静电电容传感器的制作方法

本发明涉及一种测量被检测体与传感器之间的距离的静电电容传感器，本发明特别是涉及一种设置在运送半导体晶圆等的薄板状的基板运送机械手的基板保持手部上的静电电容检测传感器和检测电路。

背景技术：

在正确地测量被检测体的位置、基板保持手部与传感器检测部之间的距离的方法之一中，具有使用静电电容传感器的方法。该方法检测在检测被检测体的检测部与被检测体之间产生的静电电容，根据该检测出的静电电容的值测量被检测体与检测部之间的距离。

具体地说，从检测部向被检测体放出从传感器的检测电路供给的微弱的交流电流，通过检测在检测部表面和被检测体表面之间产生的静电电容的变化，测量两个表面间的距离。近年来，该静电电容传感器设置在保持半导体晶圆的晶圆手部上，用于测定晶圆手部与半导体晶圆之间的距离。

在专利文献1中记载有，装载于运送装置的叉状件59b，该运送装置在处理装置内运送半导体晶圆。在叉状件59b的左右两侧，分别安装有静电电容传感器的传感器头(检测部)71a、71b。参见图1。电容传感器测量在设置于叉状件59b上的传感器头71a和71b分别与半导体晶圆之间产生的电容。能够根据已测量的值，将半导体晶圆的有无信息、半导体晶圆与叉状件59b是否保持适当的距离的信息等输出到运送装置的主控制器。然后，主控制器根据这些已输入的信息，向运送装置的驱动系统输出控制信号，以控制运送装置的操作。

另外，在于引用文献1中记载的运送装置中，对静电电容传感器设定阈值，在叉状件59b通过半导体晶圆的外周时，静电电容传感器和驱动叉状件59b的驱动系统协调动作，由此能够测量半导体晶圆的外周部的位置作为叉状件59b的前后方向的移动量，能够利用原本测量垂直方向的距离的静电电容传感器，测量半导体晶圆w的水平方向的位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：jp特开平8－335622号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

但是，无法正确地通过在引用文献中记载的叉状件59b检测半导体晶圆的可能性较高。近年来，半导体被微细化至电路线宽20纳米左右，由于这种微细化的进展，半导体晶圆的被处理面上的颗粒的附着成为大问题。在此，作为微粒附着在半导体晶圆的表面上的原因之一，列举有半导体晶圆的带电。半导体晶圆在半导体的各制造工序中进行实施各种表面处理，但此时半导体晶圆带电，由此使颗粒附着在半导体晶圆表面上。此外，该半导体晶圆的带电不仅吸引颗粒，而且成为破坏在半导体晶圆表面上形成的电路图案的原因。

为了消除该故障，在半导体制造设备和晶圆运送设备的内部空间中设置有除电装置，以防止半导体晶圆带电。除电装置是对针状的电极，即发射极施加规定频率的电压，在电极与接地面之间引起电晕放电，产生正离子或负离子的装置。由该除电装置而产生的离子通过从设置在运送装置上的ffu(funfilterunit，风机过滤单元)供给的向下的气流，向半导体晶圆等的带电的物品移动，进行物品的除电。

由于在以预定频率而施加几千至几万伏的高电压以进行放电的同时，使用除电装置，因此在周围产生波动电场或波动磁场。这样的变动电场和变动磁场成为噪声，成为设置在运送装置内的测量设备和电子设备的误动作的原因，妨碍静电电容传感器的正确检测。另外，由配置在运送装置内部的驱动源的工作引起的噪声也妨碍静电电容的正确检测。

本发明是鉴于上述问题而完成的，本发明的目的在于，提供一种静电电容传感器，即使在配置有除电器等的噪声发生源的运送装置的内部空间中，也能够稳定地检测被检测体。

用于解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明的静电电容传感器涉及测量检测部与被检测体之间的距离的静电电容传感器，其特征在于，该静电电容传感器包括：交流供给源，该交流供给源向上述检测部供给交流电压；寄生电容补偿电路；运算放大器；差动放大器；相位检波机构；低通滤波器，其中，运算放大输出端子经由第1带通滤波器与上述差动放大器的反相输入端子连接，上述交流供给源经由第2带通滤波器与上述差动放大器的非反相输入端子连接，上述差动放大器的输出端子与上述相位检波机构的输入端子连接，上述相位检波机构将从上述交流供给源输出的载波作为参照信号。

