技术特征：
1.一种电磁辐射检测器，包括：玻璃入口窗口(310)，所述玻璃入口窗口具有用于接收入射光子通量的上游面(311)和与所述上游面相对的下游面(312)；半导体层(320)形式的光电阴极，所述光电阴极用于从所述入射光子产生光电子并发射由此产生的所述光电子；电子倍增器装置(330)，所述电子倍增器装置配置为接收由所述光电阴极发射的所述光电子并针对每个接收的光电子生成多个二次电子；以及输出装置(340)，所述输出装置配置为从所述二次电子中产生输出信号，其特征在于，在所述入口窗口的下游面(312)上沉积透明导电层(316)，并且在所述导电层(316)和所述半导体层(320)之间设置薄绝缘层(317)，所述导电层与第一电极(315)电连接，所述半导体层与第二电极(325)电连接，所述第一电极被设置为比施加在所述第二电极上的电势低的电势。2.根据权利要求1所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述半导体层由多晶半导体材料制成。3.根据权利要求2所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述多晶半导体材料选自sbk2cs、sbrb2cs、sbrb2cs、sbcs3、sbna3、sbnakrbcs、sbnakcs、sbna2kcs。4.根据权利要求1所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述半导体层由iii-iv或ii-vi族单晶半导体材料制成。5.根据前述权利要求中任一项所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述透明导电层由ito或zno制成。6.根据前述权利要求中任一项所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述薄绝缘层由击穿电压高于1v/10nm的介电材料制成。7.根据权利要求6所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述薄绝缘层的厚度为100nm至200nm。8.根据前述权利要求中任一项所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述介电材料选自al2o3、sio2、hfo3。9.根据前述权利要求中任一项所述的电磁辐射检测器，其特征在于，在所述第二电极和所述第一电极之间施加的电势差被选择为高于或等于其中ε
s
和ε
d
分别是所述半导体层和所述绝缘层的介电常数，δ是所述绝缘层的厚度，δu
bb
是在不施加任何电势差时能带弯曲的幅度，n
a
是所述半导体层中受主的浓度，以及e是所述电子的电荷。
技术总结
本发明涉及一种电磁辐射检测器，包括用于接收入射光子流的入口窗口(310)和半导体层形式的光电阴极(320)。在入口窗口的下游面(312)上沉积导电层(316)，并且在导电层(316)和半导体层(320)之间设置薄介电层(317)。导电层的电势低于半导体层的电势，以将光电子驱逐出复合区域，从而提高光电阴极的量子产率。从而提高光电阴极的量子产率。从而提高光电阴极的量子产率。
技术研发人员：P
受保护的技术使用者：法国甫托尼公司
技术研发日：2020.05.22
技术公布日：2022/1/28