获取水平井各向异性地层电阻率的方法及装置与流程

本发明涉及地球物理勘探
技术领域：
，特别涉及一种获取水平井各向异性地层电阻率的方法及装置。
背景技术：
：地层电阻率是储层评价的重要参数之一，地层电阻率与测井电位、钻井时间、油气储量以及含油饱和度等石油勘探参数紧密相连，而在水平井中，经常由于地层存在电阻率各向异性现象而使测量电阻率失真。因此，获取各向异性地层水平电阻率和垂直电阻率是石油勘探的一个重要工作步骤。现有技术中，通常根据实验室测量得到所述地层水平电阻率和垂直电阻率，但无法直接根据实际测量值得到连续的地层水平电阻率和垂直电阻率。很多地层存在电阻率各向异性现象，水平井眼中的地层尤其需要考虑，因为水平井中电阻率各向异性对仪器测量影响很大，这时双感应测得的电阻率是水平电阻率和垂直电阻率的综合值。各向异性现象多数是由于地层内夹杂着具有不同电阻率的其他地层而产生的，地层形成是逐层沉积的，因此水平方向和垂直方向的电阻率最能反映地层的真实情况。用电缆双感应测得的电阻率偏离真实地层电阻率，根据所述双感应测得的电阻率计算得到的含油饱和度等参数值误差也相对较大。技术实现要素：为了克服现有技术的上述缺陷，本发明实施例中提供了一种获取水平井各向异性地层电阻率的方法及装置，其能够更精确的得到水平井各向异性地层电阻率。本发明实施例的具体技术方案是：一种获取水平井各向异性地层电阻率的方法，其包括以下步骤：获取目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和目标地层的水平电阻率；基于所述水平电阻率和不同的预设电阻率各向异性系数得到目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率；基于所述水平电阻率和目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率得到目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值；基于目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值建立第一坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第一坐标系中进行拟合得到第一拟合系列方程；根据第一拟合系列方程、目标地层的双感应测井数据和井斜角曲线数据获取所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率；基于目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值中的深感应值和电阻率各向异性系数建立第二坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第二坐标系中进行拟合得到第二拟合系列方程；基于目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和所述第二拟合系列方程得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数；基于所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率和目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数得到目标地层在实际井斜角条件下的垂直电阻率。在一个优选的实施方式中，双感应测井响应值包括深感应值和中感应值，深中感应差值＝深感应值-中感应值。在一个优选的实施方式中，在所述基于目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值建立第一坐标系的步骤中，以深中感应差值为直角坐标系的横坐标，以深感应值的对数值作为所述直角坐标系的纵坐标建立第一坐标系。在一个优选的实施方式中，不同的预设井斜角在75°到90°的范围内按第一预设步长递增取值。在一个优选的实施方式中，第一预设步长为5度。在一个优选的实施方式中，当预设井斜角增长至90度时，假设预设井斜角为89度代替90度。在一个优选的实施方式中，不同的预设电阻率各向异性系数在1.0到4.0的范围内按第二预设步长递增取值。在一个优选的实施方式中，第二预设步长为0.5。在一个优选的实施方式中，不同的预设水平电阻率分别为2Ω·m、5Ω·m、10Ω·m、20Ω·m、50Ω·m和100Ω·m。在一个优选的实施方式中，在所述基于目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和所述第二拟合系列方程得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数的步骤中，当实际井斜角不在第二拟合系列方程上时，采用插值法得到目标地层在该实际井斜角下的电阻率各向异性系数。在一个优选的实施方式中，在所述根据第一拟合系列方程、目标地层的双感应测井数据和井斜角曲线数据获取所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率的步骤中，当实际井斜角不在第一拟合系列方程上时，采用插值法得到目标地层在该实际井斜角下的水平电阻率。