探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法与流程

本发明属于测试
技术领域：
，具体而言，涉及一种探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法。
背景技术：
：现有技术中，由于探针卡及晶圆之间的热膨胀系数不同，当晶圆的测试环境温度发生改变时，探针卡及晶圆之间的热胀冷缩程度不同，如果不对之前使用的探针卡进行更换及调校，很容易造成探针卡上的探针无法精准接触晶圆上的量测区域的问题。特别是，应用于大型晶圆的探针卡的探针及晶圆的量测区域之间具有极高的精准匹配的要求，探针或量测区域的位移都能导致测试失效或损坏探针的风险。目前的方法是，分别购买适用于不同温度的探针卡，当测试环境温度改变时，对探针卡进行更换及调校，否则探针卡的探针将无法精准地接触到晶圆上的量测区域，而出现测试失效及探针提早磨损的现象，也同时可能造成探针卡不可挽回的损坏。因此，现有技术中还存在待改进之处。需要说明的是，在上述
背景技术：
部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。技术实现要素：根据本发明的一个方面，提供一种探针卡，包括：多个探针座，各探针座中设置有至少一根探针；其中，至少两个相邻探针座之间设置有支架，用于调整相应两个相邻探针座之间的间距，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试；致冷晶片，与相应支架相连接，用于改变相应支架的长度。在本发明的一种示例性实施例中，所述探针卡包括中心区域和边沿区域，所述致冷晶片和相应的支架设置于所述边沿区域。在本发明的一种示例性实施例中，所述边沿区域包括靠近所述中心区域的第一区域和远离所述中心区域的第二区域；其中，所述第一区域和所述第二区域分别包括多个子区域；各子区域中分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。在本发明的一种示例性实施例中，所述探针卡为圆盘形状，所述边沿区域包括靠近所述中心区域的第一环状区域和远离所述中心区域的第二环状区域；其中，所述第一环状区域包括第一至第四扇形区域；所述第二环状区域包括第五至第八扇形区域；各扇形区域中分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。在本发明的一种示例性实施例中，所述支架为金属材料组成，具有预定温度下的预定线性热膨胀系数。在本发明的一种示例性实施例中，所述支架为圆柱体或者长方体。在本发明的一种示例性实施例中，所述致冷晶片分别设置于相应所述支架上或者至少部分内嵌于相应所述支架中。在本发明的一种示例性实施例中，各致冷晶片分别电连接至测试机，以根据所述测试机输入至致冷晶片的电流大小改变相应致冷晶片的温度，实现改变相应支架的长度。在本发明的一种示例性实施例中，所述探针卡与所述待测试晶圆的热膨胀系数不同。根据本发明的一个方面，提供一种利用上述任一项实施例所述的探针卡实现探针位置调整的方法，所述方法包括：调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度；根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，以调整相应两个相邻探针座之间的间距；根据调整后的两个相邻探针座之间的间距修正相应两个相邻探针座中的探针位置，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试。在本发明的一种示例性实施例中，调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度，包括：若所述待测试晶圆的目标环境温度大于上一次测试时的环境温度，则输入负电电流至所述致冷晶片，以升高所述致冷晶片的温度；若所述待测试晶圆的目标环境温度小于上一次测试时的环境温度，则输入正电电流至所述致冷晶片，以降低所述致冷晶片的温度。在本发明的一种示例性实施例中，所述探针卡中设置有多个致冷晶片，分别与相应的支架连接；所述方法还包括：独立控制输入至各致冷晶片的电流大小。在本发明的一种示例性实施例中，所述探针卡包括中心区域和边沿区域，所述边沿区域包括靠近所述中心区域的第一区域和远离所述中心区域的第二区域，所述第一区域和所述第二区域分别包括多个子区域，各子区域中分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架；调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度，包括：输入第一电流值的电流至所述第一区域的各子区域内的致冷晶片；输入第二电流值的电流至所述第二区域的各子区域内的致冷晶片；所述第一电流值小于所述第二电流值。