测试电路和设备的制作方法

1.本实用新型涉及电力半导体测试技术领域，特别是涉及一种测试电路和设备。


背景技术：

2.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,简称为igbt)是由双极结型晶体管(bipolar junction transistor，简称为bjt)和金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称为mosfet)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有bjt的低导通压降和mosfet的高输入阻抗两方面的优点。igbt器件是能源变换和传输的核心器件，俗称电子电力装置的“cpu”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。在igbt生产过程中，需要对igbt器件进行ce击穿电压参数(简称为：bvces参数)测试，剔除测试不通过的igbt器件，以节约后续工序的生产成本。
3.当前，对igbt器件进行bvces参数测试的方案中，电流源需要给igbt器件提供测试电流，由于igbt器件具有高击穿电压的特性，igbt器件两端的电位差较大(例如：800v)，因此，连接电流源与igbt器件的集电极的屏蔽线上的电压也很大，当屏蔽线上的信号线对屏蔽层阻抗较低时，会导致电流源输出的测试电流有部分会通过屏蔽层漏掉，导致实际流过igbt器件的电流与测试电流不符，影响bvces参数的测试精度。
4.目前，针对相关技术中对igbt器件进行bvces参数测试精度低的问题，尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供的测试电路和设备，以至少解决相关技术中对igbt器件进行bvces参数测试精度低的问题。
6.第一方面，本技术实施例提供了一种测试电路，用于测试igbt器件中集电极与发射极之间的击穿电压，所述测试电路包括：电压源和第一测试子电路，其中，
7.所述电压源的正极与第一待测igbt器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；
8.所述第一待测igbt器件连接于所述第一测试子电路内，所述第一待测igbt器件的栅极与发射极短接；
9.所述第一测试子电路包括第一电流源，所述第一电流源的负极与所述第一待测igbt器件的发射极电信号连接，所述第一电流源的正极接地。
10.在其中一些实施例中，所述第一测试子电路还包括第一可变电阻，所述第一可变电阻与所述第一电流源串联。
11.在其中一些实施例中，将所述第一待测igbt器件的额定测试电压与额定测试电流的比值定义为第一额定电阻值，所述第一可变电阻的阻值和所述第一额定电阻值成正相关。
12.在其中一些实施例中，所述第一可变电阻的阻值为所述第一额定电阻值的1/10。
13.在其中一些实施例中，所述测试电路还包括第二测试子电路，所述第二测试子电路与所述第一测试子电路并联；
14.所述电压源的正极与第二待测igbt器件的集电极电信号连接，所述电压源的负极接地；
15.所述第二待测igbt器件连接于所述第二测试子电路内，所述第二待测igbt器件的栅极与发射极短接；
16.所述第二测试子电路包括第二电流源；所述第二电流源的负极与所述第二待测igbt器件的发射极电信号连接，所述第二电流源的正极接地。
17.在其中一些实施例中，所述第二测试子电路还包括第二可变电阻，所述第二可变电阻与所述第二电流源串联。
18.在其中一些实施例中，所述第二电流源为电压电流源，所述第二电流源通过所述电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流。
19.在其中一些实施例中，所述第一电流源满足以下条件：所述第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值，所述预设电压值小于或等于10v。
20.在其中一些实施例中，所述电压源为第一电压电流源，所述电压源通过所述第一电压电流源在电压源模式下工作以输出测试电压；所述第一电流源为第二电压电流源，所述第一电流源通过所述第二电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流；所述第一电压电流源输出的额定电压大于所述第二电压电流源输出的额定电压。
21.第二方面，本技术实施例提供了一种测试设备，包括上述任一项所述的测试电路。
22.相比于相关技术，本技术实施例提供的测试电路和测试设备，通过测试电路包括电压源和第一测试子电路，其中，电压源的正极与第一待测igbt器件的集电极电信号连接，电压源的负极接地；该第一待测igbt器件连接于第一测试子电路内，第一待测igbt器件的栅极与发射极短接；第一测试子电路包括第一电流源，第一电流源的负极与第一待测igbt器件的发射极电信号连接，第一电流源的正极接地；如此，第一电流源指示的输出电流能够保证实际流过igbt器件的电流在可接受的误差范围之内，从而解决了相关技术中实际流过igbt的电流与测试电流不符导致的对igbt器件进行bvces参数测试精度低的问题，通过在第一测试子电路中设置第一电流源，提高了bvces参数测试的精度。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术第一实施例提供的测试电路示意图；