通过形成上述结构，本发明的静电电容传感器能够不受噪声的影响，即使是微小的静电电容的变化，也能够正确地检测，能够正确地测定检测部与被检测体之间的距离。

此外，具有本发明的静电电容传感器的晶圆运送机械手的特征在于，检测部设置在保持半导体晶圆的指状件的表面上；并且，在内部空间设置具有本发明的静电电容传感器的晶圆运送机械手的晶圆运送装置至少具有：ffu，该ffu将上述内部空间维持在清洁的状态；装载口，该装载口载置收纳上述半导体晶圆的收纳容器，对上述收纳容器的盖进行开闭；除电装置，该除电装置设置在上述晶圆运送装置的顶部附近，对上述内部空间进行除电，其中，从上述静电电容传感器所具有的上述交流供给源输出的载波的频率是比对上述除电装置的发射极施加的电源的频率高的频率。

发明的效果

通过形成上述结构，本发明的静电电容传感器也能够检测微小的静电电容的变化。另外，即使将本发明的静电电容传感器的检测部贴附于晶圆运送机械手的指状件的表面上使用，也不会对半导体晶圆造成妨碍，能够无故障地运送半导体晶圆。另外，由于可正确地检测半导体晶圆与指状件的分离距离，故晶圆运送机械手的示教作业变得容易。

附图说明

图1为表示搭载有现有的静电电容传感器的指状件的图；

图2为表示具有本发明的静电电容传感器的晶圆运送机械手的一个实施方式的图；

图3为表示搭载具有本发明的静电电容传感器的晶圆运送机械手的晶圆运送装置的一个实施方式的图；

图4为表示搭载具有本发明的静电电容传感器的晶圆运送机械手的晶圆运送装置的一个实施方式的图；

图5为表示设置本发明的静电电容传感器的指状件的一个实施方式的图；

图6为表示本发明的静电电容传感器所具有的检测部的一个实施方式的图；

图7为表示本发明的静电电容传感器的一个实施方式的方框图。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的实施方式进行描述。图2为表示具有作为本发明的第1实施方式的静电电容传感器1的晶圆运送机械手2的图，图3、图4为表示搭载有该晶圆运送机械手2的晶圆运送装置3的图。本实施方式的晶圆运送装置3称为efem(equipmentfrontendunit，设备前端模块)，是设置在对半导体晶圆w实施规定的表面处理的晶圆处理装置4的前面的装置，与晶圆处理装置4一起地设置在称为“无尘室”的清洁气氛中进行管理的工厂内。晶圆运送装置3主要具有装载口5、晶圆运送机械手2和使晶圆运送机械手2在水平方向上移动的x轴台6。在半导体制造工序中存在各种工序，各工序通过专用的晶圆处理装置4而进行。处理中的半导体晶圆w以载置在架板上的状态收纳并在各晶圆处理装置4之间移送，上述架板在称为foup(front-openingunifiedpod，前开式晶圆盒)7的密闭容器的内部沿垂直方向隔开规定的间隔而形成。移送至规定的晶圆处理装置4的foup7设置在晶圆运送装置3所具有的装载口5的规定位置。

当设定foup7时，装载口5使各驱动部工作，打开foup7的盖，从而处于能够运送收纳在内部的半导体晶圆w的状态。收纳在foup7中的半导体晶圆w通过晶圆运送装置3所具有的晶圆运送机械手2，向晶圆处理装置4而运送。另外，晶圆运送机械手2将由晶圆处理装置4实施了表面处理的半导体晶圆w从晶圆处理装置4向foup7而运送。另外，装载口5通过晶圆运送装置3的支架8而接地。另外，foup7由导电性树脂成型，载置在装载口5上的foup7也接地。在这里，本实施方式的晶圆运送装置3所处理的半导体晶圆w的直径为300mm。半导体晶圆w载置在foup7的架板上，在该架板和半导体晶圆w之间产生静电电容。另外，在foup7与装载口5之间也产生静电电容，而且，在为了运送半导体晶圆w而将后述的晶圆运送机械手2的指状件18移动到foup7时，在foup7与指状件18之间也产生静电电容。