在本发明的一种示例性实施例中，根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，以调整相应两个相邻探针座之间的间距，包括：根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，产生支架推挤相应两个相邻探针座的应力；根据所述应力控制相应两个相邻探针座之间的位移，以调整相应两个相邻探针座之间的间距。在本发明的一种示例性实施例中，根据调整后的两个相邻探针座之间的间距修正相应两个相邻探针座中的探针位置，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试，包括：若探针座中的探针接触目标量测区域后的痕迹完全位于相应目标量测区域以内，则停止修正相应两个相邻探针座中的探针位置；若探针座中的探针接触目标量测区域后的痕迹至少有部分位于相应目标量测区域以外，则继续修正相应两个相邻探针座中的探针位置。在本发明的一种示例性实施例中，调整输入至致冷晶片的电流大小，包括：通过测试机控制输入至所述致冷晶片的电流大小。本发明一些实施例中提供的探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法，通过在至少两个相邻探针座之间设置支架，并设置于相应支架相连接的致冷晶片，从而可以根据待测试晶圆测试时的环境温度变化，改变输入至致冷晶片的电流大小，从而自动调整相应两个相邻探针座之间的间距，以实现相应两个相邻探针座中的探针之间的探针位置的修正，从而可以提高探针与量测区域之间的对准精确度，提高待测试晶圆的测试成功率，降低探针卡上的探针的磨损率，从而可以延长探针卡的寿命，并减少了现有技术中由于测试环境温度变化带来的购买适用不同温度的探针卡的费用成本，以及降低了现有技术中对新调换的探针卡进行调校所需的时间成本。附图说明通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施方式的详细说明，本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1是示出根据本发明实施例的一种探针卡的结构示意图；图2是示出根据本发明实施例的一种探针卡的俯视图；图3是示出根据本发明实施例的另一种探针卡的俯视图；图4是示出根据本发明实施例的又一种探针卡的俯视图；图5是示出根据本发明实施例的再一种探针卡的俯视图；图6是示出根据本发明实施例的一种支架和致冷晶片的结构示意图；图7是示出根据本发明实施例的另一种支架和致冷晶片的结构示意图；图8是示出根据本发明实施例的一种利用探针卡实现探针位置调整的方法的流程图；图9是示出根据本发明实施例的一种探针与目标量测区域接触后的痕迹示意图；图10是示出根据本发明实施例的一种正常的痕迹与需要进一步位移的痕迹的示意图。具体实施方式体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本发明。在对本发明的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本发明的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本发明的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本发明范围的情况下进行结构和功能性修改。图1是示出根据本发明实施例的一种探针卡的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供的探针卡100可以包括多个探针座(例如图示中的探针座111、112、113、114、115、116，这里以六个探针座为例进行举例说明，但本发明并不限定于此)。其中，各探针座中设置有至少一根探针140。本发明实施例中，探针卡100中包含的探针座数量及各探针座的分布可以根据待测试晶圆上的待测试芯片以及各待测试芯片的目标量测区域(例如各待测试芯片上的待测试焊垫)的数量及分布情况来设计，本发明对其不作限定。需要说明的是，图1所示实施例中，以各探针座中均包括11根探针、且同一探针座中的相邻两探针之间为等间隔为例进行举例说明，但实际情况中，各探针座中包括的探针数量及探针间隔并不对其进行限定，各探针座中的探针数量可以相同也可以不同，各探针座中的相邻两探针之间的间隔可以是等间隔，也可以是非等间隔的，均可以根据具体的应用场景来设计。