一种电成像测井图像刻度方法及装置与流程
本申请属于电成像测井资料数据处理技术领域，尤其涉及一种电成像测井图像刻度方法及装置。
背景技术：
电成像测井是目前应用最为广泛的成像测井方法，在复杂岩性及非常规储层油气勘探中发挥着重要作用。由于电成像测井仪器上采用的钮扣电极系是非聚焦电极系，其测量响应实质上是井壁介质电阻率的相对变化。在利用电成像测井资料进行储层解释评价时需对其进行标定，即利用常规浅电阻率测井曲线刻度成像图像。如何将电成像测井图像进行准确刻度，是影响电成像测井资料定量评价精度的基础和关键。
现有技术中，电成像测井电阻率刻度主要有两种方法：一种是基于人工交互刻度，即在交会图中对常规测井浅电阻率曲线和电成像测井图像平均电流曲线进行投影，通过交互方式确定两者响应变化函数后刻度成像测井图像。该方法刻度效果与解释人员技术水平相关，工作量大，不利于计算机自动化处理，同时由于全井段采用统一函数刻度，掩盖了不同储层段流体性质的差异，降低了电成像测井图像刻度的准确性，影响定量计算精度。另一种方法是逐点刻度，通过逐深度窗统计电成像测井图像平均电流并与对应深度点常规浅电阻率值对比，获得各深度窗的刻度系数后刻度电成像测井图像，但由于不同大小的电成像测井电流与常规电阻率响应之间不是恒定、简单的比例关系，利用该方法刻度会造成较大误差。因此，如何提高电成像测井图像刻度的准确性，成为亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本申请目的在于提供一种电成像测井图像刻度方法及装置，获取电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数，根据响应函数，获取不同深度窗对应的刻度系数，进行电成像测井图像的刻度，提高了电成像测井图像刻度的准确性。
一方面本申请提供了一种电成像测井图像刻度方法，包括：
采集待分析井段的电成像测井资料，根据所述电成像测井资料获取电成像测井图像；
根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一；
根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数；
根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二；
根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数；
根据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数，包括：
将所述电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间；
将所述电流区间内的电成像测井平均电流一和所述电流区间对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合，获取不同的所述电流区间对应的区间函数；
根据所述区间函数，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的分段函数，将所述分段函数作为所述响应函数。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述函数拟合包括：双对数直线最小二乘拟合。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述区间函数包括直线方程函数，根据
上式中，a、b表示所述直线方程函数的系数；sn表示所述电成像测井平均电流一在所述电流区间内的深度点的数量；
进一步地，所述根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗的深度窗平均电流二，包括：
根据
上式中，iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二；nj表示所述深度窗内深度点的数量；nk表示电成像测井仪器的极板数；nl表示所述电成像测井仪器极板上的钮扣电极数目；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值；a(j,k,l)、b(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的所述响应函数的系数。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算所述深度窗对应的刻度系数，包括：
根据c(depth)＝1000/rs(depth)/iaver(depth)计算所述深度窗对应的刻度系数；
上式中，c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；rs(depth)表示对应深度的常规测井浅电阻率值；iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述根据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度，包括：
根据iscaled(j,k,l)＝c(depth)·iimage(j,k,l)对不同深度窗内的电成像测井图像进行刻度；
上式中，iscaled(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的刻度后的电流值；c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值。
进一步地，所述方法的另一种实施例中，所述根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一，包括：
根据所述电成像测井图像，利用
上式中，
另一方面，本申请提供了一种电成像测井图像刻度装置，包括：
测井图像生成模块，用于采集待分析井段的电成像测井资料，根据所述电成像测井资料获取电成像测井图像；