晶圆运送装置3设置有支架8、固定在该支架8上用于与外部气氛分离的外罩9；将来自外部的空气清洁化处理为高清洁的空气而作为下降流导入到晶圆运送装置3的内部空间11的ffu12；将向晶圆运送装置3的内部空间11供给的空气分子离子化、对半导体晶圆w等带电的物品进行除电并进行电中和的除电装置13。ffu12设置在晶圆运送装置3的顶部，由朝向晶圆运送装置3的内部空间11向下运送空气的风扇12a、和除去存在于运送来的空气中的尘埃或有机物等的污染物质的过滤器12b构成。除电装置13设置在晶圆运送装置3的顶部附近、ffu12的下方。设置于本实施方式的晶圆运送装置3的除电装置13为电晕放电式除电装置，将从在图中没有示出的供给源而供给的高电压施加于发射极而使其放电，从而使周围的空气分子电离子化。离子化后的空气的分子从除电装置13到达半导体晶圆w的表面，将带电的半导体晶圆w电中和。另外，本实施方式的晶圆运送装置3所具有的除电装置13对发射极施加20hz的电压而使周围的空气分子离子化。所施加的电压的频率受除电装置13配置的环境左右，但在晶圆运送装置3的情况下最大为100hz左右。

本实施方式的晶圆运送机械手2具有：基台2a，其固定于x轴台6的移动部6a上；升降旋转部2b，其能够相对于基台2a在z轴方向上进行升降移动，并且，以基台的中心轴为旋转中心，在与z轴方向垂直相交的平面(回转面)上转动。在升降旋转部2b的上表面具有相互左右对称地构成的1对臂体14、15，在各臂体14、15上具有第1臂14a、15a、第2臂14b、15b、以及保持半导体晶圆w的晶圆手部16、17。第1臂14a、15a的基端部自由旋转地安装于升降旋转部2b。第2支臂14b、15b通过皮带和皮带轮以1定的速度比安装在分别对应的第1支臂14a、15a的前端部。又，晶圆手部16、17在分别对应的第2臂14b、15b的前端，通过带和带轮以恒定的速度比安装。

臂体14、15按照下述的方式构成，该方式为：以各第1臂14a、15a的中心轴为中心的旋转动作以恒定的速度比传递到各第2臂14b、15b和各晶圆手部16、17，变换为通过晶圆运送机械手2的中心轴且向与中心轴成直角的方向的伸缩运动。因此，晶圆运送机械手2具有使升降回转部2b绕中心轴而回转的运动(回转运动)、使臂体14、15向进退方向伸缩的直线移动以及使升降回转部2b向z轴方向移动的z轴移动(升降移动)这三个自由度。另外，x轴台6具有使晶圆运送机械手2向x轴方向移动的x轴移动(平行移动)的一个自由度。通过上述结构，晶圆运送机械手2能够使安装在臂前端的晶圆手部16、17移动到晶圆运送装置3内的规定位置。另外，晶圆手部16、17能够与第1臂和第2臂的伸缩动作联动地在维持规定的姿势的状态下进行进退移动。另外，作为臂体14、15、升降旋转部2b、x轴台6各自的驱动部件的各马达，通过晶圆运送机械手2所具有的在图中没有示出的控制部，对驱动轴的旋转角度进行反馈控制。此外，控制部沿着预先示教的预定通路而移动晶圆手部16和17。此外，控制部按照接收本发明的静电电容传感器1的信号和从其他检测单元而输出的信号，能够根据预先存储的程序而进行晶圆手部16、17的位置和晶圆运送通路的修正的方式构成。

