光亮剂的浓度为0.001-0.1g/l，优选为0.001-0.05g/l。
51.在本发明的一种优选实施方式中，所述电解处理采用稳压直流电源。
52.在本发明的一种优选实施方式中，所述电解处理的电流密度为 0.5a/dm
2-3.5a/dm2，优选为0.5a/dm
2-2a/dm2。
53.在本发明的一种优选实施方式中，所述电解处理的时间为400s-800s，优选为500s-700s。
54.在本发明的一种优选实施方式中，所述电解处理的温度为40-60℃，优选为40-55℃。
55.在本发明的一种优选实施方式中，所述含铜电解液的循环速率为 1-10l/min，优选为2-8l/min。
56.在本发明中，通过限定电解工艺参数，同时配合导电玻璃作为阴极材料，使得电沉积所得铜箔晶粒细小，表面致密，进而使制得的铜箔具有较好的力学性能，抗拉强度达到320-430mpa，延伸率达到1.5-3.2％。
57.在本发明的一种优选实施方式中，所述防氧化剂选自铬酐、葡萄糖、葡萄糖酸、半乳糖、岩藻糖、钼酸钠、钼酸钾、钼酸锌、钼酸铋、硫酸镍、硫酸锌、硫酸铬中的两种及以上。
58.在本发明的一种优选实施方式中，所述防氧化剂的浓度为0.5-5g/l，优选为0.6-4g/l。
59.根据本发明，所述生箔的表面离子化处理可以在电晕机中进行；优选地，所述表面离子化处理的过程包括：将所述生箔置于阳极和阴极之间并施加高压电源；更优选地，所述表面离子化处理中的阳极和阴极选自耐高温、耐臭氧、高绝缘的硅橡辊或陶瓷辊。
60.根据本发明，在所述表面离子化处理过程中，生箔表面的防氧化剂分子氧化，与空气电离后产生的自由基发生氧化反应，形成一层物理屏障，进一步达到表面防氧化的目的。
61.在本发明中，所述表面离子化处理主要依靠电子、离子、激发态原子和自由基等活性离子的激活作用，使铜箔表面的防氧化剂反应形成稳定的简单小分子，能够有效阻挡氧接触铜箔，达到防氧化效果，同时还能提升铜箔的表面张力。
62.在本发明的一种优选实施方式中，所述表面离子化处理的电压为 1000-5000v，功率为2-10kw。
63.本发明第三方面提供了一种第二方面所述方法制备得到的极薄电解铜箔。
64.所述极薄电解铜箔的结构、性能如前所述，不再赘述。
65.本发明第四方面提供了一种第三方面所述极薄电解铜箔在芯片封装中的应用。
66.以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
67.以下实施例和对比例中，铜箔的厚度通过型号为美国fei mla650f的扫描电镜(sem)获得；
68.铜箔的表面粗糙度采用型号为德国马尔ps-10粗糙仪测得；
69.铜箔的抗拉强度和延伸率采用型号为日本岛津ag-is/1kn拉伸试验机测得；
70.光亮度采用深圳三恩时3nh光泽度仪测得；
71.表面张力采用美国爱莎a.shine达因笔测得；
72.抗氧化性采用dz-1bciv真空干燥箱测得，在dz-1bciv真空干燥箱中，将铜箔于150℃或220℃的温度下加热，铜箔在越高的温度下保持不变色的时间越长，则其抗氧化性越高。
73.实施例1
74.将络合剂酒石酸钾钠、辅助络合剂柠檬酸钠加入到氢氧化钠溶液中(氢氧化钠浓度为50g/l)，得到溶液a；将五水硫酸铜、七水硫酸锌、bi2(so4)3、2-巯基苯并咪唑加入到去离子水中，得到溶液b；将上述所得溶液a与溶液 b混合后，加入去离子水定容至所需体积得到含铜电解液；
75.其中，在所述含铜电解液中，氢氧化钠的浓度为50g/l，酒石酸钾钠的浓度为100g/l，柠檬酸钠的浓度为20g/l，cu
2+
的浓度为40g/l，zn
2+
的浓度为11.5g/l，bi
3+
的浓度为0.2g/l，2-巯基苯并咪唑浓度为0.002g/l；
76.将导电玻璃在体积浓度为2％的聚吡咯水溶液中进行前处理(前处理时间为8s)后作为阴极，以涂铱钛板为阳极，采用稳压直流电源，对所述含铜电解液在搅拌状态下进行电解处理，得到生箔；其中，所述电解处理的条件为：电流密度为0.9a/dm2，沉积时间为600s，温度为45℃，电解液循环速率为6l/min；
77.将所述生箔置于含有铬酐和葡萄糖的水溶液(铬酐浓度为0.8g/l，葡萄糖浓度为3g/l)中浸泡30s后，水洗并在80℃下空气鼓风烘干，再将其置于阳极和阴极之间并施加高压电源，进行表面离子化处理，得到极薄电解铜箔；其中，所述表面离子化处理的条件为：功率为2kw，瞬时电压为1270v，所述表面离子化处理的阳极和阴极材料均为硅橡辊。
