一种精简型高精度单晶硅传感器的制作方法

1.本实用新型涉及敏感元器件技术领域，尤其涉及一种精简型高精度单晶硅传感器。


背景技术：

2.敏感元器件是敏感元件和传感器件的简称，实际上敏感元件与传感器是有差别的，敏感元件仅能敏感某个物理量，并能完成一定的功能，如压电射流陀螺、盲人导航仪和机器人视觉、听觉、触觉、力觉、味觉等传感器，传感器由敏感元件、电路、微处理机和机械结构等构成。目前，现有的单晶硅差压传感器仍存在不足之处，现有单晶硅差压传感器，通常包括芯片、传感器正压腔、传感器负压腔、正压腔油路、负压腔油路、中心膜片、壳体接口等，其结构部件布置繁琐且正负压油路设计复杂，加工成本高，进而影响传感器性能，从而降低了单晶硅差压传感器的使用效果。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于：为了解决上述问题而提出的一种精简型高精度单晶硅传感器。
4.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
5.一种精简型高精度单晶硅传感器，包括烧结底座、单晶硅芯片、低压基座、芯体管路、高压基座、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、填充液、充油管、螺纹接头，所述烧结底座的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片；所述烧结底座的上部连接有螺纹接头；所述烧结底座横向设置有芯体管路；所述烧结底座竖向穿插有充油管；所述烧结底座的底部连接有高压基座和低压基座；所述高压基座和低压基座之间夹持开设有中心腔室；所述高压基座和低压基座的内部均开设有基座管路；所述中心腔室的两侧壁均通过基座管路与烧结底座相连通；所述高压基座和低压基座的中部还横向贯穿开设有隔离腔室；所述高压基座和低压基座的外侧壁均安装有隔离膜片；所述隔离腔室与中心腔室相互连通。
6.作为本实用新型的进一步改进，所述芯体管路、基座管路、中心腔室、隔离腔室内腔均通过充油管加注有填充液。
7.作为本实用新型的进一步改进，所述充油管的数量为两个或两个以上，且充油管竖向贯穿连通到单晶硅芯片所在的安装空间内。
8.作为本实用新型的进一步改进，所述中心膜片与隔离膜片均为金属膜片。
9.作为本实用新型的进一步改进，所述填充液采用的是硅油。
10.综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：本实用新型中的填充液通过隔离腔室、中心腔室、基座管路，最后作用在单晶硅芯片，结构精简，降低了生产成本，填充液中段经过中心腔室，极大的保护了芯片不受冲击而损坏，从而提高了单晶硅差压传感器的使用寿命；本技术方案感压通道布置流畅，加工安装方便，且本技术方案通过设置多个充油管，便于对本设备的内部填充液进行补充加注，提高设备维护的便利性。
附图说明
11.图1为本实用新型的结构示意图。
12.图例说明：1、烧结底座；2、单晶硅芯片；3、低压基座；4、芯体管路；5、高压基座；6、基座管路；7、中心膜片；8、中心腔室；9、隔离膜片；10、隔离腔室；11、填充液；12、充油管；13、螺纹接头。
具体实施方式
13.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
14.请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种精简型高精度单晶硅传感器，包括烧结底座1、单晶硅芯片2、低压基座3、芯体管路4、高压基座5、基座管路6、中心膜片7、中心腔室8、隔离膜片9、隔离腔室10、填充液11、充油管12、螺纹接头13，所述烧结底座1的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片2；所述烧结底座1的上部连接有螺纹接头13；所述烧结底座1横向设置有芯体管路4；所述烧结底座1竖向穿插有充油管12；所述烧结底座1的底部连接有高压基座5和低压基座3；所述高压基座5和低压基座3之间夹持开设有中心腔室8；所述高压基座5和低压基座3的内部均开设有基座管路6；所述中心腔室8的两侧壁均通过基座管路6与烧结底座1相连通；所述高压基座5和低压基座3的中部还横向贯穿开设有隔离腔室10；所述高压基座5和低压基座3的外侧壁均安装有隔离膜片9；所述隔离腔室10与中心腔室8相互连通；所述芯体管路4、基座管路6、中心腔室8、隔离腔室10内腔均通过充油管12加注有填充液11；所述充油管12的数量为两个或两个以上，且充油管12竖向贯穿连通到单晶硅芯片2所在的安装空间内；所述中心膜片7与隔离膜片9均为金属膜片；所述填充液11采用的是硅油。
15.本设备在使用时，外部压力通过填充液11经过隔离腔室10、中心腔室8、基座管路6、芯体管路4，最后作用在单晶硅芯片2，传感设备结构布置精简，降低了生产成本，另外油路的中段经过中心腔室，极大的保护了芯片不受冲击而损坏，从而提高了单晶硅差压传感器的使用寿命。
16.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种精简型高精度单晶硅传感器，包括烧结底座（1）、单晶硅芯片（2）、低压基座（3）、芯体管路（4）、高压基座（5）、基座管路（6）、中心膜片（7）、中心腔室（8）、隔离膜片（9）、隔离腔室（10）、填充液（11）、充油管（12）、螺纹接头（13），所述烧结底座（1）的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片（2）；所述烧结底座（1）的上部连接有螺纹接头（13）；所述烧结底座（1）横向设置有芯体管路（4）；所述烧结底座（1）竖向穿插有充油管（12）；所述烧结底座（1）的底部连接有高压基座（5）和低压基座（3）；所述高压基座（5）和低压基座（3）之间夹持开设有中心腔室（8）；所述高压基座（5）和低压基座（3）的内部均开设有基座管路（6）；所述中心腔室（8）的两侧壁均通过基座管路（6）与烧结底座（1）相连通；所述高压基座（5）和低压基座（3）的中部还横向贯穿开设有隔离腔室（10）；所述高压基座（5）和低压基座（3）的外侧壁均安装有隔离膜片（9）；所述隔离腔室（10）与中心腔室（8）相互连通。2.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述芯体管路（4）、基座管路（6）、中心腔室（8）、隔离腔室（10）内腔均通过充油管（12）加注有填充液（11）。3.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述充油管（12）的数量为两个或两个以上，且充油管（12）竖向贯穿连通到单晶硅芯片（2）所在的安装空间内。4.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述中心膜片（7）与隔离膜片（9）均为金属膜片。5.根据权利要求1所述的一种精简型高精度单晶硅传感器，其特征在于：所述填充液（11）采用的是硅油。

技术总结
本实用新型涉及一种精简型高精度单晶硅传感器，烧结底座的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片；烧结底座的上部连接有螺纹接头；烧结底座横向设置有芯体管路；烧结底座的底部连接有高压基座和低压基座；高压基座和低压基座之间夹持开设有中心腔室；高压基座和低压基座的内部均开设有基座管路；中心腔室的两侧壁均通过基座管路与烧结底座相连通；高压基座和低压基座的中部还横向贯穿开设有隔离腔室；高压基座和低压基座的外侧壁均安装有隔离膜片；隔离腔室与中心腔室相互连通。本技术方案能够提供一种结构精简、生产成本低且填充液中段经过中心腔室，保护芯片不受冲击而损坏，提高单晶硅差压传感器的使用寿命。传感器的使用寿命。传感器的使用寿命。


技术研发人员：王旭 马志强
受保护的技术使用者：南京沃天科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.06
技术公布日：2022/6/7