其中，探针卡100的所述多个探针座中存在至少两个相邻探针座之间设置有支架，所述支架可以用于调整相应两个相邻探针座之间的间距，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试。继续参考图1，探针座111与相邻的探针座112之间可以设置有支架121，探针座113与相邻的探针座114之间可以设置有支架122，探针座115与相邻的探针座116之间可以设置有支架123。进一步的，探针卡100还可以包括致冷晶片，与相应支架相连接，所述致冷晶片可以用于改变相应支架的长度，从而实现调整相应两个相邻探针座之间的间距的功能。本发明实施例中，致冷晶片又可以称为半导体致冷片，也叫热电致冷片。它的优点是没有滑动部件，使其可以应用在一些空间受到限制、可靠性要求高、无致冷剂污染的场合。所述致冷晶片利用半导体材料的珀耳帖(peltier)效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现致冷的目的。致冷晶片是一种产生负热阻的致冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。例如，可以使用型号为tec1-127.06-200c-y-0.02-150的致冷晶片，其对应的规格编码如下：tec1-127.06-125℃-n-0.10-150，其中“te”代表致冷晶片代号，“c”代表陶瓷面板(如果为“s”，则表示小型晶片)，“1”代表层级为一层(如果为2表示层级为二层，如果为3表示层级为三层)，“127”表示晶粒p型与n型总对数，“06”表示最大工作电流(单位为a)，“125”代表最高工作温度(其他值例如还可以为150或者200)，“n”表示防潮密封无，如果为“y”则表示有防潮密封，“0.10”表示厚度公差为0.10mm，其他值例如还可以为0.09mm、0.08mm、0.07mm、0.06mm、0.05mm、0.04mm、0.03mm、0.02mm等，“150”表示电线长度，单位为mm。在图1所示实施例中，以致冷晶片131、132、133为例进行举例说明。具体的，致冷晶片131与支架121相连接，可以用于改变支架121的长度，以实现调整相邻的探针座111与探针座112之间的间距，从而修正探针座111与探针座112中的探针的探针位置，使得探针座111与探针座112中的探针能够与所述待测试晶圆上的目标量测区域较为精确的对准。类似的，致冷晶片132与支架122相连接，可以用于改变支架122的长度，以实现调整相邻的探针座113与探针座114之间的间距，从而修正探针座113与探针座114中的探针的探针位置，使得探针座113与探针座114中的探针能够与所述待测试晶圆上的目标量测区域较为精确的对准。致冷晶片133与支架123相连接，可以用于改变支架123的长度，以实现调整相邻的探针座115与探针座116之间的间距，从而修正探针座115与探针座116中的探针的探针位置，使得探针座115与探针座116中的探针能够与所述待测试晶圆上的目标量测区域较为精确的对准。本发明实施例中，各致冷晶片分别电连接至测试机200，以根据测试机200输入至致冷晶片的电流大小改变相应致冷晶片的温度，从而可以实现改变相应支架的长度的功能。需要说明的是，本发明并不限定由测试机200给各致冷晶片提供电流，还可以通过其他任意的电源组件给各致冷晶片提供电流。继续参考图1所示实施例中，致冷晶片131、致冷晶片132以及致冷晶片133分别电连接至测试机200，测试机200分别输入电流至致冷晶片131、致冷晶片132以及致冷晶片133。图1所示实施例中，假设测试机200输入至致冷晶片131的电流大小可以为i1，输入至致冷晶片132的电流大小可以为i2，输入至致冷晶片133的电流大小可以为i3。在一些实施例中，测试机200可以独立控制输入至各致冷晶片中的电流大小，可以根据相应两个相邻探针座之间需要调整的位移来控制输入相应的电流大小，例如，上述电流i1、i2和i3的电流大小可以是不同的。在另一些实施例中，测试机200也可以控制输入至至少一部分致冷晶片中的电流大小相同，本发明对此不作限定。可以根据待测试晶圆的具体情况进行电流控制策略的相应调整和设定。本发明实施例中，可以通过电性调整探针卡上探针的位置。其中，测试机通过输出电流的大小来控制致冷晶片的温度，从而影响探针座支架的长度，产生支架推挤与之连接的相邻两个探针座的应力，利用该应力来修正该相邻两个探针座中的探针的位置。在示例性实施例中，探针卡100的半径尺寸可以大于等于第一阈值。在示例性实施例中，所述第一阈值可以为12寸。