平均电流一计算模块，用于根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一；
响应函数获取模块，用于根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数；
平均电流二计算模块，用于根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二；
刻度系数计算模块，用于根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数；
图像刻度模块，用于根据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述响应函数获取模块具体用于：
将所述电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间；
将所述电流区间内的电成像测井平均电流一和所述电流区间对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合，获取不同的所述电流区间对应的区间函数；
根据所述区间函数，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的分段函数，将所述分段函数作为所述响应函数。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述响应函数获取模块中的所述函数拟合包括：双对数直线最小二乘拟合。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述区间函数包括直线方程函数，相应地，所述响应函数获取模块具体用于根据
上式中，a、b表示所述直线方程函数的系数；sn表示所述平均电流在所述电流区间内的深度点的数量；
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述平均电流二计算模块具体用于：
根据
上式中，iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二；nj表示所述深度窗内深度点的数量；nk表示电成像测井仪器的极板数；nl表示所述电成像测井仪器极板上的钮扣电极数目；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值；a(j,k,l)、b(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的所述直线方程函数的系数。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述刻度系数计算模块具体用于：
根据c(depth)＝1000/rs(depth)/iaver(depth)计算所述深度窗对应的刻度系数；
上式中，c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；rs(depth)表示对应深度的常规测井浅电阻率值；iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述图像刻度单元具体用于：
根据iscaled(j,k,l)＝c(depth)·iimage(j,k,l)对不同深度窗内的电成像测井图像进行刻度；
上式中，iscaled(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的刻度后的电流值；c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值。
进一步地，所述装置的另一实施例中，所述平均电流一计算模块具体用于：根据所述电成像测井图像，利用
上式中，
再一方面，本申请还提供了一种电成像测井图像刻度装置，包括：处理器以及用于存储处理器可执行指令的存储器，所述处理器执行所述指令时实现上述电成像测井图像刻度方法。
本申请提供的电成像测井图像刻度方法及装置，可根据电成像测井图像计算不同深度点对应的电成像测井平均电流一，针对常规测井浅电阻率与电成像测井平均电流一的响应特征，提出了分段自动拟合方法，获取不同电流区间对应的区间函数。实现了对常规测井浅电阻率与电成像测井平均电流一响应变化规律的准确刻画，为后续进行电成像测井图像刻度提供了准确的理论基础。同时，本申请可以通过获取电成像测井图像的深度窗平均电流二，获取不同深度窗对应的刻度系数，进行不同刻度系数的逐点刻度。不再是利用电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间简单的比例关系，进行电成像测井图像刻度，减少了刻度误差，有效提高了电成像测井图像刻度的精度，提高了电成像测井图像刻度的准确性。此外，本申请建立了一套电成像测井图像电阻率刻度自动计算方法和流程，可以实现电成像测井图像刻度的自动化处理，能够显著提升了测井资料的处理效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的一种电成像测井图像刻度方法一种实施例的方法流程示意图；
图2是本申请一种实施例中电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率拟合示意图；
图3是本申请一种实施例中电成像测井图像刻度效果示意图；
图4是本申请提供的电成像测井图像刻度装置一种实施例的模块结构示意图；
图5是本申请提供的另一种电成像测井图像刻度装置实施例的模块结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