晶圆手部16、17分别具有作为晶圆保持机构的指状件18、18’。在配置于上方的指状件18的表面上配置有检测部1a，该检测部1a与配置于指状件18的内部的放大器模块1b连接。另外，在配置于下方的指状件18’的表面上配置有检测部1a’，该检测部1a’与配置于指状件18’的内部的放大器模块1b’连接。图5是表示本实施方式的指状件18的图。本实施方式的指状件18通过将形成为大致y字型的两片板状部件18a、18b气密地贴合而构成。2块板状部件18a、18b由轻量且刚性高的氧化铝等的烧结材料形成，在上侧的板状部件18a的上表面上载置半导体晶圆w。在下侧的板状部件18b的上表面上，流路19形成为大致y字型。另外，在上侧的板状部件18a的与流路19相对应的前端部，形成有在上下方向上贯通上侧的板状部件18a的孔21。另外，在下侧的板状部件18b的基端部，且与该流路19相对应的位置，形成有沿上下方向贯通下侧的板状部件18b的孔22。形成在该下侧的板状构件18b上的孔22通过晶圆运送机械手2所具有的在图中未示出的配管而与在图中未示出的真空源连通，通过将上下的板状构件18a、18b气密地接合，流路19形成真空通路，载置在指状件18上的半导体晶圆w利用真空吸附力而保持在指状件18上。

另外，在上侧的板状构件18a的上表面且在孔21的周围，以包围孔21的方式形成有长圆形的吸附间隔件18c。吸附间隔件18c呈从指状件18的表面而隆起约1.5mm的堤坝状，具有作为用于吸附半导体晶圆w的吸附间隔件的作用。另外，在指状件18的中央部处形成有支承间隔件18d。支承间隔件18d与吸附间隔件18c同样地呈隆起约1.5mm的台状。由此，半导体晶圆w在从指状件18上的指状件基准面18e浮起1.5mm的状态下通过吸附间隔件18c和支承间隔件18d而吸附支承。

并且，在大致y字状的指状件18的基准面18e上粘贴有作为本发明的1实施方式的静电电容传感器1的检测部1a。本实施方式的静电电容传感器1能够对配置于指状件18的检测部1a与半导体晶圆w之间的静电电容进行检测，从而测定半导体晶圆w与指状件18(晶圆手部16、17)之间的距离。而且，也能够监视在晶圆手部16、17上是否载置有半导体晶圆w。通过检测部1a检测到的值发送到设置在晶圆手部16、17内部的放大器模块1b。放大器模块1b测量检测部1a与半导体晶圆w之间的静电容量，将该测量出的值发送至控制晶圆运送机械手2的动作的在图中没有示出的控制部。控制部将该发送的值换算成半导体晶圆w与指状件18的距离，反映到晶圆运送机械手2的动作中。

本实施方式的静电电容传感器1的检测部1a设置在指状件18的载置半导体晶圆w的面上，厚度尺寸为0.2mm左右，在聚酰亚胺等的具有绝缘性的柔软原材料的基膜上，由以铜箔为代表的导电性金属形成有电极、配线。图6是表示本实施方式的检测部1a的图。本实施方式的检测部1a具有层叠了保护电极层24、26、传感器电极层25和屏蔽接地层27的结构，在作为电极层的最上面的第1层，配置有形成了第1保护电极24a的第1保护电极层24，在第2层，配置有形成了传感器电极25a的传感器电极层25，在第3层，配置有形成了第2保护电极26a的第2保护电极层26，在第4层，配置有屏蔽接地层27。另外，在第1保护电极层24的上表面，配置有用于保护第1保护电极层24的保护膜23。本实施方式的检测部1a的高度尺寸约为1mm，粘贴在指状件18的基准面18e上使用。由于吸附间隔件18c和支承间隔件18d形成为大约1.5mm的高度尺寸，因此指状件18的吸附间隔件18c和支承间隔件18d所保持的半导体晶圆w不会发生妨碍。另外，本实施方式的晶圆运送机械手2所具有的指状件18是利用真空压力而吸附保持半导体晶圆w的形态，但本发明并不限定于此，例如，也可以应用把持半导体晶圆w的周围的夹持式指状件、伯努利卡盘式的指状件。

