电磁辐射监测装置制造方法
电磁辐射监测装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种电磁辐射监测装置，其特征包括：9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路；所述的电磁辐射拾取及其信号放大电路由电磁检测线圈L1和高阻运算放大器IC1组成，高阻运算放大器IC1选用的型号为TL071；所述的运算放大器补偿电路中，高阻运算放大器IC1的第1脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND；所述的电平功率放大及显示电路由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LED1～LED3、3只锗二极管D1～D3和电阻R1、电阻R2组成。本发明使用常见而廉价的元器件制作而成，它可作为电磁辐射的专用检测工具。
【专利说明】电磁辐射监测装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于电磁波辐射及测量【技术领域】，涉及一种电磁辐射监测装置。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的快速发展，各种有线、无线的电器设备不断普及，人为制造的电磁辐射无处不在，常见来源有:220V交流电室内布线、日光灯、电视、微波炉、电磁灶、家用电脑、手机、空调、吹风机等等，这些电器设备给我们很多恩惠的同时，它们所产生的电磁辐射也给我们生活和健康带来很多危害。
[0003]在多种频率电磁波中，特别是高频段和较强电磁场作用人体的后果，是在不知不觉中导致人的精力和体力减退，容易所人患上白内障、白血病、心血管疾病、大脑机能障碍以及妇女流产和不孕症等疾病，甚至会导致人类免疫机能的低下等病变。根据权威统计数字表明:经常工作在有电磁辐射环境中的人群，上述疾病的发病率明显高于普通人群。
[0004]现在电磁辐射已无处不在，为避免或减少电磁辐射对人体造成的伤害，为有效的侦测、规避电磁辐射源，能否制作一个电磁辐射检测装置呢？检测一下电磁辐射是否会危及人们的健康呢？为使用户能够规避电磁辐射源提供依据，本发明设计一个简捷、有效的电路，它使用常见而廉价的元器件，作为电磁辐射检测专用工具具有制作方便、且易于推广的优点。为了降低装置的制作成本，该电路只做电磁辐射定性测试，而不做电磁辐射的定量分析。
[0005]以下详细说明本发明所述的电磁辐射监测装置在制作过程中所涉及的有关技术内容。
【发明内容】
[0006]发明目的及有益效果:现在电磁辐射已无处不在，为避免或减少电磁辐射对人体造成的伤害，为有效的侦测、规避电磁辐射源，能否制作一个电磁辐射检测装置呢？检测一下电磁辐射是否会危及人们的健康呢？为使用户能够规避电磁辐射源提供依据，本发明设计一个简捷、有效的电路，它使用常见而廉价的元器件，作为电磁辐射检测专用工具具有制作方便、且易于推广的优点。为了降低装置的制作成本，该电路只做电磁辐射定性测试，而不做电磁辐射的定量分析。
[0007]电路工作原理:为了检测电磁波的辐射能量，电磁辐射监测装置电路使用了电磁检测线圈LI以拾取电磁辐射能量。电磁检测线圈LI的两端直接在高阻运算放大器ICl的输入级。
[0008]高阻运算放大器ICl是一种低噪声JFET运算放大器，其输入电压极低，输入电流仅有2nA。高阻运算放大器ICl的第2脚反相输入端和第3脚同相输入端仅需7nA的偏置电流。
[0009]电磁检测线圈LI接收被测电子设备辐射的磁场能量，并且在高阻运算放大器ICl的输入端产生电位差，使高阻运算放大器ICl的第6脚输出高电平，该高电平驱动NPN型晶体管VTl点亮发光二极管LEDl~LED3。在高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚之间连接的线性电位器RP，作为高阻运算放大器ICl的补偿调节。发光二极管LEDl~LED3将分别以电压递增约300mV为台阶。电阻R2和锗二极管Dl~D3分别为发光二极管LEDl~LED3起到降压作用，根据电磁的辐射强度，分别用于控制发光二极管LEDl~LED3的亮度。
[0010]当电磁检测线圈LI接近有电磁辐射的磁场时，随着高阻运算放大器ICl的第6脚输出电压逐渐增加，发光二极管LEDl~LED3依次点亮。从发光二极管LEDl~LED3发光情况，可以大体判断被测场所电磁辐射的强度，使用起来很方便、直观。
[0011]技术特征:电磁辐射监测装置，它包括9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路，其特征在于:
[0012]电磁辐射拾取及其信号放大电路:它由电磁检测线圈LI和高阻运算放大器ICl组成，高阻运算放大器ICl选用的型号为TL071，电磁检测线圈LI的两端分别接高阻运算放大器ICl的第2脚和第3脚，高阻运算放大器ICl的第7脚接电路正极VCC，高阻运算放大器ICl的第4脚接电路地GND，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚接运算放大器补偿电路，高阻运算放大器ICl的第6脚接电平功率放大及显示电路；
[0013]运算放大器补偿电路:高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND ；
