1.本发明涉及硅转移测试方法技术领域，尤其涉及一种硅胶保护膜的硅转移测试方法。
背景技术：
2.硅胶压敏胶通常由硅橡胶、有机硅树脂、交联剂等成分组成。与其他三种传统压敏胶相比，硅压敏胶具有优异的耐化学性、耐水性、耐油性、耐溶剂性、耐高温性、耐低温性、耐热性、抗氧化性、降解性等性能，可与未表面处理的聚烯烃(bopp、pet、pe等)、氟塑料、聚酰亚胺等多种非粘结材料粘接。
3.硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，由基材层、硅胶压敏层和保护层组成。硅胶保护膜在后续转移工艺过程中容易在在离型层界面存在残留物，且残留的含硅材料易造成硅污染，所以衍生了各种检测硅转移的测试方法。
4.现如今测试硅转移的方法存在测试数据准确率低、重复性差的缺点，严重影响测试效果。
技术实现要素：
5.基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，该方法简单、可同时进行多组重复性测试，测试准确度高。
6.本发明提出的一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
7.s1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为g1、g2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成；
8.s2、取塑料薄膜，裁取三块面积形状相等的试样，标记为p1、p2、p3；
9.s3、揭去硅胶保护膜g1、g2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于p1和p2上，施加作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为gp1、gp2；其中，gp1的静置时间记为t1，gp2中的静置时间记为t2，t1≠t2；
10.s4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
11.s5、将p1从静置后的gp1上揭下，揭下来的p1标记为p1'，将a胶带贴附于p1'揭除面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为t3，从胶带a一端施加作用力使胶带与p1'分离，施加的作用力记作f1；按照同样的方法将p2从静置后的gp2上揭下，揭下来的p2标记为p2'，将b胶带贴附于p2'揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为t4，从胶带b一端施加作用力使胶带与p2'分离，施加的作用力记作f2；
12.s6、将胶带c贴附于p3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为t5，从胶带c一端施加作用力使胶带与p3分离，施加的作用力记作f3；其中，t3＝t4＝t5；
13.s7、设置范围并计算转移率p，其中静置时间t1的硅转移率p1＝(1-f1/f3)
×
100％，静置时间t2的硅转移率p2＝(1-f2/f3)
×
100％，硅胶保护膜的硅转移率p＝(p1+p2)/2；
14.上述步骤s3、s5、s6中，紧密贴合施加的作用力相同。
15.优选地，s7中，当p≤10％时，视为低硅转移；p》10％时，视为高硅转移。
16.优选地，s1中，基材层的材质为包括bopp、bopet、bopa、pet、pe、pc、tac、pp、ps、pmma、tpu、pi、pvb、pvc中的一种。
17.优选地，s1中，保护层的材质为包括bopp、bopet、bopa、pet、pe、pc、tac、pp、ps、pmma、tpu、pi、pvb、pvc、非硅保护膜、氟素离型膜中的一种。
18.优选地，s1中，基材层的厚度为10～360μm，硅胶压敏层厚度为10～1000μm，保护层厚度为10～360μm。
19.优选地，s2中，塑料薄膜的材质为包括pe、pet、cpp、pvc、opp中的一种；优选地，pet薄膜的厚度为150～360μm。
20.优选地，s2中，静置时间t1为0.5～12h；优选地，静置时间t2为12～24h。
21.优选地，s5中，静置时间t3＝t4＝t5，为20～40min。
22.有益效果：本发明提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，方法简单、成本低，可以同时进行多组重复性测试，从而测试结果误差小，准确值能大幅度提高，适用性范围广，测试时间快。该测试方法安全、对人体无害、无危险性、无刺激性。
具体实施方式
23.下面，通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
24.实施例1
25.一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
26.s1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为g1、g2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为50μm、200μm、50μm，基材层和保护层的材质都为pet；
27.s2、取pet塑料薄膜，厚度为150μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为p1、p2、p3；
28.s3、揭去硅胶保护膜g1、g2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于p1和p2上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为gp1、gp2；其中，gp1的静置时间t1＝0.5h，gp2中的静置时间记为t2＝24h；
29.s4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
