技术总结
本实用新型公布了一种单芯片双轴磁电阻角度传感器，包括位于X‑Y平面上的衬底、位于衬底上的推挽式X轴和推挽式Y轴磁电阻角度传感器，前者包含X推臂和X挽臂，后者包括Y推臂和Y挽臂，所述X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂均包括至少一个磁电阻角度传感单元阵列，所述X推臂、X挽臂、Y推臂、Y挽臂的磁电阻角度传感单元阵列的磁场敏感方向分别沿+X方向、‑X方向、+Y方向、‑Y方向，磁电阻角度传感单元均具有相同磁多层薄膜结构的TMR或者GMR自旋阀，其反铁磁层磁化方向均通过激光程控加热磁退火获得，还可在磁电阻角度传感单元表面沉积磁场衰减层以提高工作磁场范围。本实用新型具有结构紧凑、高精度，小尺寸，并可实现大幅度磁场工作范围的优点。
技术研发人员：詹姆斯·G·迪克;周志敏
受保护的技术使用者：江苏多维科技有限公司
文档号码：201720165912
技术研发日：2017.02.23
技术公布日：2017.11.10