一种防中子辐射套管及墙体的制作方法

文档序号:17498177发布日期:2019-04-23 23:23阅读:401来源:国知局
一种防中子辐射套管及墙体的制作方法

本实用新型涉及建筑施工领域,特别涉及一种防中子辐射套管及墙体。



背景技术:

随着科学技术的进步和发展,在众多高精技术领域的加工制造中,对于加工制造环境,特别是对于实验室和测试场所的防辐射要求越来越高。目前,在建筑工程施工中,对于这些具有防辐射要求的建筑物而言,通常做法是采用防辐射材料制作形成防辐射墙体,进而得到具有防辐射能力的建筑结构。

虽然目前的防辐射建筑物能够提供较为可靠的防辐射效果,但是在进一步的研究中,发明人发现,目前的防辐射建筑物还存在有不足,具体如下述:

在实际工程中,建筑物通常有多个房间,所以为了方便各房间内设备之间的连接,在墙体上还需要设置套管,方便线路等穿墙而过。目前的套管都是直管,中子辐射在直线上不衰减,所以,在套管附近常常出现中子辐射泄漏。

所以,目前需要设计一种既方便各设备连接,又能够可靠防止中子辐射泄漏墙体结构。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于:针对目前防辐射墙体存在的上述不足,提供一种既方便各设备连接,又能够可靠防止中子辐射泄漏墙体结构。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种防中子辐射套管,包括设置在墙体内穿墙段,在所述穿墙段两端口之间的套管上,至少其中一部分为弯曲段,使所述穿墙段的两端口之间在直线方向上不贯通。本申请的防中子辐射套管,由于设置弯曲段,使穿墙段的两端口之间在直线方向上不贯通,使得穿墙段两端口,在直线方向上被弯曲段所阻挡,中子辐射也因弯曲段的阻挡而快速衰减,所以,在实际施工中,防辐射建筑物的墙体上,采用本申请的防中子辐射套管作为穿墙管,进而降低了中子辐射由穿墙管端口泄漏的风险。

优选的,所述弯曲段的凸起或者凹陷方向与墙体的长度方向或者宽度方向相一致。如此,便于弯曲段设置在墙体内,避免套管凸出于墙体外,或者增加墙体厚度。

优选的,所述弯曲段包括水平设置的直管段和竖直设置在所述直管段两端的竖直段。

优选的,所述弯曲段的弯曲位置采用弯头进行连接。

优选的,所述弯头为直角弯头。使弯曲部位的弯折处为直角转弯,进而确保套管内通道完全阻挡中子辐射的传输。

优选的,在所述穿墙段上,至少有一部分为波纹管段。通过设置波纹管段,该段的外壁为波纹状,能够大幅提高套管与墙体之间的连接可靠性,避免穿入或者拉出时,套管脱离墙体或者松动的情况;而波纹管段的内壁为波纹状,该起伏状的内壁能够更有效的阻挡中子辐射,进而也进一步的提高了本申请套管防中子辐射泄漏的效果;而且,也减小了套管内线路与套管之间的接触面积,方便。

优选的,所述穿墙段还包括与所述弯曲段两端连接的端口段,所述端口段靠近墙体外壁的一端朝所述穿墙段的内侧弯曲,使其端口的直径小于其余部分管体直径。采用该种方式,一方面是进一步的确保本申请套管与墙体之间连接的紧密性,另一方面,如此设置后,使本申请套管两端开口缩小,能够有效避免外部杂物和雨水进入套管内,而且,由于套管开口的缩小,也进一步的避免了辐射由开口进入套管内,如此,进一步的提高了本申请套管的防辐射能力;再一方面,还能够使套管内的导线存在较长的悬空段,在进一步提高套管防辐射能力的同时,也进一步的减小套管对其内部导线带来的不利影响,例如,当套管内存在信号线路时,能够减小对信号线路内信号传输的不利影响。

本申请还公开了一种采用上述防中子辐射的墙体,

一种墙体,包括上述的防中子辐射套管,在所述墙体内还设置由下至上的设置有防中子辐射的防辐射层。本申请的墙体,由于采用了上述的防辐射套管,能够显著的提高防辐射能力,避免中子辐射穿过套管。

优选的,所述防辐射层位于所述墙体内。将防辐射层设置在墙体内,能够有效避免防辐射层被损失,使墙体提供可靠的防辐射效果。

优选的,所述防辐射层为金属丝网。如此,使得防辐射层在起到防辐射作用的同时,还起到加强墙体结构的作用,特别是采用混凝土浇筑的墙体时,防辐射层还作为墙体的加强筋。

优选的,当墙体内存在至少两根所述防中子辐射套管时,所述防中子辐射套管之间为并排设置,并且,相邻防中子辐射套管中,上方的弯曲段位于下方的弯曲段内。如此设置,一方面是可有使各套管的开口相靠近,方便后期穿线工作,另一方面,下方套管还对上方套管起到屏蔽作用,对于某些不能完全被套管阻挡的辐射,能够启动多层屏蔽的效果,如此,使本申请墙体内的套管中,防辐射能力由下至上的逐渐增强,在实际使用中,可以将需要严格防辐射的线缆设置在较为上方的套管内,进而,进一步的提高了本申请墙体的防辐射能力。

