专利名称：在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体测试设备，具体涉及一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置。
背景技术：
霍尔器件在晶圆级的测试是一个难题。目前，霍尔器件在晶圆级的测试只能进行单DUT(Device Under Test,被测装置)测试。随着技术的发展，芯片的面积越来越小，一枚晶圆上的芯片少则上万多则十几万乃至二十几万，在晶圆级进行单DUT测试，其测试时间需要几个小时至几天时间，导致测试成本过高。另外，现有的测试方法，结果也不十分准确。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，它可以实现多DUT同测。为解决上述技术问题，本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置的技术解决方案为包括吸盘，吸盘的上方设置有探卡，探卡与吸盘之间设有间隙；探卡上设置有线圈，线圈的中间固定设置有磁芯；探卡通过电缆线连接测试仪；通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向，实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。所述探卡为单被测装置、双被测装置、256被测装置或者256被测装置以上同测。所述线圈产生磁场强度的面积大于探卡所包含被测装置的面积总和。本实用新型可以达到的技术效果是本实用新型能够实现在晶圆级对霍尔器件的多DUT同测，大量缩短测试时间，降低测试成本，提升测试效率。本实用新型能够为DUT提供一个精度及稳定性较高的磁场，能够实现在晶圆级对霍尔器件的精确测试。
以下结合附图
和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明图I是本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置的示意图。图中附图标记说明I为吸盘，2为待测晶圆，3为探卡，4为线圈。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，包括吸盘1，吸盘I的上方设置有探卡3，探卡3与吸盘I之间设有间隙；探卡3上设置有线圈4，线圈4的中间固定设置有磁芯；探卡3通过电缆线连接测试仪通道；根据量产测试的需要，探卡3可以为单DUT测试、2DUT乃至256DUT同测及256DUT以上同测；线圈4所产生磁场强度的面积大于探卡3—次扎针测试(touch down)所包含DUT的面积总和。本实用新型通过在探卡3上加载能够产生磁场的线圈4，通过测试仪控制通过线圈4的电流大小及方向，实现对线圈4产生磁场的大小、磁场方向的控制。使用时，将待测晶圆2放置于吸盘I上，此时线圈4产生的磁力线方向垂直通过被测DUT。对霍尔器件进行测试，在一枚有十万DUT的晶圆上实现32DUT同测，其测试时间约为3小时。
权利要求1.一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，其特征在于包括吸盘，吸盘的上方设置有探卡，探卡与吸盘之间设有间隙；探卡上设置有线圈，线圈的中间固定设置有磁芯；探卡通过电缆线连接测试仪；通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向，实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。
2.根据权利要求I所述的在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，其特征在于所述探卡为单被测装置、双被测装置、256被测装置或者256被测装置以上同测。
3.根据权利要求2所述的在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，其特征在于所述线圈产生磁场强度的面积大于探卡所包含被测装置的面积总和。
专利摘要本实用新型公开了一种在晶圆级对霍尔器件进行测试的装置，包括吸盘，吸盘的上方设置有探卡，探卡与吸盘之间设有间隙；探卡上设置有线圈，线圈的中间固定设置有磁芯；探卡通过电缆线连接测试仪；通过测试仪控制通过线圈的电流大小及方向，实现对线圈产生磁场的大小、磁场方向的控制。本实用新型能够实现在晶圆级对霍尔器件的多DUT同测，大量缩短测试时间，降低测试成本，提升测试效率。本实用新型能够为DUT提供一个精度及稳定性较高的磁场，能够实现在晶圆级对霍尔器件的精确测试。
文档编号G01R31/26GK202372613SQ201120528040
公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月16日 优先权日2011年12月16日
发明者周伟平, 桑浚之, 谢晋春 申请人:上海华虹Nec电子有限公司