一种获取水平井各向异性地层电阻率的装置，包括：数据获取模块，其用于获取目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和目标地层的水平电阻率；计算模块，其用于根据所述水平电阻率和目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率得到目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值；第一拟合模块，其用于根据目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值建立第一坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第一坐标系中进行拟合得到第一拟合系列方程；水平电阻率获取模块，其用于根据第一拟合系列方程、目标地层的双感应测井数据和井斜角曲线数据获取所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率；第二拟合模块，其用于根据目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值中的深感应值和电阻率各向异性系数建立第二坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第二坐标系中进行拟合得到第二拟合系列方程；电阻率各向异性系数获取模块，其用于根据目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和所述第二拟合系列方程得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数；垂直电阻率获取模块，其用于根据所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率和目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数得到目标地层在实际井斜角条件下的垂直电阻率。本发明实施例中的获取水平井各向异性地层电阻率的方法可以有效的避免用电缆双感应测得的电阻率偏离真实地层电阻率的情况，通过本方法处理后所得的水平电阻率和垂直电阻率更加接近地层的实际情况，进而有助于储层评价的准确性。附图说明在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本发明公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本发明的理解，并不是具体限定本发明各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本发明的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本发明。图1为本发明在实施例中的流程图。图2为本发明实施例中75度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第一坐标系。图3为本发明实施例中80度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第一坐标系。图4为本发明实施例中85度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第一坐标系。图5为本发明实施例中89度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第一坐标系。图6为本发明实施例中75度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第二坐标系。图7为本发明实施例中80度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第二坐标系。图8为本发明实施例中85度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第二坐标系。图9为本发明实施例中89度预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的第二坐标系。图10为本发明实施例中获取水平井各向异性地层电阻率的装置的结构示意图。具体实施方式结合附图和本发明具体实施方式的描述，能够更加清楚地了解本发明的细节。但是，在此描述的本发明的具体实施方式，仅用于解释本发明的目的，而不能以任何方式理解成是对本发明的限制。在本发明的教导下，技术人员可以构想基于本发明的任意可能的变形，这些都应被视为属于本发明的范围。为了能够更精确的得到水平井各向异性地层电阻率，图1为本发明在实施例中的流程图，如图1所示，在本申请中申请人提出了一种获取水平井各向异性地层电阻率的方法，该方法包括以下步骤：S101：获取目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和目标地层的水平电阻率。通过现有的常规方法获取得到目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和目标地层的水平电阻率，其中可以根据实验室测量、电缆双感应等方式得到目标地层的水平电阻率，该目标地层的水平电阻率可能偏离地层的实际情况。S102：基于所述水平电阻率和不同的预设电阻率各向异性系数得到目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率。具体为根据该水平电阻率计算该目标地层在不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率，其中，预设电阻率各向异性系数是指地层垂直方向电阻率与水平方向电阻率比值之平方根。在本发明实施例中，该不同的预设电阻率各向异性系数(λ)是在1.0到4.0的范围内按第二预设步长递增取值，第二预设步长可以为0.5。S103：基于所述水平电阻率和目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率得到目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值。具体地，是根据步骤S101和S102中得到的水平电阻率、垂直电阻率，利用双感应测井仪测量并采用有限元素法计算该目标地层在不同的预设井斜角、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值。双感应测井响应值包括：深感应值及中感应值。