技术特征：
1.一种mosfet检测电路，包括若干组相并联的电流导通通路，其特征在于，所述电流导通通路包括两组mosfet模块，两组所述mosfet模块之间安装有电流检测电阻，两组所述mosfet模块与所述电流检测电阻相串联，一组所述mosfet模块包括mosfet驱动芯片与两个mosfet，两个所述mosfet包括方向相反的寄生二极管，两个所述mosfet均与所述mosfet驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块与检测供电模块，所述检测电路还包括运算放大器与mcu，所述运算放大器与所述电流检测电阻的两端相连接，所述运算放大器与所述mcu电连接。2.根据权利要求1所述的mosfet检测电路，其特征在于，所述主供电模块为dc/dc，所述检测供电模块为蓄电池。3.根据权利要求1或2任一所述的mosfet检测电路的故障诊断方法，其特征在于，具体包括如下步骤：主供电模块断开，检测供电模块供电，两组所述mosfet模块的四个mosfet驱动芯片分时进行通断，依次使一个所述mosfet驱动芯片处于断开状态，进行第一轮短路检测；第一轮短路检测完成后，主供电模块供电，主供电模块电压高于检测供电模块电压，检测供电模块变为负载，电流方向改变，再次依次使一个所述mosfet驱动芯片处于断开状态，进行第二轮短路检测；第二轮短路检测完成后，四个所述mosfet驱动芯片全部连通，进行实时开路检测。4.根据权利要求3所述的mosfet检测电路的故障诊断方法，其特征在于，所述四个所述mosfet驱动芯片全部连通，进行实时开路检测，具体步骤为：电流检测电阻对电流导通通路的进行电流检测，并发送至mcu，当采集到的电流导通通路的电流值为0时，则可判定电流导通通路上的mosfet发生开路故障。
技术总结
本发明涉及汽车电子技术领域，具体涉及一种MOSFET检测电路及故障诊断方法，包括若干组相并联的电流导通通路，所述电流导通通路包括两组MOSFET模块，两组所述MOSFET模块之间安装有电流检测电阻，一组所述MOSFET模块包括MOSFET驱动芯片与两个MOSFET，两个所述MOSFET包括方向相反的寄生二极管，两个所述MOSFET均与所述MOSFET驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块与检测供电模块，所述检测电路还包括运算放大器与MCU，本发明提出的MOSFET检测电路及故障诊断方法，能够通过采集两路电流导通通路上的电流值，并通过分时控制MOSFET驱动芯片，以实现对于MOSFET短路和开路故障的诊断，可以提高隔离开关控制器的安全性能和故障覆盖率，进而提高隔离开关电源控制器的安全等级。源控制器的安全等级。源控制器的安全等级。
技术研发人员：郑嘉伟 雷元 钱涵 刘海翔 葛莹 陈至清 汤代胜 田丽伟 韩乐园 刘晓虎
受保护的技术使用者：立讯精密工业（芜湖）有限公司
技术研发日：2022.03.19
技术公布日：2022/7/29