传感器电极25a是用于检测与半导体晶圆w之间产生的静电电容的圆形电极，形成在基膜的上表面上。形成于第1保护电极层24的第1保护电极24a，在基膜的上表面具有比传感器电极25a的外径大的内径，以包围传感器电极25a的周围的方式形成为圆环状。另外，传感器电极25a和第1保护电极24a通过基膜而电绝缘。形成在第2保护电极层26上的第2保护电极26a呈具有与形成在第1保护电极层24上的第1保护电极24a的外径大致相同的直径的圆形。另外，形成第2保护电极26a的第2保护电极层26的下方，形成作为第4层的屏蔽接地层27。另外，本实施方式的第2保护电极26a具有与第1保护电极24a的外径大致相同的直径，但本发明不限于此，第2保护电极26a的直径也可以比第1保护电极24a的外径大的方式形成。

屏蔽接地层27是将铜箔等的导电性金属形成为与第1和第2保护电极层24、26大致相同直径的圆形的电极，经由在图中没有示出的接地线而与晶圆运送装置3的接地端子连接。该屏蔽接地层27防止从保护电极24a、26a放射的电场的影响朝向下方，由此，静电电容传感器1不会受到比检测部1a更靠下方存在的被检测体的影响，能够仅测定位于指状件18的上方的被检测体和检测部1a之间产生的静电电容。

在形成于作为第2层的传感器电极层25的传感器电极25a上，形成有用于将传感器电极25a与放大器模块1b的运算放大器28的反相输入端子电连接的直线状的电路图案25b。在形成于作为第1层的第1保护电极层24上的第1保护电极24a上，以与连接于传感器电极25a的电路图案25b平行的方式形成有直线状的电路图案24b，该直线状的电路图案24b用于将第1保护电极24a和放大器模块1b的运算放大器28的非反相输入端子电连接。在作为第3层的第2保护电极层26上形成的第2保护电极26a上，以与连接于传感器电极25a的电路图案25b平行的方式形成有直线状的电路图案26b，该直线状的电路图案26b用于电连接第2保护电极26a和放大器模块1b的运算放大器28的非反相输入端子。另外，与各保护电极24a、26a连接的电路图案24b、26b的宽度尺寸以比与传感器电极25a连接的电路图案25b粗的方式形成。按照上述结构，与传感器电极25a连接的电路图案25b以下述的方式设置，该方式为：与保护电极24a、26a连接的电路图案24b、26b从上下方向而夹持，从而降低噪声对与传感器电极25a连接的电路图案25b的影响。

另外，在第1层的上表面上，配置有由与基膜相同的材质形成的绝缘层即保护膜23。该保护膜23具有与第1层24～第4层27相同的外形尺寸。本实施方式的形成于检测部1a的传感器电极呈具有约15mm的直径的圆形，第1保护电极24a呈内径约16mm、外径19mm的大致圆环状，第2保护电极26a呈具有20mm的直径的圆形。检测部1a的外形尺寸并不限定于本实施方式，能够根据状况而适当变更。另外，在本实施方式的检测部1a中，采用将各电极24a、25a、26a分别形成在单独的基膜上的方式，但本发明的静电电容传感器1不限于此。例如，也可以是在作为第1层的第1保护电极层24的基膜的上表面上形成第1保护电极24a和电路图案24b，在基膜的相反的面上形成传感器电极25a和电路图案25b的方式。另外，也可以采用在传感器电极层25的基膜的上表面上形成传感器25a和电路图案25b，在基膜的相反的面上形成第2保护电极26a和电路图案26b的方式。另外，在基膜的两面上形成电极和电路图案的方式的情况下，为了防止与相邻层的电接触，需要在其间夹入绝缘性的保护膜。