电成像测井技术可以用于识别岩性，分析沉积构造，识别裂缝等，在使用电成像技术测井时，可以利用电成像测井仪器获得电成像测井图像。电成像测井仪器中包括多个极板和纽扣电极，可以用来记录不同井深处的测井数据。电成像测井仪器获得的电成像测井图像中可以包括不同井深处对应的电流值等测井数据，通过对电成像测井图像的分析可以获得储层的结构信息等。但是，电成像测井仪器上采用的钮扣电极系是非聚焦电极系，测量响应实质上是井壁介质电阻率的相对变化。而进行储层解释评价时，需要的是井壁介质的实际电阻率值，而不是相对变化。因此，本申请中提供的实施方案可以将电成像测井图像中的电阻率的值进行标定，即为电成像测井图像刻度。
图1是本申请提供的一种电成像测井图像刻度方法一种实施例的方法流程示意图，如图1所示，本申请提供的电成像测井图像刻度方法包括：
s1、采集待分析井段的电成像测井资料，根据所述电成像测井资料获取电成像测井图像。
具体地，本申请的一个实施例中通过采集待分析井段的电成像测井资料，可以根据采集到的电成像测井资料获取电成像测井图像。电成像测井资料可以包括电成像测井仪器从井下采集的最初的测量数据，如包括：不同深度位置处的电流值、电成像测井仪器的状态、极板的方位和倾角等。可以将采集到的电成像测井资料进行处理，获得电成像测井图像。例如：可以将电成像测井资料进行速度校正、加速度校正、均衡化校正等，同时可以利用测井资料编辑工具(如：forward测井软件等)将电成像测井资料与常规测井资料进行深度对齐等预处理。经过对电成像测井资料的预处理可以获得反映地层井壁电性变化的二维成像图像，即电成像测井图像。
s2、根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一。
具体地，获取到电成像测井图像后，根据电成像测井图像计算待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一。深度点是指待分析井段中不同深度位置处，电成像测井仪器可以采集到不同深度点处的数据。电成像测井仪器在同一深度位置处可能包括多个极板和纽扣电极。即同一深度位置处，可能采集到多个电流值，电成像测井图像中同一深度点处可能对应有多个电流值。根据电成像测井图像，可以获取同一深度点处的多个电流值，根据获得的电流值，可以获得该深度点处的电成像测井平均电流一。不同深度点，对应不同的电成像平均电流值。
本申请提供的一个实施例中，根据所述电成像测井图像，可以利用如下公式(1)计算待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一：
上式中，
s3、根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，获取所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数。
具体地，根据电成像测井图像，利用公式(1)可以获得待分析井段不同深度点处的电成像测井平均电流一，当然，也可以采用其他方法获得不同深度点处的电成像测井平均电流一，本申请不作具体限定。本实施例中所述的常规测井资料可以包括：自然伽马测井、电阻率测井、密度、中子、声波等测井资料，当然根据需要常规测井资料还可以包括其他测井资料，本申请不作具体限定。可以根据常规测井资料获得常规测井浅电阻率的值，通过对常规测井浅电阻率和不同深度点对应的电成像测井平均电流一进行分析，构建电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数。具体可以利用表格或图像分析常规测井浅电阻率和不同深度点对应的电成像测井平均电流一之间的变化规律，构建响应函数。
例如：可以利用表格或函数分析常规测井浅电阻率和不同深度点对应的电成像测井平均电流一之间的变化规律，根据分析获得的变化规律，预设常规测井浅电阻率和不同深度点对应的电成像测井平均电流一之间的函数关系。再根据常规测井浅电阻率和电成像测井平局电流的具体数值，对预设的函数关系进行调整，获得响应函数。当然，也可以采用其他的方式获得电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数，例如函数拟合法等，本申请不作具体限定。电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数，可以反映电成像测井平均电流一与常规测井电阻率响应之间的变化趋势与规律。
s4、根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二。
具体地，深度窗可以指待分析井段一定的深度区间的范围，例如：取0.125米作为一个深度区间的间隔，则可以认为5000m-5000.125m、5000.125m-5000.250m分别对应两个深度窗。每个深度窗内可能包括多个深度点，如：5000.0025、5000.0050.5000.0075都属于深度窗5000m-5000.125m内的深度点。根据获取到的电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数以及电成像测井图像，可以计算不同深度窗对应的深度窗平均电流二，进一步获得常规浅电阻率与不同深度位置处的电成像测井平均电流一之间的关系。例如：根据电成像测井图像，可以获得每个深度窗内深度点对应的电成像测井的电流值。可以利用电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数，对深度窗内深度点对应的电流值进行修正。根据修正后的电流值获得不同深度窗对应的深度窗平均电流二，每个深度窗可能对应不同的深度窗平均电流二。
电成像测井平均电流一通常是直接线性平均的，目的是通过全井段的统计获得电成像测井图像的平均电流与常规测井浅电阻率响应之间的变化趋势与规律。深度窗平均电流二在电成像测井平均电流一的基础上，进一步计算获得。深度窗平均电流二可以认为是根据电成像测井平均电流一与常规浅电阻率之间的变化规律，对电成像测井平均电流一的进一步修正。深度窗平均电流二可以更加准确的反映不同深度位置处，电成像测井获得的电流值与常规测井电阻率之间的关系，为电成像测井图像的刻度提供了准确的数据基础。