其中，该不同的预设井斜角是指，在75到90°的范围内按第一预设步长递增取值。第一预设步长可以为5度。由于地层是一层一层分布的，井眼不可能完全在一个地层而不达到其它层，所以预设井斜角一般不可能为90度呈完全水平，所以在此假设最后一个预设井斜角为89度代替90度，由于89度基本接近于90度，该假设下计算产生的误差较小且在该井斜角下满足井眼能从一个地层达到另一个地层。S104：基于目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值建立第一坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第一坐标系中进行拟合得到第一拟合系列方程。由不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值计算深中感应差值，深中感应差值的公式具体为：深中感应差值＝深感应值-中感应值。再建立深中感应差值与深感应对数值及预设水平电阻率的第一坐标系，并在坐标系中插入不同的预设水平电阻率的离散点。具体的。以深中感应差值为直角坐标系的横坐标，以深感应值的对数值作为所述直角坐标系的纵坐标，并进一步在该第一坐标系中插入不同的预设水平电阻率的离散点，从而形成如图2～图5所示的某工区的深中感应差值与深感应值的对数值的第一坐标系。其中，曲线上的点的X轴和Y轴数值分别表示在按照步长计算的不同预设井斜角、不同的预设水平电阻率下的深中感应差值以及深感应对数值。不同的预设水平电阻率分别为2Ω·m、5Ω·m、10Ω·m、20Ω·m、50Ω·m和100Ω·m。将上述离散点拟合成多条曲线，并根据多条曲线分别获取第一拟合系列方程，第一拟合系列方程包括多条曲线得到的多个方程。根据图2-图5所示的各拟合曲线获取的第一拟合系列方程如表1-表4所示，其中，深感应对数值为Y，深中感应差值为X。表1水平电阻率/Ω.m第一拟合系列方程(井斜角75°)100y＝0.1351x3-0.5319x2+0.7495x+2.050y＝0.3557x3-1.0148x2+1.0392x+1.69920y＝1.1013x3-2.1453x2+1.5235x+1.30110y＝2.2175x3-3.3889x2+1.9396x+1.05y＝4.9107x3-5.8308x2+2.5861x+0.6992y＝18.374x3-14.661x2+4.0771x+0.301表2水平电阻率/Ω.m第一拟合系列方程(井斜角80°)100y＝0.044x3-0.2671x2+0.5671x+2.050y＝0.1138x3-0.5037x2+0.7825x+1.69920y＝0.3812x3-1.1329x2+1.1889x+1.30110y＝0.9042x3-2.0239x2+1.6098x+1.05y＝1.9219x3-3.3318x2+2.0797x+0.6992y＝6.1666x3-7.439x2+3.0975x+0.301表3水平电阻率/Ω.m第一拟合系列方程(井斜角85°)100y＝0.0184x3-0.1565x2+0.4565x+2.050y＝0.0486x3-0.2998x2+0.636x+1.69920y＝0.1636x3-0.6774x2+0.9675x+1.30110y＝0.3874x3-1.2071x2+1.3157x+1.05y＝0.867x3-2.0654x2+1.7233x+0.6992y＝2.5638x3-4.3379x2+2.4915x+0.301表4水平电阻率/Ω.m第一拟合系列方程(井斜角89°)100y＝0.0134x3-0.1292x2+0.4236x+2.050y＝0.0406x3-0.2709x2+0.6108x+1.69920y＝0.1606x3-0.7306x2+1.0571x+1.30110y＝0.2778x3-0.9849x2+1.2016x+1.05y＝0.7625x3-1.942x2+1.7026x+0.6992y＝1.8897x3-3.5523x2+2.2641x+0.301S105：根据第一拟合系列方程、目标地层的双感应测井数据和井斜角曲线数据获取所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率。当实际井斜角是步长5°的倍数以及数据点在某条曲线上时，直接按照表1-表4中对应的拟合方程求解目标地层在该实际井斜角下的水平电阻率。当实际井斜角不是5°的倍数或数据点不在某条曲线上时，则采用插值法计算该目标地层的水平电阻率。例如，设井斜角83°时深中感应差值以及深感应对数值分别为1.0和1.7，先计算井斜角80°时对应的水平电阻率：由y＝1.7和图3可知该点介于水平电阻率为10Ω.m和20Ω.m两条曲线之间，由表2第4和第3个拟合方程，将x＝1.0代入后得到y1＝1.4901、y2＝1.7382，由线性插值法可得其水平电阻率Rh1＝10.0+(20.0-10.0)/(1.7382-1.4901)×(1.7-1.4901)＝18.46(Ω.m)；再计算井斜角85°时对应的水平电阻率：由y＝1.7和图4可知该点介于水平电阻率为10Ω.m和20Ω.m两条曲线之间，由表3第4和第3个拟合方程，将x＝1.0代入后得到y1＝1.4960、y2＝1.7547，由线性插值法可得其水平电阻率Rh2＝10.0+(20.0-10.0)/(1.7547-1.4960)×(1.7-1.4960)＝17.88(Ω.m)；最后计算井斜角83°时对应的水平电阻率：Rh＝18.46+(17.88-18.46)/(85.0-80.0)×(83.0-80.0)＝18.112(Ω.m)。S106：基于目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值中的深感应值和电阻率各向异性系数建立第二坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第二坐标系中进行拟合得到第二拟合系列方程。