30.s5、将p1从静置后的gp1上揭下，揭下来的p1标记为p1'，将a胶带贴附于p1'揭除面上，施加4kg作用力其紧密贴合，静置，静置时间t3＝20min，从胶带a一端施加作用力使胶带与p1'分离，施加的作用力记作f1；按照同样的方法将p2从静置后的gp2上揭下，揭下来的p2标记为p2'，将b胶带贴附于p2'揭去面上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t4＝20min，从胶带b一端施加作用力使胶带与p2'分离，施加的作用力记作f2；
31.s6、将胶带c贴附于p3上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t5＝20min，从胶带c一端施加作用力使胶带与p3分离，施加的作用力记作f3；
32.s7、设置范围并计算转移率p，其中静置时间t1的硅转移率p1＝(1-f1/f3)
×
100％＝(1-883.835/889.01)
×
100％＝0.58％，静置时间t2的硅转移率p2＝(1-f2/f3)
×
100％＝(1-830.535/889.01)
×
100％＝6.58％，硅胶保护膜的硅转移率p＝(p1+p2)/2＝3.58％；
33.p《10％，视为低硅转移。
34.实施例2
35.一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
36.s1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为g1、g2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为10μm、50μm、10μm；
37.s2、取pet塑料薄膜，厚度为200μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为p1、p2、p3；
38.s3、揭去硅胶保护膜g1、g2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于p1和p2上，施加作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为gp1、gp2；其中，gp1的静置时间t1＝0.5h，gp2中的静置时间记为t2＝12h；
39.s4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
40.s5、将p1从静置后的gp1上揭下，揭下来的p1标记为p1'，将a胶带贴附于p1'揭除面上，施加作用力其紧密贴合，静置，静置时间t3＝30min，从胶带a一端施加作用力使胶带与p1'分离，施加的作用力记作f1；按照同样的方法将p2从静置后的gp2上揭下，揭下来的p2标记为p2'，将b胶带贴附于p2'揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t4＝30min，从胶带b一端施加作用力使胶带与p2'分离，施加的作用力记作f2；
41.s6、将胶带c贴附于p3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t5＝30min，从胶带c一端施加作用力使胶带与p3分离，施加的作用力记作f3；
42.s7、设置范围并计算转移率p，其中静置时间t1的硅转移率p1＝(1-f1/f3)
×
100％，静置时间t2的硅转移率p2＝(1-f2/f3)
×
100％，硅胶保护膜的硅转移率p＝(p1+p2)/2；
43.上述步骤s3、s5、s6中，紧密贴合施加的作用力相同。
44.当p≤10％时，视为低硅转移；p》10％时，视为高硅转移。
45.实施例3
46.一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
47.s1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为g1、g2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为300μm、1000μm、350μm；
48.s2、取pet塑料薄膜，厚度为350μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为p1、p2、p3；
49.s3、揭去硅胶保护膜g1、g2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于p1和p2上，施加作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为gp1、gp2；其中，gp1的静置时间t1＝1h，gp2中的静置时间记为t2＝18h；
50.s4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
51.s5、将p1从静置后的gp1上揭下，揭下来的p1标记为p1'，将a胶带贴附于p1'揭除面上，施加作用力其紧密贴合，静置，静置时间t3＝40min，从胶带a一端施加作用力使胶带与p1'分离，施加的作用力记作f1；按照同样的方法将p2从静置后的gp2上揭下，揭下来的p2标记为p2'，将b胶带贴附于p2'揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t4＝
40min，从胶带b一端施加作用力使胶带与p2'分离，施加的作用力记作f2；
52.s6、将胶带c贴附于p3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间t5＝40min，从胶带c一端施加作用力使胶带与p3分离，施加的作用力记作f3；
53.s7、设置范围并计算转移率p，其中静置时间t1的硅转移率p1＝(1-f1/f3)
×
100％，静置时间t2的硅转移率p2＝(1-f2/f3)
×
100％，硅胶保护膜的硅转移率p＝(p1+p2)/2；
54.上述步骤s3、s5、s6中，紧密贴合施加的作用力相同。
55.当p≤10％时，视为低硅转移；p》10％时，视为高硅转移。
56.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。