s5、根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数。
具体地，获取到不同深度窗对应的深度窗平均电流二后，根据深度窗平均电流二和常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数。不同深度窗对应的刻度系数可以更准确的反映不同深度窗内的电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的关系。
s6、据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度。
具体地，电成像测井图像刻度包括将电成像测井仪器测得的电流值转换为地层电阻率，也可以称为电成像测井标定。获取到不同深度窗对应的刻度系数后，根据获取到的刻度系数对电成像测井图像进行刻度。例如：深度窗内可能包括多个深度点，若电成像测井采样间隔为0.0025m，则以0.125米的深度区间为间隔，则一个深度窗内可以包括50个电成像测井的深度点。判断需要刻度的电成像测井图像中不同深度点对应的深度窗，进一步获取不同深度点对应的深度窗所对应的刻度系数，即可以获取到不同深度点对应的刻度系数。将深度点处对应的电成像测井仪器测量的电流值与深度点对应的刻度系数的成绩作为电成像测井图像刻度后的电流值。当然还可以采用其他方法，利用刻度系数完成电成像测井图像的刻度，本申请不作具体限定。
本申请提供的电成像测井图像刻度方法，根据采集到的电成像测井资料以及常规测井资料，获取到电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数，并进一步根据获取到的响应函数获取不同深度窗对应的深度窗平均电流二，根据深度窗平均电流二获取不同深度窗对应的刻度系数，最后根据刻度系数完成电成像测井图像的刻度。实现了电成像测井平均电流一与常规测井电阻率变化规律的准确刻画，进一步提高了电成像测井图像刻度的准确性。
在上述实施例的基础上，所述根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数，包括：
将所述电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间；
将所述电流区间内的电成像测井平均电流一和所述电流区间对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合，获取不同的所述电流区间对应的区间函数；
根据所述区间函数，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的分段函数，将所述分段函数作为所述响应函数。
具体地，获取到待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一后，在本申请一个实施例中，将获取到的电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间，可以根据电成像测井平均电流一的范围划分为n个电流区间，即(-∝，i1]、(i1，i2]、(i2，i3]……(in-1，in]。当然，具体的划分方式以及电流区间的个数可以根据实际情况设置，本申请不作具体限定。例如：若在一个实施例中不同深度点对应的电成像测井平均电流一的最小值为0.2，最大值为35，可以按电成像测井平均电流一值的大小分布划分为[0.2，1]、(1，5]、(5，10]、(10，35]四个电流区间，当然还可以采用其他的划分方式。将电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间后，将不同电流区间内的电成像测井平均电流一与电流区间内各深度点对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合，获取不同电流区间对应的区间函数。将不同电流区间对应的区间函数进行组合获得电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的分段函数，可以将获得的分段函数作为反映电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间响应规律的响应函数。
在本申请一个实施例中，可以使用双对数直线最小二乘拟合法对不同电流区间内的电成像测井平均电流一与电流区间内各深度点对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合。可以对电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率都取对数，再利用最小二乘法进行函数拟合。可以获得不同电流区间对应的区间函数，区间函数的形式可以是直线方程如：y＝ax+b，式中，y可以表示常规测井浅电阻率电成像测井平均电流一，x可以表示电成像测井平均电流一，a、b表示直线方程的系数。
在本申请一个实施例中，可以根据如下公式(2)获取电成像测井平均电流一与对应的常规测井浅电阻率之间的区间函数的系数，区间函数包括直线方程函数，即可以根据如下公式(2)计算电成像测井平均电流一与对应的常规测井浅电阻率之间的直线方程的系数：
上式中，a、b可以表示直线方程函数的系数；sn可以表示电成像测井平均电流一在对应电流区间内的深度点的数量，电成像测井平均电流一位于电流区间的可以包括多个深度点，比如：若要计算电流区间(is-1，is]对应的直线方程的系数，电成像测井平均电流一位于电流区间(is-1，is]的深度点有5500m、5500.00254m、5600m、5600.00254m，则电流区间(is-1，is]内可以包括4个深度点，sn＝4；