25.图2为相关技术中提供的测试电路示意图；
26.图3为本技术第二实施例提供的测试电路示意图；
27.图4为本技术第三实施例提供的测试电路示意图；
28.图5为根据相关技术而提供的一种假设的测试电路示意图；
29.图6为本技术第四实施例提供的测试电路示意图；
30.图7为本技术第五实施例提供的测试电路示意图。
具体实施方式
31.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
32.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
33.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。
34.可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
35.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
36.图1为本技术第一实施例提供的测试电路示意图，参阅图1所示，本技术第一实施例提供的测试电路，用于测试igbt器件中集电极c与发射极e之间的击穿电压，即bvces参数，测试电路包括：电压源(参考图1中fhv)和第一测试子电路，其中，
37.电压源的正极与第一待测igbt器件(参考图1中dut1)的集电极c电信号连接，电压源fhv的负极接地。为了测试第一待测igbt器件dut1中集电极c与发射极e之间的击穿电压bvces参数，需要给集电极c施加测试电压，该测试电压由电压源提供，因此，电压源的正极需要和igbt器件的集电极电信号连接。为了保证电压源自身的安全性以及电压源输出电压的准确性，电压源的负极需要接地，保证电压源输出的电压全部施加在第一测试子电路内。
38.第一待测igbt器件连接于第一测试子电路内，第一待测igbt器件的栅极g与发射极e短接；第一测试子电路包括第一电流源(参考图1中fli1)，第一电流源连接在第一待测igbt器件的发射极e与接地端之间。具体的，第一电流源的一端与第一待测igbt器件的发射极e电信号连接，第一电流源的另一端接地。在实际应用中，第一电流源的负极与第一待测igbt器件的发射极e电信号连接，第一电流源的正极接地。第一电流源用于为第一待测igbt器件提供测试电流，第一待测igbt器件上实际流过的电流事实上与第一电流源输出的测试电流并不完全一致，但是考虑到两者的差值小于规定的最大误差值wmax，因此，可以使用第一电流源输出的测试电流来对第一待测igbt器件进行bvces参数测试。例如，第一待测igbt器件的bvces参数的标准测试电流ice1为250μa，此时可以将第一电流源输出的测试电流设置为250μa，虽然第一待测igbt器件上实际流过的电流与250μa并不相同，但是因为第一待测igbt器件上实际流过的电流与250μa的差值小于规定的最大误差值wmax，因此可以直接
将第一电流源输出的测试电流设置为250μa来进行测试。
39.在其中一些实施例中，第一电流源满足以下条件：第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，预设电压值umax根据第一电流源输出的测试电流与实际流过第一待测igbt器件的电流之间的误差确定。第一电流源是一个可以控制输出电流处于稳定状态的电流源，当第一电流源接入到第一测试子电路中，第一电流源在开启状态下两端会存在一定的电位差。在本实施例中，第一电流源不仅可以控制输出电流处于稳定状态，而且第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值也可设置为不超过预设电压值umax。这里，预设电压值umax例如小于或等于10v。
40.电压源的正极和第一待测igbt器件的集电极之间通过第一屏蔽线来进行电连接、第一待测igbt器件的发射极与第一电流源的负极之间通过第二屏蔽线来进行电连接的。第一屏蔽线和第二屏蔽线均可以使用屏蔽线材质，通常所使用的屏蔽线从里到外分别是信号线、绝缘层以及屏蔽层，该屏蔽层接地线。因为信号线与屏蔽层之间具有绝缘层，因此，信号线相对于接地的屏蔽线具有一定的阻抗。当电压源的正极和第一待测igbt器件的集电极之间有电流流过的时候，当第一待测igbt器件的发射极与第一电流源的负极之间有电流流过的时候，存在部分电流通过屏蔽线中的绝缘层、屏蔽层流入到地线中去。对于同一种屏蔽线，在屏蔽线的信号线相对于接地的屏蔽层的阻抗确定的情况下，屏蔽线上的电压越大，通过屏蔽线中的绝缘层、屏蔽层流入到地线中的电流就越大。
