基于3,3`-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜的L-半胱氨酸的检测方法及传感器与流程

本发明属于化学/生物传感技术领域，具体涉及一种基于3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜的l-半胱氨酸的检测方法及传感器，即一种选择性膜电位型传感器，适用于生命科学、临床医学等方面的检测。

背景技术：

l-半胱氨酸是20种必需氨基酸中唯一含有活性(—sh)巯基的氨基酸，具有重要的生理功能，在医药、食品及化妆品行业中都有广泛应用。因此，发展l-半胱氨酸的测定方法意义重大。近年来，检测l-半胱氨酸的常用方法有高效液相色谱法(hplc)、流动注射分析法(fia)、高效毛细管电泳法(hpce)、气相色谱-质谱联用法(gc-ms)、液相色谱-质谱联用法(lc-ms/ms)、荧光分析法等。然而，这些分析方法都是间接方法，需要的仪器成本昂贵，实验的操作流程复杂，且需要熟练的技术人员，不易于实现实时、在线检测和小型化，因而限制了这些方法的应用。l-半胱氨酸分子含有氨基、巯基等电化学活性基团(如下图结构式)，因而具备应用电分析化学方法进行测定的必要条件。

电化学方法因具有成本低、灵敏度高、测定快速、易微型化等优点，在传感器的开发中引起了很多关注。目前，国内外主要应用电化学方法中的电流型电化学传感器实现对l-半胱氨酸的测定，但是它在实时、在线检测方面仍存在一定的应用局限。

自组装提供了在分子水平上方便地剪裁理想界面的手段，所得到的自组装单分子膜(sam)较传统的lb膜而言，有序性与稳定性均大幅度提高，其广泛的应用前景涉猎非线性光学、分子器件、电子转移反应、润滑、防腐、催化、刻蚀等众多领域。用巯基为电极修饰材料，能有效地促进电活性物质的装载固定及电子转移，使修饰电极具有优良的电化学活性。

然而，制作简单、灵敏度高、易微型化、易在线检测的l-半胱氨酸电位型电化学传感器则鲜有报道。

技术实现要素：

本发明旨在克服现有技术的不足，提供一种基于3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜的l-半胱氨酸的检测方法及传感器。

为了达到上述目的，本发明提供的技术方案为：

所述基于3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜的l-半胱氨酸的检测方法包括如下步骤：(1)在场效应晶体管的si基底层(1)上植入p阱(2)和n型衬底(3)，采用热蒸发和磁控溅射技术在p阱(2)处构建源电极(4)和漏电极(5)，然后在被植入p阱(2)和n型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的si基底层(1)上构建二氧化硅层(6)，再采用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)，最后在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上构建氮化硅层(11)；将栅极部分延长0.1—500mm的距离，制得具有栅极金电极的延长栅场效应晶体管；

(2)制备3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)二钠的乙醇溶液，并将清洗后的延长栅场效应晶体管的栅极金电极在避光、干燥的环境下浸泡于其中，于25℃条件下静置，接着取出洗净后再浸泡于制备的硝酸汞的乙醇溶液中，静置，然后洗净浸泡后的栅极金电极，制得3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜(12)修饰的3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极；

(3)将参比电极、3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极与延长栅场效应晶体管的电极接口相连形成双高阻差分放大电路，将参比电极、3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极插入pbs缓冲溶液中，将延长栅场效应晶体管的电源接口分别与稳压电源的正负极相连，将延长栅场效应晶体管的信号输出接口与万用电表的测试端口相连，由此构成一个完整的传感检测回路；利用场效应晶体管的原位信号放大作用，可灵敏检测体系的电位变化；作为工作电极的3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极在pbs缓冲溶液的电位会随着时间的增加而逐渐趋向于稳定，待电位稳定后加入含有不同浓度l-半胱氨酸(13)的待测样品，进而获得相应的电位响应数据，完成待测样品中l-半胱氨酸(13)的检测。

优选地，步骤(1)中，用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)时，镀膜真空度≤5.0×10^-6torr，且采用si3n4进行钝化；铝铜合金层(8)包括如下重量份的组分：al40—68、cu30—60、ni2—12、fe1—8、ti1—6、nb0.01—0.50；铬钯合金层(9)包括如下重量份的组分：cr40—80、pd10—40、ni2—12、fe1—8、ti1—6、nb0.01—0.50；铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。

优选地，步骤(2)中的所述3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)二钠乙醇溶液的浓度为1.0—10.0mmol/l；所述硝酸汞的乙醇溶液中，硝酸汞水溶液与无水乙醇的体积比为1:1，所述硝酸汞水溶液的浓度为0.1—50.0mmol/l。步骤(2)中栅极金电极浸泡于3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)二钠的乙醇溶液中的时间为1—72h；浸泡于硝酸汞的乙醇溶液中的时间为1—72h。