图2是本申请一种实施例中电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率拟合示意图，如图2所示，本申请一个实施例中，将电成像测井平均电流一划分为[0.2，1]、(1，5]、(5，10]、(10，35]四个电流区间。对每个电流区间内的常规测井浅电阻率与电成像测井平均电流一通过公式(2)进行双对数直线最小二乘拟合，获得4个电流区间对应的区间函数。4各区间函数进行组合获得一个分段函数，即电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数。拟合结果如图2所示，分为4个直线段，即每个电流区间对应一个直线方程的区间函数，4个区间函数组合成一个分段函数。
本申请提供的电成像测井图像刻度方法，可以利用双对数直线最小二乘法将不同电流区间对应的电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率进行拟合，获取每个电流区间对应的区间函数。将区间函数进行组合，可以获取到整个待分析井段电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的分段函数，即电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数。本申请以分段函数最大程度描述了全井段常规浅电阻率响应与电成像测井平均电流一之间的非线性变化规律，实现了电成像测井与常规测井之间的响应变化规律的准确刻画，为后续进行电成像测井图像刻度提供了准确的数据基础，提高了电成像测井图像刻度的准确性。
在本申请一个实施例中，获取到电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数函数后，根据获取到的响应函数和电成像测井图像，可以计算待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二。即可以逐深度窗计算深度窗平均电流二，具体可以根据如下公式(3)进行计算：
上式中，iaver(depth)可以表示深度窗平均电流二；nj可以表示对应深度窗内深度点的数量；nk可以表示电成像测井仪器的极板数；nl可以表示电成像测井仪器极板上的钮扣电极数目；iimage(j,k,l)可以表示对应深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值；a(j,k,l)、b(j,k,l)可以表示深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的响应函数的系数，具体可以是利用上述公式(2)计算获得的直线方程的系数a、b。当然，上述公式(3)只是一种实施例，还可以根据需要对公式(3)进行变形或变换，本申请不作具体限定。
例如：在本申请一个实施例中，若待分析井段中包括100个深度窗，每个深度窗内对应有50个深度点，即nj＝50，每个深度点可以对应有多个极板和纽扣电极。根据实际需要，获取电成像测井仪器中的极板数和纽扣电极数，即可以得到nk和nl的值。当然，也可以每个深度窗内的深度点的数量不相同，本申请不作具体限定。再根据电成像测井图像，获取各个深度点处对应的极板、纽扣电极测量出的电流值，即可以获得iimage(j,k,l)的值。可以根据获得的iimage(j,k,l)的值，判断深度点对应的电流区间，进一步可以利用上述公式(2)获得该电流区间对应的直线方程的系数，即可以获得a(j,k,l)、b(j,k,l)的值。进一步，可以利用上述公式(3)计算出100个深度窗对应的深度窗平均电流二。
在本申请提供的一种实施例中，获取到各个深度窗对应的深度窗平均电流二后，可以根据计算获得的深度窗平均电流二和常规测井资料如常规测井浅电阻率值，计算各个深度窗对应的刻度系数。具体可以通过下述公式(4)计算各个深度窗对应的刻度系数：
c(depth)＝1000/rs(depth)/iaver(depth)(4)
上式中，c(depth)可以表示深度窗对应的刻度系数；rs(depth)可以表示对应深度的常规测井浅电阻率值，rs(depth)可以是深度窗所在深度区间内的常规测井浅电阻率值的平均值，可以通过常规浅电阻率测井曲线获得；iaver(depth)可以表示对应的深度窗平均电流二，可以通过公式(3)计算获得。当然，上述公式(4)只是一种实施例，还可以根据需要对公式(4)进行变形或变换，本申请不作具体限定。
在本申请一个实施例中，获得各个深度窗对应的刻度系数后，根据计算获得的刻度系数对电成像测井图像进行刻度，具体可以通过下述公式(5)计算需要刻度的深度点的刻度后的电流值：
iscaled(j,k,l)＝c(depth)·iimage(j,k,l)(5)
上式中，iscaled(j,k,l)可以表示对应深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的刻度后的电流值；c(depth)可以表示需要刻度的深度窗对应的刻度系数，可以通过上述公式(4)计算获得；iimage(j,k,l)可以表示需要刻度的深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值。当然，上述公式(5)只是一种实施例，还可以根据需要对公式(5)进行变形或变换，本申请不作具体限定。
例如：在本申请一个实施例中，可以将电成像测井图像划分为100个深度窗，每个深度窗内对应有50个深度点，每个深度点可以对应有多个极板和纽扣电极。可以根据上述公式(1)、(2)、(3)、(4)计算获得各个深度窗对应的刻度系数后，利用上述公式(5)对电成像测井图像中各个刻度的深度点进行刻度。如：获取第1个深度窗对应的刻度系数，再获取第1个深度窗中，第1个深度点第1个极板第1个纽扣电极测量的电流值。将测量的电流值与第1个深度窗对应的刻度系数的乘积作为刻度后的第1个深度窗内，第1个深度点第1个极板第1个纽扣电极对应的电流值，完成该深度点的刻度。可以通过此方法，进行电成像测井图像的刻度。