41.根据上述内容，将第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值设定为不超过预设电压值umax的目的在于：第一待测igbt器件的发射极与第一电流源的负极之间存在第二屏蔽线；当第一待测igbt器件的发射极与第一电流源的负极之间有电流流过的时候，因为对第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值进行了限制，也即是对第二屏蔽线上的电压进行了限制(因为第一电流源的正极接地，因此第一电流源在开启状态下两端的电位差即为第二屏蔽线上的电压)，所以，在第二屏蔽线的信号线相对于接地的屏蔽层的阻抗确定的情况下，可以对通过第二屏蔽线中的绝缘层、屏蔽层流入到地线中的电流进行限制。可以使得第一待测igbt器件上实际流过的电流与第一电流源输出的测试电流之间的差值小于规定的最大误差值wmax，便于对igbt器件进行bvces参数测试。
42.在其中一些实施例中，所述预设电压值umax小于或等于10v。例如，第一待测igbt器件的bvces参数的标准测试电流ice1为250μa，此时可以将第一电流源输出的测试电流设置为250μa，将预设电压值umax设置为10v；第二屏蔽线的信号线相对于接地的屏蔽层的阻抗为100mω，第二屏蔽线上的漏电流为10v/100mω，即0.1μa，虽然第一待测igbt器件上实际流过的电流250.1μa与第一电流源输出的测试电流250μa并不相同，但是因为第一待测igbt器件上实际流过的电流与250μa的差值0.1μa小于规定的最大误差值wmax，因此，可以直接将第一电流源输出的测试电流设置为250μa来进行bvces参数测试。
43.在具体应用中，电压源例如为第一电压电流源，电压源通过第一电压电流源在电压源模式下工作以输出测试电压；第一电流源为第二电压电流源，第一电流源通过第二电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流；第一电压电流源输出的额定电压大于第二电压电流源输出的额定电压。
44.可以理解的，电压源和第一电流源均为电压电流源，具备电压电流输出测量功能。如此，既可以作为电压源，输出电压，同时测量电流；又可以作为电流源，输出电流，同时测
量电压。提高了测试电路测试电压和电流的便利性。
45.更具体地，第一电压电流源为高压电压电流源，电压源通过高压电压电流源在电压源模式下工作以输出测试电压；第二电压电流源为低压电压电流源，第一电流源通过低压电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流。其中，电压源(高压电压电流源)输出的定值电压的最小值大于第一电流源(低压电压电流源)在开启状态下两端的电位差的最大值。因为，第一电流源在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，该预设电压值umax可设置为小于或等于10v。在实际中，第一待测igbt器件的额定测试电压可以为600v，在测试的过程中，电压源(高压电压电流源)主要是为了给第一待测igbt器件提供额定测试电压，电压源(高压电压电流源)输出的定值电压的最小值可参照600v的量级来进行设置；第一电流源(低压电压电流源)主要是为了提供额定测试电流，并保证第二屏蔽线的漏电流小于规定的最大误差值wmax，因此第一电流源(低压电压电流源)在开启状态下两端的电位差应设置为较小值(例如：10v)。因此，电压源(高压电压电流源)输出的定值电压的最小值需要大于第一电流源(低压电压电流源)在开启状态下两端的电位差的最大值。
46.图2为相关技术中提供的测试电路示意图，参阅图2所示，在相关技术中提供的测试电路中，第一待测igbt器件的栅极g和发射极e短接并同时接地，电流源的正极与第一待测igbt器件的集电极c连接，电流源的负极接地。该电流源为高压电压电流源，该高压电压电流源采用电流源模式输出额定测试电流ice1，第一待测igbt器件的集电极和发射极之间的电压vce即被认定为第一待测igbt器件的bvces参数。根据上述关于屏蔽线的说明，连接电流源的正极与第一待测igbt器件的集电极的第三屏蔽线上的电压为额定测试电压，因为额定测试电压很大(例如：600v)，通过第三屏蔽线中的绝缘层、屏蔽层流入到地线中的电流大于规定的最大误差值wmax。
47.例如，第一待测igbt器件的bvces参数的标准测试电流ice为250μa，bvces参数标准值为600v,第三屏蔽线的信号线相对于接地的屏蔽层的阻抗为100mω，第三屏蔽线上的漏电流为600v/100mω，即6μa，第一待测igbt器件上实际流过的电流244μa与第一电流源fli1输出的测试电流250μa不相同，因为第一待测igbt器件上实际流过的电流244μa与250μa的差值6μa大于规定的最大误差值wmax，实际流过第一待测igbt器件dut1的电流与额定测试电流不符导致对第一待测igbt器件进行bvces参数测试精度低。
