一种红外热释电传感器的制作方法

本实用新型涉及传感器技术领域，特别涉及一种红外热释电传感器。

背景技术：

红外热释电传感器是一种常用的红外探测器件，广泛应用于非接触开关及防盗报警等控制装置中，在自动控制、电器节能、安防等领域具有广阔的应用前景。目前，红外热释电传感器噪音抑制方式包括：一是在传感器的外部添加滤波电路实现噪音抑制；二是采用MCU等软件滤波电路实现噪音抑制。

但是，上述红外热释电传感器的噪音抑制方式具有如下缺点：其一、因为是外部添加滤波电路，对布线要求严格，信号和处理芯片的距离，宽度和地线的包裹都需要严格布线；其二、对工频50/60HZ的干扰的抑制弱；其三、因为传感器的信号弱，不能用长的引线（信号处理引线和传感器引线输出的距离），否则容易干扰。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足，提供一种噪音抑制能力强、能满足应用的不同滤波要求，显著改善产品对外部的电磁抑制能力的红外热释电传感器。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种红外热释电传感器，包括N沟道结场效应晶体管、第一红外热释电传感单元及第二红外热释电传感单元；所述N沟道结场效应晶体管的D端接电源正极，G端接电源负极，S端为信号输出端；所述第一红外热释电传感单元和第二红外热释电传感单元反极性串联于N沟道结场效应晶体管的G端电路上，所述N沟道结场效应晶体管的S端电路设有第一电阻，该第一电阻的两端与G端电路之间分别设有滤波电容。

作为对本实用新型的进一步阐述：

优选地，所述第一电阻的阻值为1K～20Kohm，所述滤波电容的容值为100pF～10uF。

优选地，该红外热释电传感器还包括第二电阻，该第二电阻设置于所述N沟道结场效应晶体管的D端电路上；所述第二电阻的阻值为100ohm～10Kohm。

优选地，该红外热释电传感器还包括第三电阻，该第三电阻与所述第一红外热释电传感单元及第二红外热释电传感单元并联；所述第三电阻的阻值为1～100Gohm。

优选地，该红外热释电传感器还包括金属外壳及滤光片，金属外壳设有安装滤光片的窗口，滤光片与第一红外热释电传感单元及第二红外热释电传感单元的位置相对。

本实用新型的有益效果是：本实用新型在传感器内部添加由第一电阻及两个滤波电容组成的π型滤波电路，能提高产品噪音抑制能力和产品对长距离的信号干扰抑制能力。采用π型滤波电路的优点：其一、提高产品对高频的抑制能力，可以灵活的设计频率；其二、改善产品对外部的电磁的抑制能力，产品和信号处理芯片之间的距离适应性更强，产品的热响应信号的稳定性更高。

附图说明

图1为红外热释电传感器的电路结构图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作进一步详细说明。

如图1所示，本实用新型为一种红外热释电传感器，包括N沟道结场效应晶体管Q₁、第一红外热释电传感单元B₁及第二红外热释电传感单元B₂；所述N沟道结场效应晶体管Q₁的D端接电源正极，G端接电源负极，S端为信号输出端；所述第一红外热释电传感单元B₁和第二红外热释电传感单元B₂反极性串联于N沟道结场效应晶体管Q₁的G端电路上，所述N沟道结场效应晶体管Q₁的S端电路设有第一电阻R_S，该第一电阻R_S的两端与G端电路之间分别设有滤波电容C₁、C₂。所述第一电阻R_S及两个滤波电容C₁、C₂组成的π型滤波电路，能提高产品噪音抑制能力和产品对长距离的信号干扰抑制能力，所述第一电阻R_S的阻值为1K～20Kohm，所述滤波电容C₁、C₂的容值为100pF～10uF；根据外部电路环境，可修改第一电阻R_S的阻值及滤波电容C₁、C₂的容值，优化滤波。

如图1所示，该红外热释电传感器还包括第二电阻R_D，即电源浪涌电阻，该第二电阻R_D设置于所述N沟道结场效应晶体管Q₁的D端电路上。所述第二电阻R_D的阻值为100ohm～10Kohm。

如图1所示，该红外热释电传感器还包括第三电阻R_G，即门电阻，该第三电阻R_G与所述第一红外热释电传感单元B₁及第二红外热释电传感单元B₂并联。所述第三电阻R_G的阻值为1～100Gohm。

如图1所示，该红外热释电传感器还包括金属外壳1及滤光片2，金属外壳1设有安装滤光片的窗口，滤光片2与第一红外热释电传感单元B₁及第二红外热释电传感单元B₂的位置相对。以探测人体辐射的红外线传感器为例：人体辐射红外线中心波长为9~10μm，而探测元件的波长灵敏度在0.2~20μm范围内几乎稳定不变。滤光片可通过光的波长范围为7~10μm，正好适合于人体红外辐射的探测，而对其它波长的红外线由滤光片予以吸收，这样便形成了一种专门用作探测人体辐射的红外线传感器。

以上所述，仅是本实用新型较佳实施方式，凡是依据本实用新型的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。