接着，对放大器模块1b进行说明。图7是表示本实施方式的静电电容传感器1的方框图。检测部1a的传感器电极25a与放大器模块1b所具有的运算放大器28的反相输入端子连接，检测部1a的保护电极24a、26a与运算放大器28的非反相输入端子连接。另外，在运算放大器28的非反相输入端子上施加有来自交流供给源29的交流电压。另外，本实施方式的放大器模块1b所具有的交流供给源29按照下述的方式构成，该方式为：以200khz的频率输出用于传递检测部1a所检测的静电电容的载波的2v的电压。此外，交流供给源29也对放大器模块1b所具有的第二bpf(带通滤波器)31施加同样的交流电压。进而，运算放大器28的输出端子与放大器模块1b所具有的第一bpf30连接。另外，关于bpf30、31，将在后面描述。另外，在运算放大器28的输出端子与反相输入端子之间连接有反馈电路，在该反馈电路上连接有基准电容器32。并且，在运算放大器28的反相输入端子上具有用于消除在检测部1a的电极及放大器模块1b的电路中产生的寄生电容的寄生电容补偿电路33。通过该寄生电容补偿电路，抵消电容传感器1内部产生的寄生电容。此外，在上述的放大器模块1b所具有的电路中，运算放大器28的反相输入端子和同相输入端子处于虚短路的状态，反相输入端子和同相输入端子成为相互大致相同的电位。由此，传感器电极25a通过保护电极24a、26a而覆盖。

运算放大器28的输出端子经由仅使规定的频带的信号通过的第一bpf30与放大器模块1b所具有的差动放大器34的反相输入端子连接。此外，差动放大器34的非反相输入端子还经由第二bpf31与交流供给源29连接。分别通过第一bpf30、第二bpf31，将运算放大器28的输出端子和非反相输入端子与差动放大器34连接，由此能够除去传感器检测部1a检测出的从半导体晶圆w产生的噪声成分。在此，在信号放大电路中，一般是在通过差动放大器34对来自检测单元的信号进行放大之后除去噪声成分的方法，但是，如果是该方法，则噪声也与信号的放大一起地放大，在噪声电压较大的情况下，差动放大器34饱和，信号丢失。因此，在本实施方式的放大器模块1b中，形成下述的结构，在该结构中，先由第一bpf30除去存在于比较窄的频带的噪声成分，之后通过差动放大器34放大信号。另外，本实施方式的放大器模块1b所具有的差动放大器34的增益设定为100倍。由此，能够防止差动放大器34的饱和，正常地处理信号。

此外，在本实施方式的放大器模块1b中，具有与运算放大器28的输出端子连接的一个bpf30和与交流供给源29的输出端子连接的另一个bpf31这两个。这是因为，在提取从运算放大器28的输出端子输出的信号与从交流供给源29输出的交流载波的差分时，从运算放大器28的输出端子输出的信号相对于从交流供给源29输出的交流载波延迟后运送到差动放大器34，所以不能由差动放大器34进行正确的差分放大。因此，通过使从交流供给源29输出的载波也通过bpf31，使来自运算放大器28的输出信号和从交流供给源29输出的载波的时刻一致。由此，消除了从运算放大器28的输出端子输出的信号的延迟。此外，本实施方式的放大器模块1b所具有的bpf30、31以为了除去交流供给源29所输出的每200khz的频率以外的频率成分的方式设定。因此，可以有效地消除由设置在晶圆运送装置3中的除电装置13中产生的低频噪声和由晶圆运送机械手2的驱动源而产生的噪声。

差动放大器34的反相输入端子经由bpf30与运算放大器28的输出端子连接，此外，差动放大器34的非反相输入端子经由bpf31与运算放大器28的非反相输入端子和交流供给源29的输出端子连接。对来自与差动放大器34的非反相输入端子连接的交流供给源29的交流载波和从运算放大器28的输出端子经由bpf31而输出到差动放大器34的反相输入端子的包含静电电容成分的信号成分进行放大，并输出到相位检波机构35。