[0014]电平功率放大及显示电路:它由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LEDl~LED3、3只锗二极管Dl~D3和电阻R1、电阻R2组成，3只锗二极管Dl~D3选用的型号为2AP10，NPN型晶体管VTl的基极通过电阻Rl接高阻运算放大器ICl的第6脚，NPN型晶体管VTl的集电极接3只 发光二极管LEDl~LED3的负极，发光二极管LEDl的正极通过电阻R2接电路正极VCC，发光二极管LED2的正极接锗二极管Dl的负极，锗二极管Dl的正极接电路正极VCC，发光二极管LED3的正极接锗二极管D3的负极，锗二极管D3的正极接锗二极管D2的负极，锗二极管D2的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；
[0015]9V直流电源的正极接电路正极VCC，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]附图是本发明提供的电磁辐射监测装置一个实施例电路工作原理图；附图中的电磁检测线圈LI制作方法详见【具体实施方式】。
【具体实施方式】
[0017]按照附图所示的电磁辐射监测装置电路工作原理图和【专利附图】
【附图说明】，并按照
【发明内容】
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明，以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
[0018]元器件的技术参数及选择要求
[0019]ICl为高阻运算放大器，选用的型号为TL071，其封装为DIP双列直插式；
[0020]VTl为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9013，要求β ^ 180 ；
[0021]Dl~D3为锗二极管，选用的型号为2ΑΡ10 ；
[0022]LEDl~LED3为发光二极管，选用$ 5mm超高亮红色发光二极管；[0023]电阻Rl的阻值为6.8K Ω，电阻R2的阻值为220 Ω，其功率均为1/8W ；
[0024]RP为线性电位器，其阻值为51ΚΩ ；
[0025]直流电源使用9V叠层电池，或使用4节5#普通锰锌电池。
[0026]电路制作要点与电路调试
[0027]电磁检测线圈LI的制作:使用9V/220VU?1.5W工频变压器，使用工频变压器的初级，或选用12V直流继电器的线圈；为了提高工频变压器感应交变磁场的效果，增强电磁辐射检测装置检测的准确性，安装时应拆去工频变压器的金属紧固外框，且该装置的外壳切不能使用金属材料；
[0028]将电磁检测线圈LI放在离监示器屏幕约60cm处，调节线性电位器RP使发光二极管LEDl刚好熄灭；将电磁检测线圈LI再靠近监示器屏幕约40cm处，发光二极管LEDl刚好点亮；接着将电磁检测线圈LI逐渐靠近监示器屏幕，发光二极管LED2、发光二极管LED3依次点亮，此时电路调试即告结束。
[0029]使用结果表明:
[0030]只要检测装置离开监示器屏幕或视频设备20cm以上，离开电子闹钟6cm以上，离开床头灯电源线20cm以上，一般就不会受电磁辐射的伤害；
[0031]当电子设备有金属屏蔽罩并接有保护地线，则可获得比较满意的防电磁辐射效果，被金属罩屏蔽的电子设备对外电磁辐射量几乎接近零。
【权利要求】
1.一种电磁辐射监测装置，它包括9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路，其特征在于: 所述的电磁辐射拾取及其信号放大电路由电磁检测线圈LI和高阻运算放大器ICl组成，高阻运算放大器ICl选用的型号为TL071，电磁检测线圈LI的两端分别接高阻运算放大器ICl的第2脚和第3脚，高阻运算放大器ICl的第7脚接电路正极VCC，高阻运算放大器ICl的第4脚接电路地GND，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚接运算放大器补偿电路，高阻运算放大器ICl的第6脚接电平功率放大及显示电路； 所述的运算放大器补偿电路中，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND ； 所述的电平功率放大及显示电路由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LEDl?LED3、3只锗二极管Dl?D3和电阻R1、电阻R2组成，3只锗二极管Dl?D3选用的型号为2AP10，NPN型晶体管VTl的基极通过电阻Rl接高阻运算放大器ICl的第6脚，NPN型晶体管VTl的集电极接3只发光二极管LEDl?LED3的负极，发光二极管LEDl的正极通过电阻R2接电路正极VCC，发光二极管LED2的正极接锗二极管Dl的负极，锗二极管Dl的正极接电路正极VCC，发光二极管LED3的正极接锗二极管D3的负极，锗二极管D3的正极接锗二极管D2的负极，锗二极管D2的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；所述的9V直流电源的正极接电路正极VCC，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
【文档编号】G01R29/08GK103698614SQ201310738970
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月28日 优先权日:2013年12月28日
