一种晶体消光比综合测量平台的制作方法

本实用新型涉及激光测量技术领域，尤其涉及一种晶体消光比综合测量平台。

背景技术：

激光晶体在整个激光领域有着重要的作用，我们在使用激光晶体之前，需要了解与掌握晶体的各种性质，包括其物理和激光特性等才能判断某种晶体是否满足我们的使用要求，同时，激光晶体的质量，直接影响使用者实验的准确性和研究价值。

现有的专利：一种激光晶体消光比检测台(公告号：CN204882039U公告日：2015.12.16)且通过设有长方体晶体底座和棒状晶体底座分别进行测量矩形晶体和圆柱形晶体，在进行使用时需要根据集体形状不同进行替换，使用时不够方便，且调节较为繁琐，同时其通过在棒状晶体底座上设有两对钢珠，每对钢珠之间形成一个V形槽，这种简易的V 型槽结构使用时稳定性较差，容易出现脱胶掉落的现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种晶体消光比综合测量平台。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种晶体消光比综合测量平台，包括底座、垂直位移调节台、载晶台和铝制V型槽，所述底座下方固定安装有滑轮，所述底座上方滑动连接有水平位移调节台，且水平位移调节台上方设有垂直位移调节台，所述垂直位移调节台上方螺旋连接有综合调节台，且综合调节台上方安装有载晶台，所述载晶台上方安装有标靶台，且标靶台上方固定连接有标靶，所述载晶台内部设有晶体底座，且镜体底座内部嵌入有铝制V型槽，所述铝制V型槽上方设有梯形盖板，且梯形盖板下方安装有玻璃底座。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述滑轮共固定连接有两个，且两个滑轮均匀固定安装在底座的下方。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述标靶垂直固定安装在标靶台的上方。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述铝制V型槽为硬铝定制而成的V形结构，且铝制V型槽底座的两侧设螺纹结构。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述梯形盖板的横截面梯度符合铝制V型槽的梯度。

本实用新型中，现有的综合测量平台在不同形状晶体测量时Y轴距离切换较为麻烦且耗时，且小钢珠构成的简易V型槽结构稳定性较差，容易发生脱胶掉落，操作麻烦，该晶体消光比综合测量平台通过用硬铝定制一个V型槽底座，且制作一个横截面梯度符合V 型槽的等腰梯形盖板，并在盖板上设置一个有靠体的玻璃底座，当测量圆柱型晶体放置在V 型槽上进行测量，当测量长方体晶体时就把盖板锁在V型槽上，将晶体置于玻璃底座上进行测量使用更加的方便稳固。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种晶体消光比综合测量平台的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种晶体消光比综合测量平台的载晶台内部结构示意图。

图例说明：

1-滑轮、2-底座、3-水平位移调节台、4-垂直位移调节台、5-综合调节台、6-载晶台、7-标靶台、8-标靶、9-铝制V型槽、10-梯形盖板、11-玻璃底座、12-晶体底座。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-2，一种晶体消光比综合测量平台，包括底座2、垂直位移调节台4、载晶台6和铝制V型槽9，其特征在于，底座2下方固定安装有滑轮1，底座2上方滑动连接有水平位移调节台3，且水平位移调节台3上方设有垂直位移调节台4，垂直位移调节台4上方螺旋连接有综合调节台5，且综合调节台5上方安装有载晶台6，载晶台6上方安装有标靶台7，且标靶台7上方固定连接有标靶8，载晶台6内部设有晶体底座12，且镜体底座12 内部嵌入有铝制V型槽9，铝制V型槽9上方设有梯形盖板10，且梯形盖板10下方安装有玻璃底座11。

滑轮1共固定连接有两个，且两个滑轮1均匀固定安装在底座2的下方，标靶8垂直固定安装在标靶台7的上方，铝制V型槽9为硬铝定制而成的V形结构，且铝制V型槽 9底座的两侧设螺纹结构，梯形盖板10的横截面梯度符合铝制V型槽9的梯度。

工作原理：该晶体消光比综合测量平台使用时，当需要进行测量的晶体为圆柱形晶体时，将要测量的晶体放置在载晶台6内部的晶体底座12上的铝制V型槽9内部，在通过滑轮1调节距离，在通过垂直位移调节台4和水平位移调节台3进行调节，调节完成后在通过综合调节台5进行调节，全部调节完成后便可以进行测量，当测量矩形晶体时，首先将把梯形盖板10锁在V型槽上，在将被测量矩形晶体置于玻璃底座11上方，在按照上述的步骤进行测量。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。