1.一种发射机级联结构，其特征在于：所述发射机级联结构包括多个发射机组，所述每个发射机组分别包括一个第一发射机及一个第二发射机；
所述第一发射机包括一个第一H逆变桥，所述第二发射机包括一个第二H逆变桥；
所述第一H逆变桥的左桥臂与一个第一电极相连接，所述第二H逆变桥的右桥臂与一个第二电极相连接，所述第一H逆变桥的右桥臂通过一个第一电阻与第二H逆变桥的左桥臂相连接；
所述第一H逆变桥左、右下桥臂连接处分别通过一个第一二极管和一个第二二极管与第二H逆变桥左、右下桥臂连接处相连接，所述第一二极管D1与第二二极管D2的极性相反。
其中，所述每个发射机组中的第一电极与第二电极的极距为第一预设距离，相邻两个发射机组中的四个电极组成一个矩形，且相邻两个第一电极的距离为第二预设距离。
2.根据权利要求1所述的发射机级联结构，其特征在于：所述每个发射机组中的第一发射机的第一H逆变桥的右桥臂分别通过一个级联电阻与其他每个发射机组中的第二发射机的第二H逆变桥的左桥臂相连接。
3.根据权利要求1所述的发射机级联结构，其特征在于：所述第一预设距离为1千米-2千米。
4.根据权利要求1所述的发射机级联结构，其特征在于：所述第一预设距离为50-100米。
5.一种电磁发射机系统，其特征在于：所述电磁发射机系统包括柴油发电机，AC/DC变换器，控制器及发射机级联结构；
所述发射机级联结构包括多个发射机组，所述每个发射机组分别包括一个第一发射机及一个第二发射机；
所述第一发射机包括一个第一H逆变桥，所述第二发射机包括一个第二H逆变桥；
所述第一H逆变桥的左桥臂与一个第一电极相连接，所述第二H逆变桥的右桥臂与一个第二电极相连接，所述第一H逆变桥的右桥臂通过一个第一电阻与第二H逆变桥的左桥臂相连接；
所述第一H逆变桥左、右下桥臂连接处分别通过一个第一二极管和一个第二二极管与第二H逆变桥左、右下桥臂连接处相连接，所述第一二极管D1与第二二极管D2的极性相反；
所述每个发射机组中的第一电极与第二电极的极距为第一预设距离，相邻两个发射机组中的四个电极组成一个矩形，且相邻两个第一电极的距离为第二预设距离；
所述柴油发电机通过AC/DC变换器给所述每个第一发射机及第二发射机提供一个发射电压，且所述控制器控制每个第一H逆变桥及第二H逆变桥的工作状态相同。
6.根据权利要求5所述的电磁发射机系统，其特征在于：所述每个发射机组中的第一发射机的第一H逆变桥的右桥臂分别通过一个级联电阻与其他每个发射机组中的第二发射机的第二H逆变桥的左桥臂相连接。
7.根据权利要求5所述的电磁发射机系统，其特征在于：所述第一H逆变桥及第二H逆变桥的工作状态包括：
第一种工作状态：每个H逆变桥的左上桥臂及右下桥臂的开光管导通，左下桥臂及右上桥臂的开光管关断；
第二种工作状态：每个H逆变桥的左下桥臂及右上桥臂的开关管导通，左上桥臂及右下桥臂的开光管关断；
第三种工作状态：每个H逆变桥的左上桥臂、左下桥臂、右上桥臂及右下桥臂的开关管关断。
8.根据权利要求5所述的电磁发射机系统，其特征在于：所述第一预设距离为1千米-2千米。
9.根据权利要求5所述的电磁发射机系统，其特征在于：所述第二预设距离为50-100米。
10.根据权利要求7所述的电磁发射机系统，其特征在于：所述开关管为MOSFET或IGBT。