技术特征：
1.类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，包括在光路方向上依次设置的cmos或ccd相机、远心成像镜头、半透半反射平行平板合像器以及玻璃载物转盘、置于玻璃载物转盘上的半导体晶粒，在半导体晶粒与半透半反射平行平板合像器之间的光路上分别依次设有天面直角转像棱镜、平行平板补偿器和侧面直角转向棱镜，侧面直角转像棱镜和天面直角转像棱镜分别位于半导体晶粒的正侧部和天面正上方，所述天面直角转向棱镜与平行平板补偿器、半透半反射平行平板合像器位于同一水平高度，侧面直角转像棱镜与半透半反射平行平板合像器位于远心成像镜头的光轴上，同时侧面直角转像棱镜的第一直角面与半透半反射平行平板合像器的第一面相对，侧面直角转像棱镜的第二直角面与半导体晶粒侧面相对，侧面直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴倾斜设置；天面直角转像棱镜的两个直角面分别与半导体晶粒的天面和半透半反射平行平板合像器的第二面相对；半透半反射平行平板合像器背离第二面旁侧设有同轴外置照明光源；所述光源经半透半反射平行平板合像器分离为水平第一光路及纵向的第二光路，第一光路经第一直角转像棱镜后照明位于玻璃载物转盘半导体晶粒的天面；第二光路经第二直角转像棱镜后照明待测半导体晶粒的侧面；半导体晶粒天面的成像光束经第一直角转像棱镜入射到平行平板补偿器上，再经过平行平板补偿器平行出射的产生了一个s的位移，然后经半透半反射平行平板合像器反射抵达参考输出面上；半导体晶粒侧面的成像光束经第二直角转像棱镜反射转向，再经半透半反射平行平板合像器透射抵达参考输出面上；相机获得双面各自独立的像。2.根据权利要求1所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，所述天面直角转向棱镜与侧面直角转向棱镜的棱镜直角边长d相同，半导体晶粒位于玻璃载物转盘中心，半透半反射平行平板合像器中心、天面直角转向棱镜与侧面直角转向棱镜的反射面中心及半导体晶粒中心相连形成一个边长为d/2+d的方形对称光路结构，d为玻璃载物转盘宽度。3.根据权利要求2所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，半透半反射平行平板合像器中心与侧面直角转向棱镜斜面中心距离d/2+d，半导体晶粒侧面的成像光路工作距wd=d/2+d/2, 半透半反射平行平板合像器与天面直角转向棱镜斜面在同一水平高度上，二者距离d/2+d，半导体晶粒天面成像光路工作距离wd=d/2+d/2。4.根据权利要求3所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，天面直角转像棱镜的尺寸为15*15*15mm，侧面直角转像棱镜的尺寸15*15*15mm。5.根据权利要求4所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，平行平板补偿器产生的双像分离s= 1.5mm，焦距f=51.5mm，wd=110 mm。6.根据权利要求4所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，其特征在于，平行平板补偿器厚度为6.5mm，其法线与光轴夹角为12
°
，平行平板补偿器的材料为k9玻璃。7.根据权利要求3所述的类迈克尔逊干涉仪结构的晶粒相邻面等光程成像检测装置，
其特征在于，所述同轴外置照明光源是单色光，或是具有一定光谱带宽的准单色光源或白光。