78.本实施例制得的极薄电解铜箔的扫描电镜(sem)图像(放大20000倍) 如图1所示，极薄电解铜箔的截面的扫描电镜(sem)图像(放大10000倍) 如图2所示，通过图1可以看出本实施例制得的极薄铜箔表面完整、致密，无裂痕，通过图2可以看出铜箔的厚度为1.241-1.376μm，满足极薄铜箔的要求。
79.实施例2
80.将络合剂甘氨酸、辅助络合剂柠檬酸钠加入到氢氧化钠溶液中(氢氧化钠浓度为50g/l)，得到溶液a；将五水硫酸铜、七水硫酸锌、sb2(so4)3、聚乙烯亚胺加入到去离子水中，得到溶液b；将上述所得溶液a与溶液b 混合后，加入去离子水定容至所需体积得到含铜电解液；
81.其中，在所述含铜电解液中，氢氧化钠的浓度为40g/l，甘氨酸的浓度为100g/l，柠檬酸钠的浓度为20g/l，cu
2+
的浓度为50g/l，zn
2+
的浓度为13g/l，助剂sb
3+
的浓度为0.3g/l，
聚乙烯亚胺浓度为0.002g/l；
82.将导电玻璃在体积浓度为2.5％的聚苯胺水溶液中进行前处理(前处理时间为8s)后作为阴极，以涂铱钛板为阳极，采用稳压直流电源，对所述含铜电解液在搅拌状态下进行电解处理，得到生箔；其中，所述电解处理的条件为：电流密度为1a/dm2，沉积时间为700s，温度为50℃，电解液循环速率为8l/min；
83.将所述生箔置于含有铬酐和半乳糖的水溶液(铬酐浓度为0.9g/l，半乳糖浓度为3g/l)中浸泡30s后，水洗并在80℃下空气鼓风烘干，再将其置于阳极和阴极之间并施加高压电源，进行表面离子化处理，得到极薄电解铜箔；其中，所述表面离子化处理的条件为：功率为3kw，瞬时电压为1860v，所述表面离子化处理的阳极和阴极材料均为硅橡辊。
84.本实施例制得的极薄电解铜箔的截面的扫描电镜(sem)图像(放大 10000倍)如图3所示，通过图3可以看出铜箔的厚度为1.268-1.430μm，满足极薄铜箔的要求。
85.实施例3
86.将络合剂亚硫酸钠、辅助络合剂柠檬酸钠加入到氢氧化钠溶液中(氢氧化钠浓度为50g/l)，得到溶液a；将五水硫酸铜、七水硫酸锌、snso4、硫脲加入到去离子水中，得到溶液b；将上述所得溶液a与溶液b混合后，加入去离子水定容至所需体积得到含铜电解液；
87.其中，在所述含铜电解液中，氢氧化钠的浓度为30g/l，亚硫酸钠的浓度为80g/l，柠檬酸钠的浓度为20g/l，cu
2+
的浓度为60g/l，zn
2+
的浓度为 13g/l，sn
2+
的浓度为0.4g/l，硫脲的浓度为0.002g/l；
88.将导电玻璃在体积浓度为3％的聚酞菁水溶液中进行前处理(前处理时间为10s)后作为阴极，以涂铱钛板为阳极，采用稳压直流电源，对所述含铜电解液在搅拌状态下进行电解处理，得到生箔；其中，所述电解处理的条件为：电流密度为1.5a/dm2，沉积时间为750s，温度为55℃，电解液循环速率为9l/min；
89.将所述生箔置于含有钼酸钾和硫酸镍的水溶液(钼酸钾浓度为1.5g/l，硫酸镍浓度为3.5g/l)中浸泡30s后，水洗并在80℃下空气鼓风烘干，再将其置于阳极和阴极之间并施加高压电源，进行表面离子化处理，得到极薄电解铜箔；其中，所述表面离子化处理的条件为：功率为5kw，瞬时电压为 3520v，所述表面离子化处理的阳极和阴极材料均为硅橡辊。
90.实施例4
91.将络合剂半胱氨酸、辅助络合剂柠檬酸钠加入到氢氧化钠溶液中(氢氧化钠浓度为50g/l)，得到溶液a；将五水硫酸铜、七水硫酸锌、cdso4、硫代吗啉-3-羧酸盐酸盐加入到去离子水中，得到溶液b；将上述所得溶液a 与溶液b混合后，加入去离子水定容至所需体积得到含铜电解液；
92.其中，在所述含铜电解液中，氢氧化钠的浓度为20g/l，半胱氨酸的浓度为100g/l，柠檬酸钠的浓度为20g/l，cu
2+
的浓度为40g/l，zn
2+
的浓度为 15g/l，cd
2+
的浓度为0.5g/l，硫代吗啉-3-羧酸盐酸盐浓度为0.004g/l；
93.将导电玻璃在体积浓度为2％的聚吡咯水溶液中进行前处理(前处理时间为10s)后作为阴极，以涂铱钛板为阳极，采用稳压直流电源，对所述含铜电解液在搅拌状态下进行电解处理，得到生箔；其中，所述电解处理的条件为：电流密度为2a/dm2，沉积时间为800s，温度为55℃，电解液循环速率为10l/min；
94.将所述生箔置于含有钼酸铋和硫酸铬的水溶液(钼酸铋浓度为0.9g/l，硫酸铬浓