本实施方式的放大器模块1b所具有的相位检波机构35将从交流供给源29而输出的2v、200khz的载波作为参照信号，从由差动放大器34而放大的信号中提取检测部1a所检测出的静电电容。然后，在此提取的信号通过lpf(low-passfilter，低通滤波器)36而去除噪声后，输出到输出端子37。输出端子37与未图示的控制部连接，控制部根据所提取的静电电容计算指状件18与半导体晶圆w之间的距离。静电电容与检测部1a和作为被检测体的半导体晶圆w的间隔距离成反比例的关系，检测部1a的面积是已知的，由此，通过检测在检测部1a和半导体晶圆w之间产生的静电电容，能够容易地测定检测部1a和半导体晶圆w的间隔距离。另外，通过检测在检测部1a与半导体晶圆w之间产生的静电电容的变化，能够测定检测部1a与半导体晶圆w的位移。

如上述的那样，本发明的静电电容传感器由具有200khz左右的较高频率的电源驱动，因此，具有能够有效地去除从除电装置13、晶圆运送机械手2所具有的驱动源而发出的较低频率成分的噪声的结构，由此，能够正确地检测在检测部1a与被检测体之间产生的静电电容。此外，在放大器模块1b中，在由运算放大器28放大的检测信号被差动放大器34放大处理之前，由bpf30对噪声等频率成分进行衰减处理，所以即使在进入了较大的噪声的情况下也能够不使差动放大器饱和。

此外，由于差分放大器34和交流电源29通过与设置在运算放大器28和差分放大器34之间的bpf30相同的bpf31连接，因此从运算放大器28输入到差分放大器34的信号的相位与从交流电源29输入的载波的相位一致。由此，差动放大器34能够进行正确的差动放大处理，能够进行噪声成分的有效的衰减。

如上所述，本发明的静电电容传感器1具有能够进行噪声耐性高的信号提取处理的放大器模块1b，所以即使检测部1a具有比较低的检测精度，也能够正确地测量与被检测体之间的静电电容。在本发明的静电电容传感器1中，即使是厚度尺寸约为1mm的薄型检测部1a，也能够正确地测定静电电容，因此即使将检测部1a粘贴在晶圆运送机械手2所具有的指状件18的表面来使用，也不会与保持在指状件18上的半导体晶圆w造成妨碍。

标号的说明：

标号1表示静电电容传感器；

标号1a、1a’表示检测部；

标号1b、1b’表示放大器模块；

标号2表示晶圆运送机械手；

标号2a表示基台；

标号2b表示升降旋转部；

标号3表示晶圆运送装置；

标号4表示晶圆运送处理装置；

标号5表示装载口；

标号6表示x轴工作台；

标号6a表示移动部；

标号7表示foup(front-openingunifiedpod，前开式晶圆盒)；

标号8表示支架；

标号9表示外罩；

标号11表示内部空间；

标号12表示ffu；

标号12a表示风扇；

标号12b表示过滤器；

标号13表示除电装置；

标号14、15表示臂体；

标号14a、15a表示第1臂；

标号14b、15b表示第2臂；

标号16、17表示晶圆手部；

标号18、18’表示指状件；

标号18a表示上侧的板状部件；

标号18b表示下侧的板状部件；

标号18c表示吸附间隔件；

标号18d表示支承间隔件；

标号18e表示基准面；

标号18a、18b表示板状部件；

标号19表示流路；

标号21、22表示孔；

标号23表示保护膜；

标号24表示第1保护电极层；

标号24a表示第1保护电极；

标号24b、25b、26b表示电路图案；

标号25表示传感器电极层；

标号25a表示传感器电极；

标号26表示第2保护电极层；

标号26a表示第2保护电极；

标号27表示屏蔽接地层；

标号28表示运算放大器；

标号29表示交流供给源；

标号30表示第一bpf；

标号31表示第二bpf；

标号32表示电容器；

标号33表示寄生电容补偿电路；

标号34表示差动放大器；

标号35表示相位检波机构；

标号36表示lpf(低通滤波器)；

标号37表示输出端子；

符号w表示晶圆。