【发明者】黄宇嵩 申请人:黄宇嵩
【专利摘要】本发明涉及一种电磁辐射监测装置，其特征包括：9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路；所述的电磁辐射拾取及其信号放大电路由电磁检测线圈L1和高阻运算放大器IC1组成，高阻运算放大器IC1选用的型号为TL071；所述的运算放大器补偿电路中，高阻运算放大器IC1的第1脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND；所述的电平功率放大及显示电路由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LED1～LED3、3只锗二极管D1～D3和电阻R1、电阻R2组成。本发明使用常见而廉价的元器件制作而成，它可作为电磁辐射的专用检测工具。
【专利说明】电磁辐射监测装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于电磁波辐射及测量【技术领域】，涉及一种电磁辐射监测装置。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的快速发展，各种有线、无线的电器设备不断普及，人为制造的电磁辐射无处不在，常见来源有:220V交流电室内布线、日光灯、电视、微波炉、电磁灶、家用电脑、手机、空调、吹风机等等，这些电器设备给我们很多恩惠的同时，它们所产生的电磁辐射也给我们生活和健康带来很多危害。
[0003]在多种频率电磁波中，特别是高频段和较强电磁场作用人体的后果，是在不知不觉中导致人的精力和体力减退，容易所人患上白内障、白血病、心血管疾病、大脑机能障碍以及妇女流产和不孕症等疾病，甚至会导致人类免疫机能的低下等病变。根据权威统计数字表明:经常工作在有电磁辐射环境中的人群，上述疾病的发病率明显高于普通人群。
[0004]现在电磁辐射已无处不在，为避免或减少电磁辐射对人体造成的伤害，为有效的侦测、规避电磁辐射源，能否制作一个电磁辐射检测装置呢？检测一下电磁辐射是否会危及人们的健康呢？为使用户能够规避电磁辐射源提供依据，本发明设计一个简捷、有效的电路，它使用常见而廉价的元器件，作为电磁辐射检测专用工具具有制作方便、且易于推广的优点。为了降低装置的制作成本，该电路只做电磁辐射定性测试，而不做电磁辐射的定量分析。
[0005]以下详细说明本发明所述的电磁辐射监测装置在制作过程中所涉及的有关技术内容。
【发明内容】
[0006]发明目的及有益效果:现在电磁辐射已无处不在，为避免或减少电磁辐射对人体造成的伤害，为有效的侦测、规避电磁辐射源，能否制作一个电磁辐射检测装置呢？检测一下电磁辐射是否会危及人们的健康呢？为使用户能够规避电磁辐射源提供依据，本发明设计一个简捷、有效的电路，它使用常见而廉价的元器件，作为电磁辐射检测专用工具具有制作方便、且易于推广的优点。为了降低装置的制作成本，该电路只做电磁辐射定性测试，而不做电磁辐射的定量分析。
[0007]电路工作原理:为了检测电磁波的辐射能量，电磁辐射监测装置电路使用了电磁检测线圈LI以拾取电磁辐射能量。电磁检测线圈LI的两端直接在高阻运算放大器ICl的输入级。
[0008]高阻运算放大器ICl是一种低噪声JFET运算放大器，其输入电压极低，输入电流仅有2nA。高阻运算放大器ICl的第2脚反相输入端和第3脚同相输入端仅需7nA的偏置电流。
[0009]电磁检测线圈LI接收被测电子设备辐射的磁场能量，并且在高阻运算放大器ICl的输入端产生电位差，使高阻运算放大器ICl的第6脚输出高电平，该高电平驱动NPN型晶体管VTl点亮发光二极管LEDl~LED3。在高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚之间连接的线性电位器RP，作为高阻运算放大器ICl的补偿调节。发光二极管LEDl~LED3将分别以电压递增约300mV为台阶。电阻R2和锗二极管Dl~D3分别为发光二极管LEDl~LED3起到降压作用，根据电磁的辐射强度，分别用于控制发光二极管LEDl~LED3的亮度。
[0010]当电磁检测线圈LI接近有电磁辐射的磁场时，随着高阻运算放大器ICl的第6脚输出电压逐渐增加，发光二极管LEDl~LED3依次点亮。从发光二极管LEDl~LED3发光情况，可以大体判断被测场所电磁辐射的强度，使用起来很方便、直观。
[0011]技术特征:电磁辐射监测装置，它包括9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路，其特征在于:
[0012]电磁辐射拾取及其信号放大电路:它由电磁检测线圈LI和高阻运算放大器ICl组成，高阻运算放大器ICl选用的型号为TL071，电磁检测线圈LI的两端分别接高阻运算放大器ICl的第2脚和第3脚，高阻运算放大器ICl的第7脚接电路正极VCC，高阻运算放大器ICl的第4脚接电路地GND，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚接运算放大器补偿电路，高阻运算放大器ICl的第6脚接电平功率放大及显示电路；
[0013]运算放大器补偿电路:高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND ；
