位置调整量监测装置的制作方法

1.本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种位置调整量监测装置。


背景技术：

2.随着电子产品需求量的增加，带动半导体设备迅速发展，加热盘是广泛应用于半导体设备中硅片沉积反应腔中的关键部件。硅片沉积所需的环境要求非常高，包括放置硅片的加热盘的姿态。加热盘的不同位置直接影响硅片成膜的质量，因此在安装加热盘时需要根据不同的工艺效果需要，对其进行水平位置调整。
3.目前加热盘表面的水平调整主要通过对加热盘的表面进行测量，此种测量方法无法在工艺进行的同时监测加热盘的位置。为获得预期的工艺效果，需要不断重复以下步骤：检测工艺效果、暂停工艺、放置测量工具、测量加热盘位置、调整加热盘位置、继续工艺。此种方法操作复杂，需要消耗大量的时间，难以方便地建立起的工艺效果与位置调整量的关系。
4.因此，有必要开发一种新型位置调整量监测装置，以避免现有技术存在的上述问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种位置调整量监测装置，能够在工艺进行的同时监测加热盘的位置，简化将工艺效果与位置调整量关联起来的步骤，减小调整设备的时间成本，以提高整体的工艺效率。
6.为实现上述目的，本发明提供的位置调整量监测装置，包括：检测器板，所述检测器板上设置有孔洞，所述孔洞用于容纳加热盘与加热盘安装座之间的连接杆；位移检测器，所述位移检测器以所述孔洞的中心为中心沿圆周方向间隔排列，其检测头抵接于所述加热盘安装座的表面；与所述检测器板固定连接的连接件，用于所述检测器板安装于所述半导体设备。
7.本发明提供的位置调整量监测装置的有益效果在于：使用所述连接件使设置有所述位移检测器的所述检测器板安装于半导体设备的工艺腔体外部，并通过所述孔洞容纳使所述加热盘与所述加热盘安装座相互固定的所述连接杆，以将所述位移检测器的检测头抵接所述加热盘安装座的表面，实现对是加热盘安装座进行位置调整量的监测，进而完成对所述加热盘位置调整量的监测，有利于在工艺进行的同时监测所述加热盘的位置，简化将工艺效果与位置调整量关联起来的步骤，减小调整设备的时间成本，以提高整体的工艺效率。
8.可选的，所述检测器板侧壁包括一连通所述孔洞的开口。其有益效果在于：有利于加热盘与加热盘安装座之间的连接杆通过，便于位置调整量监测装置的安装。
9.可选的，所述检测器板形状为圆弧形。其有益效果在于：有利于减小半导体设备内的空间占用。
10.可选的，所述圆弧形以所述孔洞的中心为中心，圆弧两端至中心的半径之间角度为240
°
～360
°
。
11.可选的，三个所述位移检测器以所述孔洞的中心为中心在圆周方向上均匀分布。
12.可选的，所述连接件包括平行板和立板，所述平行板以平行于所述检测器板的方式设置，所述立板连接所述平行板和所述检测器板。
13.可选的，所述平行板形状为圆弧形。
14.可选的，所述立板以垂直于所述平行板和所述检测器板的方式设置。
15.可选的，所述平行板、所述立板和所述检测器板之间螺纹连接。
16.可选的，所述立板上设置有若干开口。其有益效果在于：有利于减小装置重量，便于拆装时的握持。
17.可选的，所述平行板上开设有若干腰形孔。其有益效果在于：有利于调节安装位置，并降低装配时的精度要求。
18.可选的，所述位移检测器包括千分头或位移传感器中的一种或多种。
19.可选的，所述检测器板上设置有螺纹孔，所述位移检测器与所述检测器板之间螺纹连接。其有益效果在于：有利于位移检测器简单、稳定地连接，并且有利于调整位移检测器在螺纹轴向方向上的位置。
附图说明
20.图1为本发明位置调整量监测装置实施例的结构示意图；
21.图2为图1所示的位置调整量监测装置与半导体设备各零部件的结构示意图；
22.图3为图1所示的位置调整量监测装置与半导体设备的装配结构示意图；
23.图4为图1所示的检测器板的结构示意图；
24.图5为图1所示的平行板的结构示意图；
25.图6为图1所示的立板的剖面结构示意图。
具体实施方式
26.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
27.为解决现有技术存在的问题，本发明实施例提供了一种位置调整量监测装置。
28.图1为本发明位置调整量监测装置实施例的结构示意图；图2为图1所示的位置调整量监测装置与半导体设备各零部件的爆炸图；图3为图1所示的位置调整量监测装置与半导体设备的装配结构示意图。