本发明实施例中，探针卡100可以是指用于测试大型晶圆的探针卡，通常晶圆的尺寸有8寸，10寸，12寸，14寸，16寸等，这里可以认为大于等于12寸的晶圆为大型晶圆，认为小于12寸的晶圆为小型晶圆，但本发明并不限定于此，所述第一阈值的值可以根据具体应用场景来调整。本发明实施例中，探针卡100与所述待测试晶圆的热膨胀系数可以不同。本发明一些实施例中提供的探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法，通过在至少两个相邻探针座之间设置支架，并设置于相应支架相连接的致冷晶片，从而可以根据待测试晶圆测试时的环境温度变化，改变输入至致冷晶片的电流大小，从而自动调整相应两个相邻探针座之间的间距，以实现相应两个相邻探针座中的探针之间的探针位置的修正，从而可以提高探针与量测区域之间的对准精确度，提高待测试晶圆的测试成功率，降低探针卡上的探针的磨损率，从而可以延长探针卡的寿命，并减少了现有技术中由于测试环境温度变化带来的购买适用不同温度的探针卡的费用成本，以及降低了现有技术中对新调换的探针卡进行调校所需的时间成本。本发明实施例中，可以在探针卡分区埋设安装致冷晶片，致冷晶片连接至探针座旁的支架。在测试过程中由测试机控制致冷晶片的温度来影响探针座支架的长度，产生支架推挤探针座的应力，利用该应力来修正探针的位置。图2是示出根据本发明实施例的一种探针卡的俯视图。如图2所示，探针卡100可以包括中心区域和边沿区域，所述致冷晶片和相应的支架可以设置于所述边沿区域。由于实际情况中，探针与目标量测区域无法精准接触的情况都发生在待测试晶圆的边沿区域，因此，本发明实施例中建议将致冷晶片安装在探针卡上的边沿区域，但本发明并不限定于此。需要说明的是，在图2所示实施例中，以探针卡100的俯视图为方形为例进行说明，但本发明并不限定于此，探针卡100可以具有任意适当的形状，可以根据待测试晶圆的形状来进行相应的设计。图3是示出根据本发明实施例的另一种探针卡的俯视图。本发明实施例提供的探针卡100与上述图2所示实施例的不同之处在于，所述边沿区域还可以进一步包括靠近所述中心区域的第一区域和远离所述中心区域的第二区域。其中，所述第一区域和所述第二区域分别可以包括多个子区域；各子区域中可以分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。如图3所示，所述第一区域可以包括子区域301、子区域302、子区域303以及子区域304。所述第二区域可以包括子区域305、子区域306、子区域307以及子区域308。需要说明的是，虽然图3所示实施例中，以所述第一区域和所述第二区域中的各子区域为对称等分的，但本发明并不限定于此，各区域及子区域的划分及分布可以根据待测试晶圆的具体情况来设计。图4是示出根据本发明实施例的又一种探针卡的俯视图。与上述图2和3所示实施例的不同之处在于，图4所示实施例的探针卡100可以为圆盘形状。目前一般的晶圆为圆形，因此，可以将探针卡100适应性的设计为圆盘形状。如图4所示，探针卡100可以包括中心区域和边沿区域。其中，所述边沿区域可以包括靠近所述中心区域的第一环状区域和远离所述中心区域的第二环状区域。其中，所述第一环状区域可以包括第一至第四扇形区域，例如图示中的第一扇形区域401、第二扇形区域402、第三扇形区域403以及第四扇形区域404。其中，所述第二环状区域可以包括第五至第八扇形区域，例如图示中的第五扇形区域405、第六扇形区域406、第七扇形区域407以及第八扇形区域408。其中，各扇形区域中可以分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。上面的实施例中，将探针卡的边沿区域可以分成靠近所述中心区域的第一区域和远离所述中心区域的第二区域，或者靠近所述中心区域的第一环状区域和远离所述中心区域的第二环状区域，但本发明并不限定于此，可以根据待测试晶圆上的待测试芯片的焊垫(pad)的分布结构来具体划分。图5是示出根据本发明实施例的再一种探针卡的俯视图。在图5所示实施例中，可以将探针卡100的边沿区域分成靠近所述中心区域的第一环状区域、远离所述中心区域的第三环状区域以及位于所述第一环状区域和所述第三环状区域之间的第二环状区域。例如，所述第一环状区域可以包括图示中的第一扇形区域501、第二扇形区域502、第三扇形区域503以及第四扇形区域504。所述第二环状区域可以包括图示中的第五扇形区域505、第六扇形区域506、第七扇形区域507以及第八扇形区域508。所述第三环状区域可以包括图示中的第九扇形区域509、第十扇形区域510、第十一扇形区域511以及第十二扇形区域512。