技术特征：
技术总结
公开了一种装置，诸如用于超声成像装置的像素传感器。该装置包括耦合到压电层的第一金属化层，其中第一电压响应于超声波反射离开待成像物品(例如，用户的指纹)并且传播穿过压电层而在第一金属化层处形成，并且其中第一金属化层位于衬底上方；位于第一金属化层与衬底之间的第二金属化层；以及被配置为向第二金属化层施加第二电压以减小第一金属化层与衬底之间的寄生电容的器件。
技术研发人员：L·K-A·玛西;S·瓦德瓦;夏伶俐
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.08.15
技术公布日：2018.04.17