一种高精度激光测距器的制作方法

本实用新型涉及到激光测距技术领域，尤其涉及到一种高精度激光测距器。

背景技术：

激光测距是先由激光发射器对准目标发射激光脉冲，经目标反射后激光向各方向散射，部分散射光返回到接收器，记录并处理从光脉冲发出到返回被接收所经历的时间，即可测定目标距离。

目前的激光测距由于待测目标的反射率不同，造成测量结果存在不同程度的精度误差，给用户使用带来不便。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现要素：

本实用新型提供一种高精度激光测距器,解决的上述问题。

为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：

一种高精度激光测距器，包括电源模块和测距模块；所述电源模块与所述测距模块电性连接；所述电源模块包括电源vcc、电容c1-c2和集成电路u2。

优选的技术方案，所述电源vcc分别与所述电容c1的第一端、所述集成电路u2的第1、3管脚连接；所述集成电路u2的第5管脚与所述电容c2的第二端连接；所述电容c1-c2的第二端、所述集成电路u2的第2管脚均接地。

优选的技术方案，所述电源vcc的电压范围为dc3.3-5v；所述集成电路u2的型号为bl8555-28pra。

优选的技术方案，所述测距模块包括电阻r1-r8、电容c3、场效应管q1-q2、接插件p1-p2和集成电路u1。

优选的技术方案，所述接插件p1的第1针脚分别与所述电阻r1的第二端、所述场效应管q1的第3端连接；所述电阻r1的第一端与所述电阻r2的第一端连接；所述接插件p1的第2针脚分别与所述电阻r2的第二端、所述场效应管q2的第3端连接；所述场效应管q2的第1端分别与所述场效应管q1的第1端、所述电阻r3-r6的第一端连接；所述场效应管q1的第2端分别与所述电阻r3的第二端、所述集成电路u1的第9管脚连接；所述场效应管q2的第2端分别与所述电阻r4的第二端、所述集成电路u1的第10管脚连接；所述集成电路u1的第5管脚分别与所述电阻r5、r7的第二端连接；所述集成电路u1的第7管脚分别与所述电阻r6、r8的第二端连接；所述接插件p2的第2针脚与所述电阻r7的第一端连接；所述接插件p2的第1针脚与所述电阻r8的第一端连接；所述电容c3的第一端分别与所述集成电路u1的第1、11管脚、所述电阻r3的第一端连接；所述电阻r1的第一端与所述接插件p1的第4针脚连接；所述接插件p1的第3针脚、所述电容c3的第二端、所述集成电路u1的第2-4、6、12管脚均接地。

优选的技术方案，所述集成电路u1的型号为vl53l0；所述场效应管q1-q2为p沟道场效应管。

相对于现有技术的有益效果是，采用上述方案，本实用新型采用基于飞行时间测距(tof)的传感器，能够较大程度上忽略待测目标的反射率，从而得到较高精确度的测量结果；提供即插即用的gravity-i2c接口，支持3.3v~5v供电使用，兼容性高，适用范围广。

附图说明

为了更清楚的说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一种高精度激光测距器电路原理图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本说明书所使用的术语“固定”、“一体成型”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，在图中，结构相似的单元是用以相同标号标示。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。

如图1所示，本实用新型的一个实施例是：

一种高精度激光测距器，包括电源模块和测距模块；所述电源模块与所述测距模块电性连接；所述电源模块包括电源vcc、电容c1-c2和集成电路u2。

所述电源vcc分别与所述电容c1的第一端、所述集成电路u2的第1、3管脚连接；所述集成电路u2的第5管脚与所述电容c2的第二端连接；所述电容c1-c2的第二端、所述集成电路u2的第2管脚均接地。

所述电源vcc的电压范围为dc3.3-5v；所述集成电路u2的型号为bl8555-28pra。

所述测距模块包括电阻r1-r8、电容c3、场效应管q1-q2、接插件p1-p2和集成电路u1。

所述接插件p1的第1针脚分别与所述电阻r1的第二端、所述场效应管q1的第3端连接；所述电阻r1的第一端与所述电阻r2的第一端连接；所述接插件p1的第2针脚分别与所述电阻r2的第二端、所述场效应管q2的第3端连接；所述场效应管q2的第1端分别与所述场效应管q1的第1端、所述电阻r3-r6的第一端连接；所述场效应管q1的第2端分别与所述电阻r3的第二端、所述集成电路u1的第9管脚连接；所述场效应管q2的第2端分别与所述电阻r4的第二端、所述集成电路u1的第10管脚连接；所述集成电路u1的第5管脚分别与所述电阻r5、r7的第二端连接；所述集成电路u1的第7管脚分别与所述电阻r6、r8的第二端连接；所述接插件p2的第2针脚与所述电阻r7的第一端连接；所述接插件p2的第1针脚与所述电阻r8的第一端连接；所述电容c3的第一端分别与所述集成电路u1的第1、11管脚、所述电阻r3的第一端连接；所述电阻r1的第一端与所述接插件p1的第4针脚连接；所述接插件p1的第3针脚、所述电容c3的第二端、所述集成电路u1的第2-4、6、12管脚均接地。

所述集成电路u1的型号为vl53l0；所述场效应管q1-q2为p沟道场效应管。

所述电容c1的第一端与所述电阻r1的第一端连接；所述电容c2的第一端与所述电阻r3的第一端连接。

所述集成电路u1的940nmvcsel发射器（垂直腔面发射激光器）对人眼来说是完全不可见的，加上内部物理红外滤波器，它可以实现更远的距离，更强的抗环境光的能力，以及更好的覆盖玻璃光学截面。

所述接插件p2的第1针脚为传感器关闭引脚，默认被拉高，当引脚被拉低时传感器进入关闭模式；所述接插件p2的第2针脚为传感器中断输出引脚，用来指示数据是否准备好；所述接插件p1为gravity-i2c接口。

需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本实用新型说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。