其中，各扇形区域中可以分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。在示例性实施例中，所述支架可以为圆柱体或者长方体。但本发明并不限定于此，支架可以设计成任意合适的形状，只要其能够实现调整与其连接的相邻两探针座之间的间距的功能即可。在示例性实施例中，所述致冷晶片可以分别设置于相应所述支架上或者至少部分内嵌于相应所述支架中。但本发明并不限定于此，本发明实施例中，只要能够实现将致冷晶片的温度传导至相应支架即可，对致冷晶片和支架之间的位置关系以及形状结构没有特殊限定。图6是示出根据本发明实施例的一种支架和致冷晶片的结构示意图。如图6所示，本发明实施例中的支架601可以是长方体的，致冷晶片602也可以是长方体的，致冷晶片602可以部分内嵌于支架601中。图7是示出根据本发明实施例的另一种支架和致冷晶片的结构示意图。如图7所示，本发明实施例中的支架701可以是圆柱体的，致冷晶片702也可以是圆柱体的，致冷晶片702可以完全内嵌于支架701中。在示例性实施例中，所述支架可以为金属材料组成，具有预定温度下的预定线性热膨胀系数。本发明实施例中，探针座旁的支架材质可以使用金属，例如铝、铜等。其中，各金属在20℃(单位1e-6/k或1e-6/℃)下的线性热膨胀系数如下表1所述。表1金属名称元素符号线性热膨胀系数铍be12.3锑sb10.5铜cu17.5铬cr6.2锗ge6.0铱ir6.5锰mn23.0镍ni13.0银ag19.5铝al23.2铅pb29.3镉cd41.0铁fe12.2金au14.2镁mg26.0钼mo5.0铂pt9.0锡sn2.0本发明实施例中，可以利用各金属材质的线性热膨胀系数不同，在同样的测试环境温度下，可形成不同的位移参数，例如铝比铜的线性热膨胀系数更高，位移的幅度较大；铜的线性热膨胀系数较低，相应的位移的幅度较小，因此可调控的范围较精准，因此，可以依照不同的探针卡需求使用不同的材质，可以实现探针卡的高度客制化。图8是示出根据本发明实施例的一种利用探针卡实现探针位置调整的方法的流程图。如图8所示，本发明实施例提供的利用探针卡实现探针位置调整的方法可以包括以下步骤。所述探针卡可以参照上述图1-7所示实施例的描述。在步骤s810中，调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度。在示例性实施例中，调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度，可以包括：若所述待测试晶圆的目标环境温度大于上一次测试时的环境温度，则输入负电电流至所述致冷晶片，以升高所述致冷晶片的温度；若所述待测试晶圆的目标环境温度小于上一次测试时的环境温度，则输入正电电流至所述致冷晶片，以降低所述致冷晶片的温度。例如，如果上一周测试晶圆时，设定的环境温度为-40℃，本周测试待测试晶圆时，需要的目标环境温度为100℃，此时，可以输入负电电流至致冷晶片，升高致冷晶片的温度，从而可以拉伸相应支架的长度，使得与该支架相连接的相邻两个探针座之间的间距变长。再例如，如果上一周测试晶圆时，设定的环境温度为100℃，本周测试待测试晶圆时，需要的目标环境温度为-40℃，此时，可以输入正电电流至致冷晶片，降低致冷晶片的温度，从而可以缩短相应支架的长度，使得与该支架相连接的相邻两个探针座之间的间距缩短。在示例性实施例中，所述探针卡中设置有多个致冷晶片，分别与相应的支架连接。所述方法还可以包括：独立控制输入至各致冷晶片的电流大小。在示例性实施例中，所述探针卡可以包括中心区域和边沿区域，所述边沿区域可以包括靠近所述中心区域的第一区域和远离所述中心区域的第二区域，所述第一区域和所述第二区域可以分别包括多个子区域，各子区域中可以分别设置至少一个致冷晶片和相应的支架。其中，所述调整输入至致冷晶片的电流大小以改变所述致冷晶片的温度，可以包括：输入第一电流值的电流至所述第一区域的各子区域内的致冷晶片；输入第二电流值的电流至所述第二区域的各子区域内的致冷晶片。以上述图3所示实施例为例进行举例说明，可以将所述第一区域内的各子区域即子区域301-304内的各致冷晶片输入相同的第一电流值，从而控制子区域301-304内的各致冷晶片具有相同的温度，这是因为子区域301-304与中心区域的距离相等，一般情况下，其探针座内的探针受到热胀冷缩的影响程度是近似的，因此，可以将同一区域内的致冷晶片设定为相同的电流大小，这样可以降低测试机输出电流大小的控制复杂度。但本发明并不限定于此，也可以将同一区域内的各子区域内的致冷晶片单独控制。在示例性实施例中，所述第一电流值小于所述第二电流值。