度为3g/l)中浸泡30s后，水洗并在80℃下空气鼓风烘干，再将其置于阳极和阴极之间并施加高压电源，进行表面离子化处理，得到极薄电解铜箔；其中，所述表面离子化处理的条件为：功率为7kw，瞬时电压为4070v，所述表面离子化处理的阳极和阴极材料均为硅橡辊。
95.实施例5
96.将络合剂焦磷酸钾、辅助络合剂柠檬酸钠加入到氢氧化钠溶液中(氢氧化钠浓度为50g/l)，得到溶液a；将五水硫酸铜、七水硫酸锌、bi2(so4)3、 2-巯基丙酸加入到去离子水中，得到溶液b；将上述所得溶液a与溶液b混合后，加入去离子水定容至所需体积得到含铜电解液；
97.其中，在所述含铜电解液中，氢氧化钠的浓度为60g/l，焦磷酸钾的浓度为120g/l，柠檬酸钠的浓度为20g/l，cu
2+
的浓度为45g/l，zn
2+
的浓度为 12g/l，bi
3+
的浓度为0.2g/l，2-巯基丙酸的浓度为0.05g/l；
98.将导电玻璃在体积浓度为2％的聚吡咯水溶液中进行前处理(前处理时间为5s)后作为阴极，以涂铱钛板为阳极，采用稳压直流电源，对所述含铜电解液在搅拌状态下进行电解处理，得到生箔；其中，所述电解处理的条件为：电流密度为2a/dm2，沉积时间为1000s，温度为60℃，电解液循环速率为15l/min；
99.将所述生箔置于含有硫酸锌和岩藻糖的水溶液(硫酸锌浓度为1g/l，岩藻糖浓度为3g/l)中浸泡30s后，水洗并在80℃下空气鼓风烘干，再将其置于阳极和阴极之间并施加高压电源，进行表面离子化处理，得到极薄电解铜箔；其中，所述表面离子化处理的条件为：功率为10kw，瞬时电压为4930v，所述表面离子化处理的阳极和阴极材料均为硅橡辊。
100.对比例1
101.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，导电玻璃不进行前处理。
102.本对比例制得的极薄铜箔表面有明显瑕疵，同时极薄铜箔与阴极较难分离，极薄铜箔发生撕裂现象，自剥离效果差，无法提供给后端应用。
103.对比例2
104.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，阴极换为钛板，并对阴极进行前处理。
105.本对比例制得的极薄铜箔与阴极无法剥离，无法进行后续处理。
106.对比例3
107.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，阴极换为钛板，对阴极材料也不进行前处理。
108.本对比例制得的极薄铜箔与阴极无法剥离，无法进行后续处理。
109.对比例4
110.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，不进行表面离子化处理。
111.本对比例制得的极薄铜箔表面完整、致密，无裂痕，自剥离效果佳，在 150℃，10min时氧化严重，抗氧化能力较差。
112.对比例5
113.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，不将所得生箔置于含防氧化剂的水溶液中浸泡，而是直接将生箔进行表面离子化处理。
114.本对比例制得的极薄铜箔表面完整、致密，无裂痕，自剥离效果佳，在150℃，20min时氧化严重，抗氧化能力较差。
115.对比例6
116.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，得到生箔后不再进行后续处理。
117.本对比例制得的极薄铜箔表面完整、致密，无裂痕，自剥离效果佳，在常温时氧化严重，抗氧化能力差。
118.对比例7
119.按照实施例1的方法进行制备，不同的是，电解处理的电流密度为 4a/dm2。
120.根据本对比例所使用条件，无法制得极薄铜箔，原因是导电玻璃的电阻比钛板电阻大，电流效率小，当电流密度过大时，实际沉积出的铜的质量过少，无法形成铜箔。
121.以上各实施例和对比例的极薄电解铜箔各项参数列于表1，其中，对比例2-3制得的极薄铜箔与阴极无法剥离，无法进行后续处理，对比例7无法制得铜箔，因此，对比例2-3、7无法测得相关参数。
122.表1
123.[0124][0125]
注：*-sem测试的平均厚度
[0126]
由上述实施例、对比例的实施结果和表1的数据，可以看出，采用本发明的技术方案制备铜箔过程中具有自剥离效果，解决了实际生产中铜箔难以剥离导致的撕裂问题，且制备得到的铜箔厚度极薄，表面张力大，抗氧化性高，力学性能好。
[0127]
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。