综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

本申请的防中子辐射套管,由于设置弯曲段,使穿墙段的两端口之间在直线方向上不贯通,使得穿墙段两端口,在直线方向上被弯曲段所阻挡,中子辐射也因弯曲段的阻挡而快速衰减,所以,在实际施工中,防辐射建筑物的墙体上,采用本申请的防中子辐射套管作为穿墙管,进而降低了中子辐射由穿墙管端口泄漏的风险;

本申请的墙体,由于采用了上述的防辐射套管,能够显著的提高防辐射能力,避免中子辐射穿过套管。

附图说明

图1为防辐射套管的结构示意图;

图2为设置波纹管段时的结构示意图;

图3为防辐射套管设置在墙体内的结构示意图;

图4为墙体内存在至少两根所述防中子辐射套管时的结构示意图,

图中标记:1-弯曲段,2-墙体,3-直管段,4-竖直段,5-弯头,6-端口段,7-防辐射层。

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

具体实施方式:如图1-3所示,

一种防中子辐射套管,包括设置在墙体2内穿墙段,在所述穿墙段两端口之间的套管上,至少其中一部分为弯曲段1,使所述穿墙段的两端口之间在直线方向上不贯通。本申请的防中子辐射套管,由于设置弯曲段1,使穿墙段的两端口之间在直线方向上不贯通,使得穿墙段两端口,在直线方向上被弯曲段1所阻挡,中子辐射也因弯曲段1的阻挡而快速衰减,所以,在实际施工中,防辐射建筑物的墙体2上,采用本申请的防中子辐射套管作为穿墙管,进而降低了中子辐射由穿墙管端口泄漏的风险。

作为进一步的优选方式,所述弯曲段1的凸起或者凹陷方向与墙体2的长度方向或者宽度方向相一致。如此,便于弯曲段1设置在墙体2内,避免套管凸出于墙体2外,或者增加墙体2厚度。

作为进一步的优选方式,所述弯曲段1包括水平设置的直管段3和竖直设置在所述直管段3两端的竖直段4。

作为进一步的优选方式,所述弯曲段1的弯曲位置采用弯头5进行连接。

作为进一步的优选方式,所述弯头5为直角弯头5。使弯曲部位的弯折处为直角转弯,进而确保套管内通道完全阻挡中子辐射的传输。

作为进一步的优选方式,在所述穿墙段上,至少有一部分为波纹管段,如图2所示。通过设置波纹管段,该段的外壁为波纹状,能够大幅提高套管与墙体2之间的连接可靠性,避免穿入或者拉出时,套管脱离墙体2或者松动的情况;而波纹管段的内壁为波纹状,该起伏状的内壁能够更有效的阻挡中子辐射,进而也进一步的提高了本申请套管防中子辐射泄漏的效果;而且,也减小了套管内线路与套管之间的接触面积,方便。

作为进一步的优选方式,所述穿墙段还包括与所述弯曲段1两端连接的端口段6,所述端口段6靠近墙体2外壁的一端朝所述穿墙段的内侧弯曲,使其端口的直径小于其余部分管体直径,如图2所示的。采用该种方式,一方面是进一步的确保本申请套管与墙体2之间连接的紧密性,另一方面,如此设置后,使本申请套管两端开口缩小,能够有效避免外部杂物和雨水进入套管内,而且,由于套管开口的缩小,也进一步的避免了辐射由开口进入套管内,如此,进一步的提高了本申请套管的防辐射能力;再一方面,还能够使套管内的导线存在较长的悬空段,在进一步提高套管防辐射能力的同时,也进一步的减小套管对其内部导线带来的不利影响,例如,当套管内存在信号线路时,能够减小对信号线路内信号传输的不利影响。

实施例2,如图1-4所示的,

一种墙体,包括上述的防中子辐射套管,在所述墙体2内还设置由下至上的设置有防中子辐射的防辐射层7。本申请的墙体2,由于采用了上述的防辐射套管,能够显著的提高防辐射能力,避免中子辐射穿过套管。

作为进一步的优选方式,所述防辐射层7位于所述墙体2内。将防辐射层7设置在墙体2内,能够有效避免防辐射层7被损失,使墙体2提供可靠的防辐射效果。

作为进一步的优选方式,所述防辐射层7为金属丝网。如此,使得防辐射层7在起到防辐射作用的同时,还起到加强墙体2结构的作用,特别是采用混凝土浇筑的墙体2时,防辐射层7还作为墙体2的加强筋。

作为进一步的优选方式,当墙体2内存在至少两根所述防中子辐射套管时,所述防中子辐射套管之间为并排设置,并且,相邻防中子辐射套管中,上方的弯曲段1位于下方的弯曲段1内,如图4所示的。如此设置,一方面是可有使各套管的开口相靠近,方便后期穿线工作,另一方面,下方套管还对上方套管起到屏蔽作用,对于某些不能完全被套管阻挡的辐射,能够启动多层屏蔽的效果,如此,使本申请墙体内的套管中,防辐射能力由下至上的逐渐增强,在实际使用中,可以将需要严格防辐射的线缆设置在较为上方的套管内,进而,进一步的提高了本申请墙体的防辐射能力。

以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案,尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明,但本实用新型不局限于上述具体实施方式,因此任何对本实用新型进行修改或等同替换;而一切不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

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