图3是本申请一种实施例中电成像测井图像刻度效果示意图，图3中第一道image.out表示刻度前电成像测井图像，第二道image.scaled表示刻度后电成像测井图像，第三道是计算的电成像测井图像电阻率与常规测井电阻率对比示意图，图中ohmm表示电阻率的单位。第三道图中深颜色实线是刻度后的电成像测井图像电阻率(刻度后成像测井电阻率)，浅颜色实线是常规测井浅电阻率。从图3中可以看出，刻度后的电成像测井图像无论是在电阻率变化趋势还是在数值上均与常规测井电阻率有很好的一致性，从而验证了本申请技术方案的可靠性。
本申请提供的电成像测井图像刻度方法，针对常规测井浅电阻率与电成像测井平均电流一的响应特征，提出了分段自动拟合方法，实现了对两者响应变化规律的准确刻画，为后续刻度奠定了基础。同时，通过获取电成像测井图像的深度窗平均电流二，获取不同深度窗对应的刻度系数，进行不同刻度系数的逐点刻度，有效提高了电成像测井图像刻度的精度，提高了电成像测井图像刻度的准确性。此外，本申请建立了一套电成像测井图像电阻率刻度自动计算方法和流程，可以实现计算机自动处理，能够显著提升了测井资料的处理效率。
基于上述所述的用户web工程数据处理方法，本说明书一个或多个实施例还提供一种web工程数据处理装置。所述的装置可以包括使用了本说明书实施例所述方法的系统(包括分布式系统)、软件(应用)、模块、组件、服务器、客户端等并结合必要的实施硬件的装置。基于同一创新构思，本说明书实施例提供的一个或多个实施例中的装置如下面的实施例所述。由于装置解决问题的实现方案与方法相似，因此本说明书实施例具体的装置的实施可以参见前述方法的实施，重复之处不再赘述。以下所使用的，术语“单元”或者“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
具体地，图4是本申请提供的电成像测井图像刻度装置一种实施例的模块结构示意图，如图4所示，本申请中提供的电成像测井图像刻度装置包括：测井图像生成模块41、平均电流一计算模块42、响应函数获取模块43、平均电流二计算模块44、刻度系数计算模块45、图像刻度模块46。
测井图像生成模块41，可以用于采集待分析井段的电成像测井资料，根据所述电成像测井资料获取电成像测井图像。
平均电流一计算模块42，可以用于根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一。
响应函数获取模块43，可以用于根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数。
平均电流二计算模块44，可以用于根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二。
刻度系数计算模块45，可以用于根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数。
图像刻度模块46，可以用于根据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度。
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，根据采集到的电成像测井资料以及常规测井资料，获取到电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数，并进一步根据获取到的响应函数获取不同深度窗对应的深度窗平均电流二，根据深度窗平均电流二获取不同深度窗对应的刻度系数，最后根据刻度系数完成电成像测井图像的刻度。实现了电成像测井平均电流一与常规测井电阻率变化规律的准确刻画，进一步提高了电成像测井图像刻度的准确性。。
在本申请提供的一种实施例中，所述响应函数获取模块具体用于：
将所述电成像测井平均电流一划分为预定数量个电流区间；
将所述电流区间内的电成像测井平均电流一和所述电流区间对应的常规测井浅电阻率进行函数拟合，获取不同的所述电流区间对应的区间函数；
根据所述区间函数，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的分段函数，将所述分段函数作为所述响应函数。
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，将电成像测井平均电流一划分为多个电流区间，获取不同电流区间对应的电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的区间函数，将不同电流区间对应的区间函数进行组合，构成一个分段函数，即获得待分析井段整个井段对应的电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数。针对常规浅电阻率与电成像测井平均电流一的响应特征，提出了分段自动拟合方法，实现了对两者响应变化规律的准确刻画，为后续刻度奠定了基础。
在本申请提供的一种实施例中，所述响应函数获取模块中的所述函数拟合包括：双对数直线最小二乘拟合。
在本申请提供的一种实施例中，所述区间函数包括直线方程函数，
相应地，所述响应函数获取模块具体用于根据
上式中，a、b表示所述直线方程函数的系数；sn表示所述平均电流在所述电流区间内的深度点的数量；
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，利用双对数直线最小二乘拟合法，将不同电流区间对应的电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率进行拟合，获取每个电流区间对应的区间函数。将区间函数进行组合，可以获取到整个待分析井段电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的分段函数，即电成像测井平均电流一和常规测井浅电阻率之间的响应函数。本申请以分段函数最大程度描述了全井段常规浅电阻率响应与电成像测井平均电流一之间的非线性变化规律，实现了电成像测井与常规测井之间的响应变化规律的准确刻画，为后续进行电成像测井图像刻度提供了准确的数据基础，提高了电成像测井图像刻度的准确性。