48.本技术实施例提供的测试电路通过在第一待测igbt器件dut1的集电极c连接电压源fhv，通过在第一待测igbt器件dut1的发射极e连接第一电流源fli1，并且电压源fhv的负极和第一电流源fli1的正极均接地，第一电流源fli1的内阻满足以下条件：第一电流源fli1在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，预设电压值umax根据第一电流源fli1输出的测试电流与实际流过第一待测igbt器件dut1的电流之间的误差确定，保证第一电流源fli1指示的输出电流与实际流过igbt的电流在可接受的误差范围之内，从而解决了相关技术中实际流过第一待测igbt器件dut1的电流与测试电流差距过大导致的对第一待测igbt器件dut1进行bvces参数测试精度低的问题，第一电流源fli1的输出电流与流过第一待测igbt器件dut1的电流在可接受的误差范围之内，提高了bvces参数测试的精度。
49.图3为本技术第二实施例提供的测试电路示意图，参阅图3所示，在本技术第二实施例提供的测试电路中，第一测试子电路还包括第一可变电阻r1，第一可变电阻r1与第一
电流源fli1串联。
50.在其中一些实施例中，第一可变电阻r1的阻值和第一额定电阻值成正相关，第一额定电阻值为第一待测igbt器件的额定测试电压与额定测试电流的比值。可选的，第一可变电阻r1的阻值为第一额定电阻值的1/10。当第一待测igbt器件dut1的集电极c和发射极e之间在测试的过程被击穿或短路，电压源fhv施加的测试电压较大，导致第一测试子电路两端的电压较大，容易毁坏电流源fli1，因此，可以在第一测试子电路中串联第一可变电阻r1，保持测试电路的安全。至于第一可变电阻r1的阻值，根据测试的具体情况，第一可变电阻r1的阻值例如为第一额定电阻值r1的1/10。
51.图4为本技术第三实施例提供的测试电路示意图，参阅图4所示，本技术第三实施例提供了一种测试电路，该测试电路还包括第二测试子电路，第二测试子电路与第一测试子电路并联；电压源fhv的正极与第二待测igbt器件dut2的集电极c电信号连接，电压源fhv的负极接地；第二待测igbt器件dut2连接于第二测试子电路内，第二待测igbt器件dut2的栅极g与发射极e短接；第二测试子电路包括第二电流源fli2；第二电流源fli2的负极与第二待测igbt器件dut2的发射极e电信号连接，第二电流源fli2的正极接地；第二电流源fli2的内阻满足以下条件：第二电流源fli2在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，预设电压值umax根据第二电流源输出的测试电流与实际流过第二待测igbt器件的电流之间的误差确定。
52.可以理解地，本实施例提供的测试电路可以进行多igbt器件的并行测试，测试电路可以包括：电压源和至少两个测试子电路。如前所述，至少两个测试子电路至少包括第一测试子电路；当然，至少两个测试子电路还可以包括第二测试子电路。本技术并不限于此，至少两个测试子电路还可以包括如第三测试子电路等其他测试子电路，此处并非穷举。
53.在其中一些实施例中，第二电流源fli2为低压电压电流源，第二电流源fli2通过低压电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流。其中，电压源fhv(高压电压电流源)输出的定值电压的最小值大于第一电流源fli1(低压电压电流源)在开启状态下两端的电位差的最大值。因为，第一电流源fli1在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，该预设电压值umax也可设置为小于或等于10v。
54.图5为根据相关技术而提供的一种假设的测试电路示意图，参阅图5所示，在该测试电路示意图中，第一待测igbt器件dut1与第二待测igbt器件dut2的集电极c短接在一起，第一待测igbt器件dut1与第二待测igbt器件dut2的发射极e同时接地，此时若第一待测igbt器件dut1与第二待测igbt器件dut2同时接入测试电路进行测试，则耐压值更低的igbt器件会首先导通，让测试电流ice流过，而另外一颗耐压值更高的igbt器件，则无电流流过，这会导致实际测试结果只能体现出耐压值较低igbt器件的bvces参数，而且同图2所述的测试电路一样精度较低，参照现有技术中上述测试电路也无法进行多igbt器件并行测试，测试效率较低。
55.图6为本技术第四实施例提供的测试电路示意图，参阅图6所示，本技术第四实施例提供了一种测试电路，第二测试子电路还包括第二可变电阻r2，第二可变电阻r2与第二电流源fli2串联。在其中一些实施例中，第一可变电阻r1的阻值和第一额定电阻值成正相关，第一额定电阻值为第一待测igbt器件的额定测试电压与额定测试电流的比值。可选的，第一可变电阻r1的阻值为第一额定电阻值的1/10。当第二待测igbt器件dut2的集电极c和
发射极e之间在测试的过程被击穿或短路，电压源fhv施加的测试电压较大，导致第二测试子电路两端的电压较大，容易毁坏电流源fli2，因此，可以在第二测试子电路中串联第二可变电阻r2，保持测试电路的安全。至于第二可变电阻r2的阻值，根据测试的具体情况，第一可变电阻r2的阻值例如为第二额定电阻值r2的1/10。
