芯片雪崩能量测试夹具的制作方法

文档序号:6057128阅读:292来源:国知局
芯片雪崩能量测试夹具的制作方法
【专利摘要】芯片雪崩能量测试夹具。提供了一种结构简单,不需封装即可测试的芯片雪崩能量测试夹具。包括测试基板、测试铜板、导向机构、测试铜块和测试铜针,所述测试铜板设在所述测试基板上,所述导向机构设在所述测试基板上,所述导向机构包括滑轨、滑块和手柄,所述滑轨垂直设在所述测试基板上,所述滑块设在滑轨内,做垂直运动,所述手柄连接在所述滑块的一侧;所述测试铜针通过测试铜块连接在所述滑块上,所述测试铜针朝向所述测试铜板设置。本实用新型方便快捷、便于操作。
【专利说明】芯片雪崩能量测试夹具

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及用于测量芯片雪崩能量的夹具。

【背景技术】
[0002]随着半导体行业的迅速发展,客户要求越来越高,从单纯的常规电性要求,到越来越多的参数需求成为现实;其中客户最关注的就是二极管的可靠性特性,二极管良好的反向雪崩性能是保障其可靠性的基础。目前,各厂家测试二极管雪崩能力使用的方法是将切割后芯片组装成成品,然后在测试仪上进行测试,此方法能反应出产品的雪崩性能,但是由于耗材大,给厂家带来很大的经济损失。
实用新型内容
[0003]本实用新型针对以上问题,提供了一种结构简单,不需封装即可测试的芯片雪崩能量测试夹具。
[0004]本实用新型的技术方案是:包括测试基板、测试铜板、导向机构、测试铜块和测试铜针,所述测试铜板设在所述测试基板上,
[0005]所述导向机构设在所述测试基板上,所述导向机构包括滑轨、滑块和手柄,所述滑轨垂直设在所述测试基板上,所述滑块设在滑轨内,做垂直运动,所述手柄连接在所述滑块的一侧;
[0006]所述测试铜针通过测试铜块连接在所述滑块上,所述测试铜针朝向所述测试铜板设置。
[0007]所述测试铜板的顶面设有芯片槽,所述测试铜针设在所述芯片槽的正上方。
[0008]本实用新型中的测试夹具能够快速方便检测芯片的雪崩能量,不需要将芯片封装后,在进行测试,提高了测试的准确性和可靠性,节省了生产成本。在工作中,待测芯片放置在芯片槽中,测试铜板通过导线连接雪崩测试仪正极,测试铜块通过导线连接雪崩测试仪负极,通过导向机构使得测试铜针接触待测芯片进行检测。本实用新型方便快捷、便于操作。

【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图,
[0010]图2是本实用新型的工作状态图;
[0011]图中I是测试基板,2是测试铜板,20是芯片槽,3是滑轨,4是滑块,5是测试铜块,6是测试铜针,7是手柄,8是雪崩测试仪,9是芯片。

【具体实施方式】
[0012]本实用新型如图1-2所示,包括测试基板1、测试铜板2、导向机构、测试铜块5和测试铜针6,所述测试铜板2设在所述测试基板I上,
[0013]所述导向机构设在所述测试基板I上,所述导向机构包括滑轨3、滑块4和手柄7,所述滑轨3垂直设在所述测试基板I上,所述滑块4设在滑轨3内,做垂直运动,所述手柄7连接在所述滑块4的一侧;
[0014]所述测试铜针6通过测试铜块5连接在所述滑块4上,所述测试铜针6朝向所述测试铜板2设置。
[0015]所述测试铜板2的顶面设有芯片槽20,所述测试铜针6设在所述芯片槽20的正上方。芯片槽20可设置不同规格,适应不同的芯片9。
[0016]还包括雪崩测试仪8,所述测试铜板2通过导线连接所述雪崩测试仪8的正极,所述测试铜块5通过导线连接所述雪崩测试仪8的负极。
[0017]应用中,测试基板为铁氟龙板,测试铜板材质为黄铜,测试铜针材质为黄铜,手柄材质为铁氟龙板。
[0018]本实用新型中的测试方法为:
[0019]I)、将测试夹具按制定位置与雪崩测试仪连接好,根据待测芯片尺寸选择相应大小测试筒针;
[0020]2)、将雪崩测试仪电源打开,根据待测芯片规格设置好参数;
[0021]3)、将待测芯片放置于待测位置;
[0022]4)、手握测试手柄,使滑块下滑,至测试铜针压在测试芯片上,并充分接触;
[0023]5 )、一切检查无误后,进行芯片雪崩能力测试。
【权利要求】
1.芯片雪崩能量测试夹具,其特征在于,包括测试基板、测试铜板、导向机构、测试铜块和测试铜针,所述测试铜板设在所述测试基板上, 所述导向机构设在所述测试基板上,所述导向机构包括滑轨、滑块和手柄,所述滑轨垂直设在所述测试基板上,所述滑块设在滑轨内,做垂直运动,所述手柄连接在所述滑块的一侧; 所述测试铜针通过测试铜块连接在所述滑块上,所述测试铜针朝向所述测试铜板设置。
2.根据权利要求1所述的芯片雪崩能量测试夹具,其特征在于,所述测试铜板的顶面设有芯片槽,所述测试铜针设在所述芯片槽的正上方。
【文档编号】G01R1/04GK203838190SQ201420270002
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年5月23日 优先权日:2014年5月23日
【发明者】游佩武, 裘立强, 王毅 申请人:扬州杰利半导体有限公司
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