在本申请提供的一种实施例中，所述平均电流二计算模块具体用于：
根据
上式中，iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二；nj表示所述深度窗内深度点的数量；nk表示电成像测井仪器的极板数；nl表示所述电成像测井仪器极板上的钮扣电极数目；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值；a(j,k,l)、b(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的所述直线方程函数的系数。
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，根据获得的不同电流区间对应的区间函数，进一步进行逐深度窗的计算，根据不同电流区间对应的区间函数的响应系数进行更高精度的计算，获取不同深度窗对应的深度窗平均电流二，降低现有的逐点刻度方法采用恒定比例关系带来的误差。
在本申请提供的一种实施例中，所述刻度系数计算模块具体用于：
根据c(depth)＝1000/rs(depth)/iaver(depth)计算所述深度窗对应的刻度系数；
上式中，c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；rs(depth)表示对应深度的常规测井浅电阻率值；iaver(depth)表示所述深度窗平均电流二。
在本申请提供的一种实施例中，所述图像刻度单元具体用于：
根据iscaled(j,k,l)＝c(depth)·iimage(j,k,l)对不同深度窗内的电成像测井图像进行刻度；
上式中，iscaled(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极对应的刻度后的电流值；c(depth)表示所述深度窗对应的刻度系数；iimage(j,k,l)表示所述深度窗内第j个深度点处的第k个极板、第l个钮扣电极测量的电流值。
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，根据不同深度窗对应的深度窗平均电流二，进一步获取不同深度窗对应的刻度系数，进行不同刻度系数的逐点刻度，有效提高了电成像测井图像刻度的精度，提高了电成像测井图像刻度的准确性。
在本申请提供的一种实施例中，所述平均电流一计算模块具体用于：根据所述电成像测井图像，利用
上式中，
本申请提供的电成像测井图像刻度装置，根据电成像测井图像计算不同深度点对应的电成像测井平均电流一，并针对常规测井浅电阻率与电成像测井平均电流一的响应特征，提出了分段自动拟合方法，实现了对两者响应变化规律的准确刻画，为后续刻度奠定了基础。同时，可以通过获取电成像测井图像的深度窗平均电流二，获取不同深度窗对应的刻度系数，进行不同刻度系数的逐点刻度，有效提高了电成像测井图像刻度的精度，提高了电成像测井图像刻度的准确性。此外，本申请建立了一套电成像测井图像电阻率刻度自动计算方法和流程，可以实现计算机自动处理，能够显著提升了测井资料的处理效率。
需要说明的，上述所述的装置根据方法实施例的描述还可以包括其他的实施方式，具体的实现方式可以参照相关方法实施例的描述，在此不作一一赘述。
上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
本说明书实施例提供的上述保障数据一致性的处理方法或装置可以在计算机中由处理器执行相应的程序指令来实现，如使用windows操作系统的c++语言在pc端实现、linux系统实现，或其他例如使用android、ios系统程序设计语言在智能终端实现，以及基于量子计算机的处理逻辑实现等。本说明书提供的一种电成像测井图像刻度装置的另一种实施例中，图5是本申请提供的另一种电成像测井图像刻度装置实施例的模块结构示意图，如图5所示，本申请另一实施例提供的电成像测井图像刻度装置可以包括处理器51以及用于存储处理器可执行指令的存储器52，
处理器51和存储器52通过总线53完成相互间的通信；
所述处理器51用于调用所述存储器52中的程序指令，以执行上述各电成像测井图像刻度方法实施例所提供的方法，例如包括：采集待分析井段的电成像测井资料，根据所述电成像测井资料获取电成像测井图像；根据所述电成像测井图像计算所述待分析井段中不同深度点对应的电成像测井平均电流一；根据所述电成像测井平均电流一和预先获取的常规测井资料，构建所述电成像测井平均电流一与常规测井浅电阻率之间的响应函数；根据所述响应函数和所述电成像测井图像，计算所述待分析井段中不同深度窗对应的深度窗平均电流二；根据所述深度窗平均电流二和所述常规测井资料，计算不同深度窗对应的刻度系数；根据所述刻度系数对所述电成像测井图像进行刻度。
需要说明的是说明书上述所述的装置或电子设备根据相关方法实施例的描述还可以包括其他的实施方式，具体的实现方式可以参照方法实施例的描述，在此不作一一赘述。本申请中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于硬件+程序类实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书实施例并不局限于必须是符合行业通信标准、标准计算机数据处理和数据存储规则或本说明书一个或多个实施例所描述的情况。某些行业标准或者使用自定义方式或实施例描述的实施基础上略加修改后的实施方案也可以实现上述实施例相同、等同或相近、或变形后可预料的实施效果。应用这些修改或变形后的数据获取、存储、判断、处理方式等获取的实施例，仍然可以属于本说明书实施例的可选实施方案范围之内。