优选地，步骤(3)中的参比电极为饱和甘汞电极或内置饱和kcl溶液的ag/agcl电极，工作电极为3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极。步骤(3)中的pbs缓冲溶液为ph3.0—11.0、浓度为0.1mol/l的磷酸盐缓冲溶液，ph值优选为6.0。

本发明还提供了一种检测l-半胱氨酸的传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，即，栅极金电极，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜(12)。

其中，所述场效应晶体管包括si基底层(1)和设于si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述si基底层(1)上植入p阱(2)和n型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和n型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。所述铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。

所述传感器对l-半胱氨酸(13)具有良好的能斯特响应关系，线性范围为1.0×10^-7—10^-4mol/l，响应灵敏度为123.4mv·pc^-1，检出限为8.32×10^-8mol/l。

下面对本发明作进一步说明：

本发明将场效应晶体管(fet)的栅极金电极(gge)延长一定距离，如延伸0.1—500mm，通过浸渍法，将3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)(dtps)和汞离子(hg²⁺)先后自组装固定修饰在金电极表面，制作了一种自组装复合膜修饰的金电极gge/dtps-hg，研究了l-半胱氨酸(l-cys)在此修饰电极上的电化学行为，建立了一种电化学检测l-半胱氨酸的新方法。在优化的实验条件下，该电极对l-半胱氨酸在1.0×10^-7—1.0×10^-4mol/l范围内电位值与浓度呈良好的线性关系，其回归方程可拟合为δe＝-123.4logc-874.3，相关系数为0.9918，方法检测下限达到8.32×10^-8mol/l。该电极对l-cys具有超常规的、灵敏的两倍能斯特响应关系，且具有良好的选择性，使用该电极对猪血清样品中的l-cys含量进行检测，测得其回收率为91.2—107.8％，说明该电极可用于实际样品中l-半胱氨酸的检测，在生命科学、临床医学等方面具有着重要的应用前景。

附图说明

图1为延长栅极场效应晶体管及传感器的设计示意图；图中：1、si基底层，2、源电极，3、漏电极，4、p阱，5、n型衬底，6、二氧化硅层，7、多晶硅栅极，8、铝铜合金层，9、铬钯合金层，10、金膜层，11、氮化硅层，12、3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜，13、l-半胱氨酸；

图2为dtps-hg复合膜的组装及结合l-半胱氨酸分子的识别响应原理示意图；

图3：图3a和图3b分别为不同电极在铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液(含有2.0mmol/lk3[fe(cn)6]，2.0mmol/lk4[fe(cn)6]，0.2mol/lna2so4)中的交流阻抗图和循环伏安图；

图3a和图3b中：a、gge，b、gge/dtps，c、gge/dtps-hg，d、gge/dtps-hg/l-cys；

图4：图4a为不同ph条件下dtps-hg复合膜修饰gge电极的电位随被测物l-半胱氨酸浓度变化的关系曲线；图4b为电极斜率随ph变化的效应图；

图5为gge/dtps-hg电极在ph＝6.0的pbs缓冲溶液中，结合不同浓度l-半胱氨酸的电位响应曲线图；

图6为共存干扰组分对gge/dtps-hg电极测定l-半胱氨酸的影响图；

图7为gge/dtps-hg电极对l-半胱氨酸检测的选择性响应关系图。

具体实施方式

一、实验过程

1、延长栅极场效应晶体管的设计及栅极金电极的制备

图1是延长栅极场效应晶体管及传感器的设计示意图，即结合金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)的基本结构，在场效应晶体管的si基底层1上植入p阱2和n型衬底3，采用热蒸发和磁控溅射技术在p阱2处构建源电极4和漏电极5，然后在被植入p阱2和n型衬底3并构建有源电极4和漏电极5的si基底层1上构建二氧化硅层6，再采用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极7的基底层上依次镀上铝铜合金层8、铬钯合金层9和金膜层10，最后在多晶硅栅极7的基底层和二氧化硅层6上构建氮化硅层11；铝铜合金层8包括如下重量份的组分：al40—68、cu30—60、ni2—12、fe1—8、ti1—6、nb0.01—0.50；铬钯合金层9包括如下重量份的组分：cr40—80、pd10—40、ni2—12、fe1—8、ti1—6、nb0.01—0.50；铝铜合金层8的厚度为20—600nm，铬钯合金层9的厚度为20—600nm，金膜层10的厚度为20—1000nm；镀膜时，控制镀膜真空度≤5.0×10^-6torr，将栅极部分的金电极延长250mm的距离，并且利用sio2和si3n4钝化场效应晶体管晶片，目的是防止晶片除au外的部分与溶液接触，从而形成延长栅极场效应晶体管(egfet)。对egfet的延长栅极金电极(gge)膜表面进行不同的物理/化学修饰处理，形成敏感膜以实现对待测目标物的灵敏检测。按自组装方法，将3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)(dtps)和汞离子(hg²⁺)先后自组装固定修饰在栅极金电极的表面，制得3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜12修饰的3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜栅极金电极(gge/dtps-hg)。