29.本发明一些实施例中，参照图1、图2和图3，所述位置调整量监测装置包括：检测器板1，所述检测器板1上设置有孔洞2，所述孔洞2用于容纳加热盘3与加热盘安装座4之间的
连接杆5；位移检测器6，所述位移检测器6以所述孔洞2的中心为中心沿圆周方向间隔排列，其检测头抵接于所述加热盘安装座4的表面；与所述检测器板1固定连接的连接件7，用于所述检测器板1安装于所述半导体设备。
30.具体的，参照图1，所述检测器板1中心区域包括镂空的孔洞2。
31.具体的，参照图1，三个所述位移检测器6以检测方向垂直于所述检测器板1的方式设置于所述检测器板1。
32.具体的，参照图1，三个所述位移检测器6至所述孔洞2的中心的距离相等。
33.具体的，参照图1，所述连接件7包括平行板701和立板702，所述平行板701以平行于所述检测器板1的方式设置，所述立板702垂直于所述平行板701和所述检测器板1，并通过螺纹连接所述平行板701和所述检测器板1。
34.具体的，参照图1、图2和图3，半导体设备中，所述加热盘3位于工艺腔体8内部，连接杆5穿过所述工艺腔体8将所述加热盘3安装于加热盘安装座4上；所述连接件7将所述检测器板1固定于所述工艺腔体8的下方与所述加热盘3位置相对应的位置，使连接杆5穿过所述检测器板1的孔洞2。
35.具体的，参照图2和图3，半导体设备中，固定座9为固定件，其位置相对于半导体设备不变，所述固定座9与所述加热盘安装座4之间通过调整螺栓10相连接，并通过所述调整螺栓10和锁紧螺母11调节所述加热盘安装座4与所述固定座9之间的相对位置，进而调节加热盘3的位置。
36.具体的，参照图1、图2和图3，所述位移检测器6的检测头抵接于所述加热盘安装座4的上表面，当通过所述调整螺栓10和锁紧螺母11调节所述加热盘安装座4的位置时，所述位移检测器6能够检测所述加热盘安装座4上表面三个点的位置变化，进而确定所述加热盘3的表面的位置调整量。
37.具体的，参照图2和图3，波纹管12连接所述工艺腔体8和所述加热盘安装座4，并包覆所述连接杆5位于所述工艺腔体8与所述加热盘安装座4之间的部分。
38.本发明一些实施例中，所述检测器板1侧壁包括一连通所述孔洞的开口。
39.具体的，所述检测器板1的形状可以为带有一侧开口的中空方形、为带有一侧开口的中空三角形或带有一侧开口的环形。
40.图4为图1所示的检测器板的结构示意图。
41.本发明一些具体实施例中，参照图4，所述检测器板1形状为圆弧形，圆弧形有利于减小装置的空间占用。
42.本发明一些实施例中，所述圆弧形以所述孔洞的中心为中心，圆弧两端至中心的半径之间角度为240
°
～360
°
，便于所述位移检测器6的安装。
43.在本发明一些具体实施例中，所述圆弧两端至中心的半径之间角度为250
°
、270
°
、290
°
、310
°
、330
°
或350
°
。
44.本发明一些实施例中，三个所述位移检测器6以所述孔洞的中心为中心在圆周方向上均匀分布。
45.具体的，参照图1，三个所述位移检测器6至所述孔洞2的中心的连线之间夹角均为120
°
。
46.图5为图1所示的平行板的结构示意图；图6为图1所示的立板的剖面结构示意图。
47.本发明一些实施例中，参照图1、图5和图6，所述连接件7包括平行板701和立板702，所述平行板701以平行于所述检测器板1的方式设置，所述立板702连接所述平行板701和所述检测器板1。
48.本发明一些实施例中，参照图5，所述平行板701形状为圆弧形。
49.本发明一些实施例中，参照图1，所述立板702以垂直于所述平行板701和所述检测器板1的方式设置，有利于减小装置的空间占用，便于安装。
50.本发明一些实施例中，参照图1、图4、图5和图6，所述平行板701、所述立板702和所述检测器板1之间螺纹连接。
51.本发明一些实施例中，参照图6，所述立板702上设置有若干开口13。
52.本发明一些实施例中，参照图5，所述平行板701上开设有若干腰形孔14。
53.本发明一些具体实施例中，所述位移检测器6为千分头或为位移传感器；位移传感器包括电位器式、差动电压式中任意一种或多种，但本发明不限于此。
54.本发明一些实施例中，参照图4，所述检测器板1上设置有螺纹孔，所述位移检测器6与所述检测器板1之间螺纹连接。
55.虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。