专利名称：一种光纤光栅磁传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及磁传感器领域，尤其涉及到一种光纤光栅磁传感器。
背景技术：
光纤光栅传感器属于波长调制型的光纤传感器，通过待测量调制入射光束的波长，测量反射光的波长变化进行检测。光纤光栅传感器具有测量精度高、抗干扰能力强、体积小、质量轻、易弯曲、灵敏度高的优点，同时，耐腐蚀强，适合运用于恶劣环境中。现有的光纤光栅传感器多为金属封装，易对待测对象的信号造成干扰，同时金属封装加工困难，成本闻。
实用新型内容本实用新型将光纤光栅传感器与磁致伸缩材料结合到一起，提供一种光纤光栅磁传感器，具有轻便、易携带、抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。本实用新型所采取的技术方案为，一种光纤光栅磁传感器，包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层，其中，光纤光栅粘结在磁致伸缩层上，塑料保护层覆盖在光纤光栅上；磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸缩材料，且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下，磁致伸缩材料发生形变，应力传递给光纤光栅，通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本实用新型为全柔性材料打造，轻便、易携带，同时，光纤光栅传感器的结构保留了抗干·扰能力强、磁探测精度高的优势。
图1为本实用新型的结构示意图。图中:1磁致伸缩层、2光纤光栅、3塑料保护层。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。图1为本实用新型的结构示意图，磁致伸缩层1、光纤光栅2、塑料保护层3，其中，光纤光栅2粘结在磁致伸缩层I上，塑料保护层3覆盖在光纤光栅2上；磁致伸缩层I包含柔性的基底和磁致伸缩材料，且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下，磁致伸缩材料发生形变，应力传递给光纤光栅2，通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本实用新型为全柔性材料打造，轻便、易携带，同时，光纤光栅传感器的结构保留了抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。
权利要求1.一种光纤光栅磁传感器，包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层，其特征在于:所述的光纤光栅粘结在磁致伸缩层上，塑料保护层覆盖在光纤光栅上。
2.根据权利要求1所述的一种光纤光栅磁传感器，其特征在于:所述的磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸 缩材料，且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。
专利摘要本实用新型将光纤光栅传感器与磁致伸缩材料结合到一起，提供一种光纤光栅磁传感器，包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层，其中，光纤光栅粘结在磁致伸缩层上，塑料保护层覆盖在光纤光栅上；磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸缩材料，且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下，磁致伸缩材料发生形变，应力传递给光纤光栅，通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本实用新型为全柔性材料打造，轻便、易携带，同时，光纤光栅传感器的结构保留了抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。
文档编号G01R33/032GK203149097SQ20132007752
公开日2013年8月21日 申请日期2013年2月18日 优先权日2013年2月18日
发明者胡雨航 申请人:胡雨航