2、电极的修饰制备

机械处理：首先将栅极金电极浸入具有强氧化性的piranha溶液中，浸泡0.1-15.0min，如2.0min；然后是打磨与抛光，在抛光布上倒入适量α-al2o3(1.0μm、0.05μm、0.3μm)与纯净水，从粗至细进行逐步抛光，每次抛光后应清洗表面污物；最后依次在超纯水、无水乙醇、超纯水中，分别超声清洗5min。

浸渍法修饰金电极：用移液枪分别取2ml3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)二钠(5.0mmol/l)、2ml无水乙醇于事先干燥好的烧杯中，再将电极浸泡于该混合溶液中，用封装膜将烧杯口密闭封好，于避光、干燥的环境中浸泡修饰48h。接着，取出洗净电极后继续将其浸泡于2ml硝酸汞溶液(3.0mmol/l)、2ml无水乙醇的混合溶液里，静置修饰48h后，取出，冲净，备用。

3、修饰栅极金电极电化学性能的测试

先按上述方法制备不同电极，如裸栅极金电极(gge)、dtps修饰栅极金电极(gge/dtps)、dtps与hg²⁺复合膜修饰栅极金电极(gge/dtps-hg)、结合l-半胱氨酸后的dtps-hg复合膜修饰栅极金电极(gge/dtps-hg/l-cys)，然后以铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液(含有2.0mmol/lk3[fe(cn)6]，2.0mmol/lk4[fe(cn)6]，0.2mol/lna2so4)为介质，在电化学工作站中分别将不同电极作为工作电极，通过循环伏安法(扫速为0.05v/s)和交流阻抗分析等方法，对不同电极的电化学性能进行检测。

4、实验最佳响应条件的优化

(1)ph的优化：配制梯度ph的pbs溶液(3.00～11.00)。在不同ph下，以20mlpbs溶液(0.1mol/l)作为介质，依次加入适量l-半胱氨酸使得溶液中l-半胱氨酸浓度逐次达到1.0×10^-8mol/l、1.0×10^-7mol/l、1.0×10^-6mol/l、5×10^-6mol/l、1.0×10^-5mol/l、5.0×10^-5mol/l、1.0×10^-4mol/l等，以dtps-hg复合膜修饰金电极为工作电极，ag/agcl为参比电极，对溶液电位进行测定。作出ph和电位变化的关系曲线，找到实验最佳响应时的ph。

(2)修饰时间的优化：以4h、8h、12h、24h、36h、48h、60h、72h等为修饰时间梯度，设计dtps、hg²⁺各自的修饰时间。

5、干扰性的影响

在20mlph＝6.00的pbs缓冲溶液(0.1mol/l)中，加入l-半胱氨酸使之浓度达到1.0×10^-5mol/l，再分别加入浓度为l-半胱氨酸50倍的、不同种类氨基酸，对混合溶液电位值进行测定，记录数据，测试不同氨基酸物质对l-半胱氨酸测定的干扰影响，以评估该制备电极的选择性情况。

6、重现性的测定

采用同一只gge/dtps-hg电极对浓度为1.0×10^-6mol/l、5.0×10^-6mol/l的l-半胱氨酸溶液来回进行10次测定，记录该传感器的输出栅压。

7、回收率的测定

取猪血清样品六份，分别编号为k1、k2、k3、k4、k5和k6。取其上清液，采用ph＝6.0的pbs缓冲液将样品稀释10倍，加入已知浓度的l-半胱氨酸。通过标准加入法，对电位值进行测定，与工作曲线做对比，计算回收率。

二、实验结果与分析

1、电极响应机理分析

3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)(dtps)是一种含有二硫键且二硫键两边为对称结构的一种物质，其二硫键中的硫可以与au形成au-s键而自组装在金电极表面上。作为二硫化合物(rssr)，dtps在酸性电解质(0.1mol/l的pbs缓冲溶液，ph＝6.0)中，其二硫键易被还原断裂，形成两个相同的带巯基的结构，其反应式可推导如下：