建立目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值中的深感应值与电阻率各向异性系数的第二坐标系，具体地，以深感应值的对数值为直角坐标系的横坐标，以电阻率各向异性系数作为所述直角坐标系的纵坐标，并进一步在该坐标系中插入不同的预设水平电阻率的离散点，从而形成如图6～图9所示的某工区的深感应值的对数值与电阻率各向异性系数的第二坐标系，将离散点拟合成第二拟合系列方程，该拟合方程可以包括一元二次方程。其中，曲线上的点的X轴和Y轴分别表示在按照不同步长计算的不同预设井斜角、不同的预设水平电阻率下的深感应值的对数值以及电阻率各向异性系数。根据图6-图9所示的各拟合曲线获取的第二拟合系列方程如表5～表8所示，其中，深感应值的对数值为X，电阻率各向异性系数值为Y。表5表6水平电阻率/Ω.m第二拟合系列方程(井斜角80°)100y＝8.7957x2-34.333x+34.51450y＝8.6565x2-28.542x+24.53720y＝8.3824x2-20.899x+14.03310y＝8.084x2-15.217x+8.16325y＝7.6628x2-9.7129x+4.07442y＝6.5601x2-2.7017x+1.2447表7水平电阻率/Ω.m第二拟合系列方程(井斜角85°)100y＝6.1294x2-23.103x+22.70850y＝6.0125x2-18.995x+15.93620y＝5.7817x2-13.572x+8.890710y＝5.5303x2-9.5514x+5.03955y＝5.1772x2-5.6795x+2.45722y＝4.3421x2-0.8814x+0.887表8S107：基于目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和所述第二拟合系列方程得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数。将步骤S101中获取的双感应测井数据及井斜角曲线数据代入该第二拟合系列方程，可以计算得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数。具体地，计算深感应值的对数值与该地层相同的条件下，目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数。当实际井斜角是步长5°的倍数以及数据点在某条曲线上时，直接按照表5～8中对应的第二拟合系列方程求解该目标地层在该实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数。当实际井斜角不是5°的倍数以及数据点不在某条曲线上时，则采用插值法计算该目标地层在该实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数。例如，井斜角83°时深感应对数值为1.7，先计算井斜角80°时对应的电阻率各向异性系数：由x＝1.7、Rh＝18.112Ω.m及图7可知该点介于水平电阻率为10Ω.m和20Ω.m两条曲线之间，由表6第4和第3个拟合方程，分别取y1＝0.0、y2＝1.0、y3＝2.0代入后得到10Ω.m下：x110、x210、x310，20Ω.m下：x120’、x220、x320，根据x110、x120，x210、x220，x310、x320，由线性插值法即可得18.112Ω.m下：x118、x218、x318，由上述18.112Ω.m下三个点(x118，y1)、(x218，y2)、(x318，y3)即可求解出y＝ax2+bx+c中的a、b、c，已知80°井斜角下的x＝1.7，即可求出该点的电阻率各向异性系数y80。同样由井斜角85°时对应的电阻率各向异性系数：由x＝1.7、Rh＝18.112Ω.m及图8可知该点介于水平电阻率为10Ω.m和20Ω.m两条曲线之间，由表7第4和第3个拟合方程，分别取y1＝0.0、y2＝1.0、y3＝2.0代入后得到10Ω.m下：x110、x210、x310，20Ω.m下：x120、x220、x320，根据x110、x120，x210、x220，x310、x320，由线性插值法即可得18.112Ω.m下：x118、x218、x318，由上述18.112Ω.m下三个点(x118，y1)、(x218，y2)、(x318，y3)即可求解出y＝ax2+bx+c中的a、b、c，已知85°井斜角下的x＝1.7，即可求出该点的电阻率各向异性系数y85。最后由线性插值法计算井斜角83°时对应的电阻率各向异性系数。S108：基于所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率和目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数得到目标地层在实际井斜角条件下的垂直电阻率。目标地层在实际井斜角条件下的垂直电阻率＝目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率×(目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数)2。本发明实施例中的获取水平井各向异性地层电阻率的方法具有如下有益效果：通过数值模拟法建立实验地层不同井斜角条件下，预设水平电阻率、深中感应差值、深感应对数值与电阻率各向异性系数的关系，再经过拟合和计算获得目标地层的电阻率各向异性系数。通过此种方法获取的各向异性电阻率可为分析地层含泥状况和计算地层的水平电阻率或垂直电阻率提供更加准确的数据支持，以使分析和计算结果更加接近实际地层的情况，进而有助于储层评价的准确性。