一种场效应管测试用适配器的制作方法

1.本实用新型涉及电性能测试技术领域，尤其涉及一种场效应管测试用适配器。


背景技术：

2.由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此，耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，而且，具有很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管实用范围广阔，可以用作可变电阻，也可以方便地用作恒流源，还可以用作电子开关，在电路设计上的灵活性大。另外，输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配；具有输入电阻高(107～1015ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象等优点。基于以上所述优点，目前的mos管封装也是多样化。
3.传统的测试方法主要通探针接触的方式实现，用两根表笔触点测试，如图1所示，由于器件本身很小管脚密集，接触容易短路，会对器件造成不必要的伤害，不适用于元器件可靠性筛选与测试的要求，测试效率低。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种设计合理，提高器件的测试效率和测试精度的场效应管测试用适配器。
5.为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.本实用新型是一种场效应管测试用适配器，其特点是，包括测试母板和测试子板；测试母板设有底板，底板上至少安装有三个继电器，底板上还设有插装场效应管的接针孔、与外置测试设备连接的接线孔和给继电器供电的电源接口，接针孔通过继电器与接线孔电连接；测试子板设有测试座，测试母板装在测试座上，测试座上固定安装有与测试母板上接针孔配合的探针，测试座上还安装有与探针连接用于改变器件管脚连接点的转接组件。
7.优选地，所述接针孔至少设有两组，每组两排，每组的两排接针孔间采用开尔文接法相接。
8.优选地，所述接针孔采用16点排针孔。
9.优选地，所述接线孔设有cs接线端口、cf接线端口、es接线端口、ef接线端口、bs接线端口、bf接线端口以及gnd接线端口。
10.优选地，所述测试座选用探针式开尔文底座。
11.优选地，所述转接组件由电路板和转接线组成，电路板上设有与转接线一端相接的转接点，转接线另一端与探针相连。
12.优选地，每根转接线上均套设有防震荡用磁环。
13.与现有技术相比，本实用新型所述测试适配器是基于siz918dt器件测试程序的开发，利用分立器件测试系统设计的，能够一次性快速实现器件的全部参数的测试需求，提高了测试精度，大大提高了产品批生产过程中的测试效率，测试精度高、对被测器件无损伤等优点；而且，该适配器结构简单，方便灵活，可以根据不同管脚分布及不同的内部结构需要
进行改造，实用性强；该适配器根据器件的管脚分布进行改造时，只需在子板上根据器件的管脚不同来重新接线，而无需改变母板，节约了成本；该适配器设计组成合理，易于采购和组装，便于推广使用。
附图说明
14.此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
15.图1为传统测试方法的测试示意图；
16.图2为本实用新型中测试母板的结构图；
17.图3为本实用新型中测试子板的结构图；
18.图4为本实用新型实施例中siz918dt器件的内部结构图；
19.图5为本实用新型实施例中siz918dt器件的siz918dt外形图；
20.图6为本实用新型实施例中继电器的结构图。
21.附图标记：
[0022]1‑
底板，2、3、4
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继电器，5
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接针孔，6
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接线孔，7
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电源接口，8
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测试座，9
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探针，10
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电路板，11
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转接线，12
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转接点，13
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磁环。
具体实施方式
[0023]
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0024]
参照图1
‑
3，本实用新型提供了一种场效应管测试用适配器，包括测试母板和测试子板；测试母板设有底板1，底板1上至少安装有三个继电器2、3、4，底板1上还设有插装场效应管的接针孔5、与外置测试设备连接的接线孔6和给继电器供电的电源接口7，接针孔5通过继电器2、3、4与接线孔5电连接，所述接针孔5至少设有两组，每组两排，每组的两排接针孔间采用开尔文接法相接，所述接针孔采用16点排针孔，所述接线孔6设有cs接线端口、cf接线端口、es接线端口、ef接线端口、bs接线端口、bf接线端口以及gnd接线端口；
[0025]
测试子板设有测试座8，测试母板装在测试座8上，所述测试座8选用探针式开尔文底座，测试座8上固定安装有与测试母板上接针孔5配合的探针9，测试座8上还安装有与探针9连接用于改变器件管脚连接点的转接组件，所述转接组件由电路板10和转接线11组成，电路板10上设有与转接线11一端相接的转接点12，转接线另一端与探针相连，每根转接线11上均套设有防震荡用磁环13，避免在测试时由于器件本身原因震荡，从而影响测试结果的准确性。
[0026]
实施例，参照图3
‑
6，以vishay生产厂家，封装为6
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5贴片式双mos，型号为siz918dt为例，测试步骤如下：
[0027]
第一继电器2控制g(栅极)，第二继电器3控制d(漏极)，第三继电器4控制s(源极)。
[0028]
当继电器的第1点、第16点不加电时第11点、第13点导通，第4点、第6点导通，测试第一组mos管。当给定5v电压时第9点与第13点吸合导通，第8点与第4点吸合导通，从而实现
测试第二组mos管。
[0029]
第一继电器的第13点接入bs端，第4点接入bf端，第6点接入第一组16点排针孔的第一排孔，第11点接到第2排孔，第8点接入第3排孔，第9点接入第4排孔。第二继电器第13点接入cf端，第4点接入cs端，第6点接入第一组16点排针孔的第10排孔，第11点接入第9排孔，第8点接入第11排孔，第9点接入第12排孔。第三继电器第13点接入es端，第4点接入ef端，第6点接入第二组16点排针孔的第10排孔，第11点接入第9排孔，第8点接入第12排孔，第9点接入第11排孔，最后，按照器件资料管脚定义，将mos管的不同管脚分别接到指定的16点排针上，再从接线孔处进行测试。
[0030]
综上所述，本实用新型在测试前，先根据器件的管脚分布进行改造，在子板上根据器件的管脚不同来重新接线；本实用新型所述适配器的结构简单，满足元器件可靠性筛选与测试的要求，不容易短路，测试可靠，能够实现6
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5贴片式双mos管系列较精确的测试，测试精度高，特别是可提高批量生产过程中器件的测试效率和测试精度。
[0031]
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。