还是以上述图3为例进行说明，由于所述第二区域远离所述中心区域，其中的探针受到热胀冷缩的影响程度相比所述第一区域内的探针更大，因此，可以将其中的致冷晶片输入更大的第二电流值来控制其温度变化。在步骤s820中，根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，以调整相应两个相邻探针座之间的间距。在示例性实施例中，根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，以调整相应两个相邻探针座之间的间距，可以包括：根据所述致冷晶片的温度决定相应支架的长度，产生支架推挤相应两个相邻探针座的应力；根据所述应力控制相应两个相邻探针座之间的位移，以调整相应两个相邻探针座之间的间距。在步骤s830中，根据调整后的两个相邻探针座之间的间距修正相应两个相邻探针座中的探针位置，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试。在示例性实施例中，根据调整后的两个相邻探针座之间的间距修正相应两个相邻探针座中的探针位置，以满足待测试晶圆上的目标量测区域的测试，可以包括：若探针座中的探针接触目标量测区域后的痕迹完全位于相应目标量测区域以内，则停止修正相应两个相邻探针座中的探针位置；若探针座中的探针接触目标量测区域后的痕迹至少有部分位于相应目标量测区域以外，则继续修正相应两个相邻探针座中的探针位置。具体可以参见下图9和10的说明。在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在所述待测试晶圆的测试过程中，控制目标环境温度处于恒定状态。例如，使其在整个测试过程中，保持为20℃。在示例性实施例中，调整输入至致冷晶片的电流大小，可以包括：通过测试机控制输入至所述致冷晶片的电流大小。本发明实施例中，测试机本身可以控制电流输出的大小，致冷晶片依电流大小决定致冷晶片的温度，而致冷晶片的温度决定了相应支架的长度。图9是示出根据本发明实施例的一种探针与目标量测区域接触后的痕迹示意图。如图9所示，目标量测区域901假设是待测试晶圆上的一个待测试芯片的待测试焊垫，假设待测试焊垫的尺寸为50μm×40μm，则该待测试焊垫的整个表面尺寸区域为目标量测区域，通过采用本发明实施例提供的方法，可以看到探针与目标量测区域接触后的痕迹902均位于待测试焊垫以内，甚至位于待测试焊垫的近似中心点。本发明实施例中，可以通过测试机的工作站电脑发出信号，由测试机提供稳定电流送入致冷晶片，并控制各区域探针的位移，然后由探针接触目标量测区域后的痕迹判断位移是否足够。图10是示出根据本发明实施例的一种正常的痕迹与需要进一步位移的痕迹的示意图。如图10所示，若通过观察，发现探针与目标量测区域1001接触后的痕迹1002完全位于目标量测区域1001以内，则可以判定为正常的痕迹。反之，若发现探针与目标量测区域1003接触后的痕迹1004有至少部分位于目标量测区域1004以外，则可以判定为需要进一步调整位移的痕迹。本发明实施方式提供的探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法，针对现有技术中大型晶圆的探针卡随着温度变化热胀冷缩而无法精准接触晶圆上的量测区域的现象，通过在探针卡上增设支架和致冷晶片，利用致冷晶片随着电流大小的变化实现温度变化的控制，从而使得支架随着致冷晶片的温度变化实现热胀冷缩，根据支架的热胀冷缩的变化来使得探针座发生位移，从而最终实现修正探针位置的目的，该方案可应用于探针卡及晶圆的热膨胀系数不同，造成探针无法精准接触量测区域的现象，省去了购买适用不同温度的探针卡的成本，也节省了探针卡调换以及调校的时间。以上详细地描述和/或图示了本发明提出的探针卡及利用探针卡实现探针位置调整的方法的示例性实施方式。但本发明的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式，相反，每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时，用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。此外，权利要求书及说明书中的术语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。虽然已根据不同的特定实施例对本发明提出的测试方法、测试设备、测试载板及测试系统进行了描述，但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本发明的实施进行改动。当前第1页1 2 3