在下列本申请的实施例中还提出了一种获取水平井各向异性地层电阻率的装置，图10为本发明实施例中获取水平井各向异性地层电阻率的装置的结构示意图，如图10所示，获取水平井各向异性地层电阻率的装置包括：数据获取模块，其用于获取目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和目标地层的水平电阻率；计算模块，其用于根据所述水平电阻率和目标地层不同的预设电阻率各向异性系数下的垂直电阻率得到目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值；第一拟合模块，其用于根据目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数条件下的双感应测井响应值建立第一坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第一坐标系中进行拟合得到第一拟合系列方程；水平电阻率获取模块，其用于根据第一拟合系列方程、目标地层的双感应测井数据和井斜角曲线数据获取所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率；第二拟合模块，其用于根据目标地层在不同的预设井斜角下、不同的预设电阻率各向异性系数下的双感应测井响应值中的深感应值和电阻率各向异性系数建立第二坐标系，将不同的预设水平电阻率的离散点插入所述第二坐标系中进行拟合得到第二拟合系列方程；电阻率各向异性系数获取模块，其用于根据目标地层的双感应测井数据、井斜角曲线数据和所述第二拟合系列方程得到目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数；垂直电阻率获取模块，其用于根据所述目标地层在实际井斜角条件下的水平电阻率和目标地层在实际井斜角条件下的电阻率各向异性系数得到目标地层在实际井斜角条件下的垂直电阻率。在20世纪90年代，对于一个技术的改进可以很明显地区分是硬件上的改进(例如，对二极管、晶体管、开关等电路结构的改进)还是软件上的改进(对于方法流程的改进)。然而，随着技术的发展，当今的很多方法流程的改进已经可以视为硬件电路结构的直接改进。设计人员几乎都通过将改进的方法流程编程到硬件电路中来得到相应的硬件电路结构。因此，不能说一个方法流程的改进就不能用硬件实体模块来实现。例如，可编程逻辑器件(ProgrammableLogicDevice,PLD)(例如现场可编程门阵列(FieldProgrammableGateArray，FPGA))就是这样一种集成电路，其逻辑功能由用户对器件编程来确定。由设计人员自行编程来把一个数字系统“集成”在一片PLD上，而不需要请芯片制造厂商来设计和制作专用的集成电路芯片。而且，如今，取代手工地制作集成电路芯片，这种编程也多半改用“逻辑编译器(logiccompiler)”软件来实现，它与程序开发撰写时所用的软件编译器相类似，而要编译之前的原始代码也得用特定的编程语言来撰写，此称之为硬件描述语言(HardwareDescriptionLanguage，HDL)，而HDL也并非仅有一种，而是有许多种，如ABEL(AdvancedBooleanExpressionLanguage)、AHDL(AlteraHardwareDescriptionLanguage)、Confluence、CUPL(CornellUniversityProgrammingLanguage)、HDCal、JHDL(JavaHardwareDescriptionLanguage)、Lava、Lola、MyHDL、PALASM、RHDL(RubyHardwareDescriptionLanguage)等，目前最普遍使用的是VHDL(Very-High-SpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage)与Verilog。本领域技术人员也应该清楚，只需要将方法流程用上述几种硬件描述语言稍作逻辑编程并编程到集成电路中，就可以很容易得到实现该逻辑方法流程的硬件电路。控制器可以按任何适当的方式实现，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：ARC625D、AtmelAT91SAM、MicrochipPIC18F26K20以及SiliconeLabsC8051F320，存储器控制器还可以被实现为存储器的控制逻辑的一部分。本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。上述实施例阐明的系统、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种单元分别描述。当然，在实施本申请时可以把各单元的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。该计算机软件产品可以包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。该计算机软件产品可以存储在内存中，内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flashRAM)。内存是计算机可读介质的示例。计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括短暂电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。本申请可用于众多通用或专用的计算机系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的消费电子设备、网络PC、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等等。本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。虽然通过实施例描绘了本申请，本领域普通技术人员知道，本申请有许多变形和变化而不脱离本申请的精神，希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本申请的精神。当前第1页1 2 3