而且，在酸性条件下，dtps中含有磺酸基的一端带负电，将会吸引带正电的汞离子，即dtps分子的两个磺酸基分别与汞离子之间发生吸附结合，即一个dtps分子可以键合一个汞离子，形成gge/dtps-hg；同时，在酸性条件下，l-半胱氨酸含有巯基和羧基的一端带负电，由于硫可以与hg形成稳定、牢固的hg-s键，则l-cys的巯基与汞之间发生配位吸附结合，即一个dtps-hg可以结合两个l-cys，使得l-cys呈现-1/2价态，其识别响应原理示意图如图2所示。

2、电极的电化学表征分析

为了验证3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜载体与l-胱氨酸的相互作用，本发明采用交流阻抗和循环伏安方法考察了上述不同修饰膜电极的电化学行为，图3a和图3b分别为不同电极(a、gge，b、gge/dtps，c、gge/dtps-hg，d、gge/dtps-hg/l-cys)在铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液(含有2.0mmol/lk3[fe(cn)6]，2.0mmol/lk4[fe(cn)6]，0.2mol/lna2so4)中的交流阻抗图和循环伏安图。

如图3a的交流阻抗所示：a代表已进行完预处理的裸金电极，阻抗值很小，可以说明通过预处理后的裸金电极传递电子能力很强；b代表dtps修饰金电极，高频部分出现半圆，阻抗值明显增大，说明dtps通过一端的巯基在金表面上形成了不导电的单分子自组装膜层，从而阻碍了[fe(cn)6]^3-/4-在电极表面进行电子传导；c是dtps-hg复合膜修饰电极后，阻抗明显减小，表征了修饰hg²⁺的成功，自组装膜层导电性增强；d是在结合l-半胱氨酸后，电极的阻抗值再次减小，这是因为dtps-hg复合膜和l-半胱氨酸发生反应后，l-半胱氨酸由于有巯基、羧基表现出负离子特性，电子的传导性增强，从而产生电化学传导电流，使得界面阻抗减小。电极的循环伏安行为也能印证其阻抗的变化趋势(图3b)，故该方法对l-半胱氨酸的识别检测是可行的。

3、实验最佳响应条件优化

3.1ph的优化

实验考查了不同ph条件(ph3.00～11.00)下dtps-hg复合膜修饰gge电极的电位随被测物l-半胱氨酸浓度变化的关系曲线(图4a)，发现电极斜率随ph变化的效应关系(图4b)。

由图4b可知，在3.00≤ph≤6.00时，斜率随着ph的增大而增大；在6.00≤ph≤10.00时，电位变化值基本上随着ph的增大而减小，虽然ph＝9.0时电极的斜率也较大，但其线性范围及其线性关系不是很好(如图4a所示)，所以ph＝6.00的条件较佳。而且，电极在ph6.00时，一是电极检测时间较短，过程稳定较快；二是检测下限低；三是线性优良。所以，本次方法ph优化最佳响应为ph＝6.00。

3.2修饰时间的优化

实验探讨了该修饰电极在dtps修饰时间分别为4h、8h、12h、24h、36h、48h、60h、72h时，在ph＝6.0的条件下，电极电位随l-半胱氨酸加入浓度的变化关系，并依次求出其响应斜率，找出响应斜率与修饰时间的关系，发现该修饰电极在修饰时间为48h时具有较高的线性拟合度，具有较低的误差棒，且电极斜率达到超常规的、稳定的两倍能斯特响应关系，因此本实验电极选择48h作为后续实验过程中工作电极的最佳修饰时间。此外，实验也同样考查了汞离子的结合时间，发现电极在修饰48h时具有最佳的响应线性与灵敏度。

4、电极的电位响应性能

实验考查了gge/dtps-hg电极在ph＝6.0的pbs缓冲溶液中，结合不同浓度l-半胱氨酸后得到的电位响应关系，如图5所示。

从图5可以看到，随着l-半胱氨酸浓度的增大，电位值逐渐减小，说明该修饰电极表面键合的l-半胱氨酸增加，且该电极在ph＝6.0的pbs缓冲溶液中对l-半胱氨酸离子在1.0×10^-7—1.0×10^-4mol/l的浓度范围有良好的线性响应关系，通过最小二乘法拟合可得到线性方程为δe＝-123.4logc-874.3，相关系数为0.9918，其检测下限可以根据作图法得到，为8.32×10^-8mol/l。