56.图7为本技术第五实施例提供的测试电路示意图，参阅图7所示，本技术第五实施例提供了一种测试电路，该测试电路包括：电压源fhv、第一测试子电路以及第一测试子电路，第二测试子电路与第一测试子电路并联。电压源fhv的正极分别与第一待测igbt器件dut1的集电极c和第二待测igbt器件的集电极c电信号连接，电压源fhv的负极接地。
57.在本实施例中，第一待测igbt器件dut1连接于第一测试子电路内，第一待测igbt器件dut1的栅极g与发射极e短接；第二待测igbt器件dut2连接于第二测试子电路内，第二待测igbt器件dut1的栅极g与发射极e短接。
58.在本实施例中，第一测试子电路包括第一电流源fli1，第一电流源fli1的负极与第一待测igbt器件dut1的发射极e电信号连接，第一电流源fli1的正极接地；第二测试子电路包括第二电流源fli2,第二电流源fli2的负极与第二待测igbt器件dut2的发射极e电信号连接，第二电流源fli2的正极接地。
59.在本实施例中，第一电流源fli1的内阻满足以下条件：第一电流源fli1在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax(预设电压值umax小于或等于10v)，预设电压值umax根据第一电流源fli1输出的测试电流与实际流过第一待测igbt器件dut1的电流之间的误差确定。第二电流源fli2的内阻满足以下条件：第二电流源fli2在开启状态下两端的电位差的最大值不超过预设电压值umax，预设电压值umax根据第二电流源fli2输出的测试电流与实际流过第二待测igbt器件dut2的电流之间的误差确定。
60.在本实施例中，电压源fhv为高压电压电流源，电压源fhv通过高压电压电流源在电压源模式下工作以输出测试电压。第一电流源fli1为低压电压电流源，第一电流源fli1通过低压电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流；第二电流源fli2为低压电压电流源，第二电流源fli2通过低压电压电流源在电流源模式下工作以输出测试电流。
61.在本实施例中，第一测试子电路还包括第一可变电阻r1，第一可变电阻r1与第一电流源fli1串联。第一可变电阻r1的阻值和第一额定电阻值成正相关，第一额定电阻值为第一待测igbt器件dut1的额定测试电压与额定测试电流的比值。第一可变电阻r1的阻值为第一额定电阻值的1/10。第二测试子电路还包括第二可变电阻r2，第二可变电阻r2与第二电流源fli2串联。第二可变电阻r2的阻值和第二额定电阻值成正相关，第二额定电阻值为第二待测igbt器件dut2的额定测试电压与额定测试电流的比值。第二可变电阻r2的阻值为第一额定电阻值的1/10。
62.与图5所示的相关技术相比，本实施例在待测igbt器件的发射极与gnd之间，接入了电流源和可变电阻，从而可以实现同时对多颗igbt器件进行bvces测试。
63.在一个实际的应用场景中，电压源fhv实际输出的测试电压为vh，第一电流源fli1实际输出的测试电流为ice1，第一电流源fli1两端的电压设置为vl1(vl1小于或等于10v)，则第一待测igbt器件dut1的bvces参数为bvces1＝vh
–
vl1
–
r1*ice1，同理，第二待测igbt器件dut2的bvces参数为bvces2＝vh
–
vl1
–
r2*ice1。
64.可以理解的，由于第一可变电阻、第二可变电阻的存在，如果被测的管芯(第一待
测igbt器件、第二待测igbt器件)中有一个出现异常短路，可确保其他被测的管芯能够正常测试，从而保证了测试的有效性。比如，当第一待测igbt器件短路时，电压源仍可正常输出测试电压vh，此时第一可变电阻两端的压差为vr1＝vh
–
vl1。
65.反之，如果没有第一可变电阻、第二可变电阻的存在，当有一颗被测的管芯异常短路时，会导致电压源输出电压被拉低到电压源的最高输出电压，进而无法保证其他被测的管芯的正常测试。
66.上述测试电路还可以使用数量更多的测试子电路对多个待测igbt器件dut进行测试，而不限于上述实施例已经提到的形式，只要其能够达到完成对多个待测igbt器件dut的bvces参数进行精确测试的功能即可。
67.本技术实施例还提供了一种测试设备，该测试设备包括上述任一项测试电路。该测试设备可以对多个待测igbt器件dut的bvces参数同时进行测试，不仅准确性高，而且能够实现对多个待测igbt器件dut进行同时测试，极大地提高了测试效率。
68.可以理解，上述测试电路和设备也可以采用其他形式，而不限于上述实施例已经提到的形式，只要其能够达到完成对多个待测igbt器件dut的bvces参数进行精确测试的功能即可。
69.在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
70.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
71.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。