[0014]电平功率放大及显示电路:它由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LEDl~LED3、3只锗二极管Dl~D3和电阻R1、电阻R2组成，3只锗二极管Dl~D3选用的型号为2AP10，NPN型晶体管VTl的基极通过电阻Rl接高阻运算放大器ICl的第6脚，NPN型晶体管VTl的集电极接3只 发光二极管LEDl~LED3的负极，发光二极管LEDl的正极通过电阻R2接电路正极VCC，发光二极管LED2的正极接锗二极管Dl的负极，锗二极管Dl的正极接电路正极VCC，发光二极管LED3的正极接锗二极管D3的负极，锗二极管D3的正极接锗二极管D2的负极，锗二极管D2的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；
[0015]9V直流电源的正极接电路正极VCC，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]附图是本发明提供的电磁辐射监测装置一个实施例电路工作原理图；附图中的电磁检测线圈LI制作方法详见【具体实施方式】。
【具体实施方式】
[0017]按照附图所示的电磁辐射监测装置电路工作原理图和【专利附图】
【附图说明】，并按照
【发明内容】
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明，以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
[0018]元器件的技术参数及选择要求
[0019]ICl为高阻运算放大器，选用的型号为TL071，其封装为DIP双列直插式；
[0020]VTl为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9013，要求β ^ 180 ；
[0021]Dl~D3为锗二极管，选用的型号为2ΑΡ10 ；
[0022]LEDl~LED3为发光二极管，选用$ 5mm超高亮红色发光二极管；[0023]电阻Rl的阻值为6.8K Ω，电阻R2的阻值为220 Ω，其功率均为1/8W ；
[0024]RP为线性电位器，其阻值为51ΚΩ ；
[0025]直流电源使用9V叠层电池，或使用4节5#普通锰锌电池。
[0026]电路制作要点与电路调试
[0027]电磁检测线圈LI的制作:使用9V/220VU?1.5W工频变压器，使用工频变压器的初级，或选用12V直流继电器的线圈；为了提高工频变压器感应交变磁场的效果，增强电磁辐射检测装置检测的准确性，安装时应拆去工频变压器的金属紧固外框，且该装置的外壳切不能使用金属材料；
[0028]将电磁检测线圈LI放在离监示器屏幕约60cm处，调节线性电位器RP使发光二极管LEDl刚好熄灭；将电磁检测线圈LI再靠近监示器屏幕约40cm处，发光二极管LEDl刚好点亮；接着将电磁检测线圈LI逐渐靠近监示器屏幕，发光二极管LED2、发光二极管LED3依次点亮，此时电路调试即告结束。
[0029]使用结果表明:
[0030]只要检测装置离开监示器屏幕或视频设备20cm以上，离开电子闹钟6cm以上，离开床头灯电源线20cm以上，一般就不会受电磁辐射的伤害；
[0031]当电子设备有金属屏蔽罩并接有保护地线，则可获得比较满意的防电磁辐射效果，被金属罩屏蔽的电子设备对外电磁辐射量几乎接近零。
【权利要求】
1.一种电磁辐射监测装置，它包括9V直流电源、电磁辐射拾取及其信号放大电路、运算放大器补偿电路、电平功率放大及显示电路，其特征在于: 所述的电磁辐射拾取及其信号放大电路由电磁检测线圈LI和高阻运算放大器ICl组成，高阻运算放大器ICl选用的型号为TL071，电磁检测线圈LI的两端分别接高阻运算放大器ICl的第2脚和第3脚，高阻运算放大器ICl的第7脚接电路正极VCC，高阻运算放大器ICl的第4脚接电路地GND，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚接运算放大器补偿电路，高阻运算放大器ICl的第6脚接电平功率放大及显示电路； 所述的运算放大器补偿电路中，高阻运算放大器ICl的第I脚和第5脚分别接线性电位器RP的两端，线性电位器RP的活动臂接电路地GND ； 所述的电平功率放大及显示电路由NPN型晶体管VT1、3只发光二极管LEDl?LED3、3只锗二极管Dl?D3和电阻R1、电阻R2组成，3只锗二极管Dl?D3选用的型号为2AP10，NPN型晶体管VTl的基极通过电阻Rl接高阻运算放大器ICl的第6脚，NPN型晶体管VTl的集电极接3只发光二极管LEDl?LED3的负极，发光二极管LEDl的正极通过电阻R2接电路正极VCC，发光二极管LED2的正极接锗二极管Dl的负极，锗二极管Dl的正极接电路正极VCC，发光二极管LED3的正极接锗二极管D3的负极，锗二极管D3的正极接锗二极管D2的负极，锗二极管D2的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；所述的9V直流电源的正极接电路正极VCC，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
【文档编号】G01R29/08GK103698614SQ201310738970
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月28日 优先权日:2013年12月28日
【发明者】黄宇嵩 申请人:黄宇嵩
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