5、干扰性的影响

实验考察了共存干扰组分对gge/dtps-hg电极测定l-半胱氨酸的影响，如图6所示。在20mlph＝6.00的pbs缓冲溶液(0.1mol/l)中，加入1.0×10^-5mol/l的l-半胱氨酸，再分别加入浓度为l-半胱氨酸浓度50倍的、不同种类氨基酸，如l-酪氨酸(l-tyr)、l-赖氨酸(l-lys)、l-谷氨酸(l-glu)、l-天门冬氨酸(l-asp)、l-苏氨酸(l-thr)、l-组氨酸(l-his)、l-脯氨酸(l-pro)、l-甲硫氨酸(l-met)、l-甘氨酸(l-ghy)、l-异亮氨酸(l-ile)、l-丙氨酸(l-ala)。由图6中可以看出，在已有l-半胱氨酸的溶液中加入其他几种氨基酸，响应电位未出现明显变化，则可以判断，共存组分对gge/dtps-hg电极测定l-半胱氨酸没有影响。

采用分别溶液法，进一步考察了gge/dtps-hg电极对不同氨基酸，如l-酪氨酸(l-tyr)、l-赖氨酸(l-lys)、l-谷氨酸(l-glu)、l-天门冬氨酸(l-asp)、l-苏氨酸(l-thr)、l-组氨酸(l-his)、l-脯氨酸(l-pro)、l-甲硫氨酸(l-met)、l-甘氨酸(l-ghy)、l-异亮氨酸(l-ile)、l-丙氨酸(l-ala)的响应灵敏性比较(如图7所示)，各氨基酸的浓度均为l-半胱氨酸浓度的50倍。结果表明，该电极对l-半胱氨酸的响应最大，其它氨基酸的响应非常小、有的几乎无响应，说明该电极对l-半胱氨酸的测定有很好的选择性。

6、电极的响应时间、稳定性和重现性

电极的响应时间、稳定性和重现性等参数是体现电极性能好坏的重要指标，因此也是发展复合膜载体选择性电极性能必不可少的考查指标。实验考查了gge/dtps-hg电极对l-半胱氨酸在1.0×10^-7mol/l—1.0×10^-4mol/l浓度范围内的响应情况，响应时间以达到电位响应最大值的95％来计算，可以发现该电极的响应时间为30s。可以看出，在整个浓度范围内电极达到平衡的反应时间很短，表明该电极对l-半胱氨酸有很快的响应速度。

随后，将gge/dtps-hg电极对浓度为1.0×10^-6mol·l^-1的l-半胱氨酸样品连续监测30min，电位漂移≤±1.0mv，电位数据的相对标准偏差为1.56％(n＝5)，表明该电位传感器具有好的稳定性。将该电极对l-半胱氨酸样品连续测试30d，其响应斜率下降了25.4％，说明该电位传感器可以使用至少一个月，具有较长的使用寿命。

还考察了gge/dtps-hg电极结合不同浓度l-半胱氨酸样品的电位响应得重复性，即使用该电极在1.0×10^-6mol/l和5.0×10^-6mol/l的l-半胱氨酸样品中来回测定它们的电位值，各测6次(如表1所示)。

表1该修饰电极的重现性数据

如表1所示，相对标准偏差(rsd)分别为1.29％和0.92％，可以判断，该dtps-hg复合膜修饰金电极对l-半胱氨酸的检测有很好的重现性。

7、电极的回收率

在最佳实验条件下，考察了gge/dtps-hg电极对实际样品中如猪血清样品中l-半胱氨酸含量的检测应用。取猪血清样品六份，分别编号为k1、k2、k3、k4、k5和k6。取其上清液，采用ph＝6.0的pbs缓冲液将样品稀释10倍，加入已知浓度的l-半胱氨酸。通过标准加入法，对电位值进行测定，与工作曲线做对比，计算回收率(表2)。其中，测得猪血清样品的回收率在91.2—107.8％之间，说明该自组装电化学传感器具有较好的准确性、实用性强，可以用于实际样品中l-半胱氨酸含量的测定分析，在生命科学、生物医学和农畜产品安全检测等领域中具有重要的应用价值。

表2gge/dtps-hg修饰电极测定实际样品中的l-半胱氨酸及其回收率

总之，本发明提供了一种自组装dtps-hg复合膜修饰的栅极金电极，借助场效应晶体管原位放大电位信号，对l-半胱氨酸进行了灵敏检测，从而形成一种新型的生物传感器，对l-半胱氨酸显示出优异的分子识别作用，将之应用于猪血清样品中l-cys的检测，显示出良好的稳定性、重现性、选择性和灵敏性，在生命科学、生物医学和农畜产品安全检测等领域具有很好的应用前景。