在20世纪90年代，对于一个技术的改进可以很明显地区分是硬件上的改进(例如，对二极管、晶体管、开关等电路结构的改进)还是软件上的改进(对于方法流程的改进)。然而，随着技术的发展，当今的很多方法流程的改进已经可以视为硬件电路结构的直接改进。设计人员几乎都通过将改进的方法流程编程到硬件电路中来得到相应的硬件电路结构。因此，不能说一个方法流程的改进就不能用硬件实体模块来实现。例如，可编程逻辑器件(programmablelogicdevice,pld)(例如现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray，fpga))就是这样一种集成电路，其逻辑功能由用户对器件编程来确定。由设计人员自行编程来把一个数字系统“集成”在一片pld上，而不需要请芯片制造厂商来设计和制作专用的集成电路芯片。而且，如今，取代手工地制作集成电路芯片，这种编程也多半改用“逻辑编译器(logiccompiler)”软件来实现，它与程序开发撰写时所用的软件编译器相类似，而要编译之前的原始代码也得用特定的编程语言来撰写，此称之为硬件描述语言(hardwaredescriptionlanguage，hdl)，而hdl也并非仅有一种，而是有许多种，如abel(advancedbooleanexpressionlanguage)、ahdl(alterahardwaredescriptionlanguage)、confluence、cupl(cornelluniversityprogramminglanguage)、hdcal、jhdl(javahardwaredescriptionlanguage)、lava、lola、myhdl、palasm、rhdl(rubyhardwaredescriptionlanguage)等，目前最普遍使用的是vhdl(very-high-speedintegratedcircuithardwaredescriptionlanguage)与verilog。本领域技术人员也应该清楚，只需要将方法流程用上述几种硬件描述语言稍作逻辑编程并编程到集成电路中，就可以很容易得到实现该逻辑方法流程的硬件电路。
控制器可以按任何适当的方式实现，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：arc625d、atmelat91sam、microchippic18f26k20以及siliconelabsc8051f320，存储器控制器还可以被实现为存储器的控制逻辑的一部分。本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。
上述实施例阐明的系统、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机。具体的，计算机例如可以为个人计算机、膝上型计算机、车载人机交互设备、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。
虽然本说明书一个或多个实施例提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤，但基于常规或者无创造性的手段可以包括更多或者更少的操作步骤。实施例中列举的步骤顺序仅仅为众多步骤执行顺序中的一种方式，不代表唯一的执行顺序。在实际中的装置或终端产品执行时，可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行(例如并行处理器或者多线程处理的环境，甚至为分布式数据处理环境)。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、产品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、产品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，并不排除在包括所述要素的过程、方法、产品或者设备中还存在另外的相同或等同要素。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本说明书一个或多个时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现，也可以将实现同一功能的模块由多个子模块或子单元的组合实现等。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。
内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flashram)。内存是计算机可读介质的示例。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储、石墨烯存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。
本领域技术人员应明白，本说明书一个或多个实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本说明书一个或多个实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本说明书一个或多个实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本说明书一个或多个实施例可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本本说明书一个或多个实施例，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本说明书的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
以上所述仅为本说明书一个或多个实施例的实施例而已，并不用于限制本本说明书一个或多个实施例。对于本领域技术人员来说，本说明书一个或多个实施例可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在权利要求范围之内。
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