SRP样品的制备方法、研磨装置及检测方法与流程

srp样品的制备方法、研磨装置及检测方法
技术领域
1.本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种srp样品的制备方法、研磨装置及检测方法。


背景技术：

2.srp(spreading resistance profile,扩展电阻分布)测试是一种以较高分辨率测试半导体材料扩散电阻、电阻率、载流子浓度分布等电学参数的方法，在测量电阻率及掺杂浓度等方面得到广泛应用。srp测试通过两根探针在样品斜截面上接触式的测量来获得数据，可快速的获得载流子浓度、电阻率和电活性杂质密度等随深度分布的曲线。
3.随着半导体工艺的提高，srp样品的集成度也越来越高，在小面积的srp分析中由于无法研磨的原因使得样品可测面积较小，导致下针距离受限，检测效果较差。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种srp样品的制备方法、研磨装置及检测方法，针对小规格的srp样品利用同类别的样品进行拼接，增加srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有足够的下针距离，提升了检测效果。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种srp样品的制备方法，该方法包括：
6.选取多个相同类型的初始srp样品；其中，初始srp样品为回型结构；
7.按照预设磨片规格确定需制备的srp样品区域，并根据srp样品区域确定初始srp样品的拼接方案；
8.按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品；
9.将中间srp样品放置在满足预设磨片规格的研磨装置中，并按照预设磨片规格对应的时间和转速对中间srp样品进行研磨，得到满足预设磨片规格的srp样品。
10.在一些实施方式中，按照预设磨片规格确定需制备的srp样品的测量区域，并根据srp样品的测量区域确定初始srp样品的拼接方案的步骤，包括：
11.获取预设磨片规格中包含的参数；其中，参数至少包括：测试深度、针点数量、针距及研磨角度；
12.根据参数计算需制备的srp样品区域；
13.利用srp样品区域的面积与初始srp样品的面积比值，确定初始srp样品的数量，并根据初始srp样品的数量确定拼接方案。
14.在一些实施方式中，按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上，包括：
15.根据拼接方案确定初始srp样品的摆放顺序及硅片衬底的摆放区域；
16.在硅片衬底的摆放区域中涂上ab胶并按照摆放顺序依次放置初始srp样品，待ab胶凝固后将初始srp样品固定在硅片衬底上。
17.在一些实施方式中，在硅片衬底的摆放区域中涂上ab胶并按照摆放顺序依次放置
初始srp样品，包括：
18.利用点胶方式将ab胶点在硅片衬底的摆放区域中；
19.按照摆放顺序将初始srp样品并排放置。
20.在一些实施方式中，待ab胶凝固后将初始srp样品固定在硅片衬底上，包括：
21.根据ab胶的用量确定初始srp样品的粘贴时间；其中，粘贴时间为当前ab胶的用量下初始srp样品能够固定在硅片衬底上的时间；
22.当初始srp样品达到粘贴时间后，利用加热器对初始srp样品进行加热，使得ab胶完全凝固。
23.在一些实施方式中，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品的步骤，包括：
24.在已固定在硅片衬底上的初始srp样品的表面涂抹ab胶；
25.选取与硅片衬底的尺寸相同的盖玻片覆盖在初始srp样品的表面；
26.待ab胶凝固后得到中间srp样品。
27.在一些实施方式中，选取与硅片衬底的尺寸相同的盖玻片覆盖在初始srp样品的表面之后，还包括：
28.调整盖玻片的位置，使其完全覆盖在初始srp样品的表面；
29.利用加热器对初始srp样品进行加热，使得ab胶完全凝固。
30.在一些实施方式中，初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为100um
×
100um；初始srp样品的面积为300um
×
300um；硅片衬底的面积为3mm
×
5mm；盖玻片的面积为3mm
×
5mm。
31.第二方面，本发明实施例提供了一种srp样品的研磨装置，该装置用于实施第一方面提到的srp样品的制备方法；该装置包括：样品研磨台、固定支架以及研磨机；
32.其中，样品研磨台用于放置srp样品，样品研磨台包含多个不同的研磨角度；固定支架设置在样品研磨台的样品放置区域，用于固定srp样品；研磨机用于对srp样品进行研磨。
33.第三方面，本发明实施例提供了一种srp样品的检测方法，该方法用于对srp样品的四边掺杂浓度进行检测，该方法包括：
34.按照预设磨片规格确定srp的最大可测区域；
35.根据srp的最大可测区域选取多个相同类型的初始srp样品，并利用第一方面提到的srp样品的制备方法得到满足预设磨片规格的srp样品；
36.对已制备的srp样品进行srp检测，得到srp样品的掺杂浓度数据。
37.本发明实施例带来了以下有益效果：本发明实施例提供了一种srp样品的制备方法、研磨装置及检测方法，在srp样品的制备过程中，首先选取多个相同类型的初始srp样品；其中，初始srp样品为回型结构；然后按照预设磨片规格确定需制备的srp样品区域，并根据srp样品区域确定初始srp样品的拼接方案；再按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品；最后将中间srp样品放置在满足预设磨片规格的研磨装置中，并按照预设磨片规格对应的时间和转速对中间srp样品进行研磨，得到满足预设磨片规格的srp样品。该方法在针对小规格的srp样品时，利用同类别的样品进行拼接完成srp样品的制备，增加srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有
足够的下针距离，提升了检测效果。
38.本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
39.为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
40.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法的流程图；
42.图2为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中步骤s102的流程图；
43.图3为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中，按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上的流程图；
44.图4为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中，在硅片衬底的摆放区域中涂上ab胶并按照摆放顺序依次放置初始srp样品的过程的流程图；
45.图5为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中，待ab胶凝固后将初始srp样品固定在硅片衬底上的过程的流程图；
46.图6为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品的过程；
47.图7为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中得到的中间srp样品结构示意图；
48.图8为本发明实施例提供的一种srp样品的制备方法中，选取与硅片衬底的尺寸相同的盖玻片覆盖在初始srp样品的表面之后的方法流程图；
49.图9为本发明实施例提供的一种srp样品的研磨装置的结构示意图；
50.图10为本发明实施例提供的一种srp样品的研磨装置的研磨效果示意图；
51.图11为本发明实施例提供的一种srp样品的检测方法的流程图；
52.图12为本发明实施例提供的一种初始srp样品的结构示意图。
53.图标：
54.910-研磨台；920-固定支架；930-研磨机。
具体实施方式
55.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
56.srp(spreading resistance profile,扩展电阻分布)测试是一种以较高分辨率
测试半导体材料扩散电阻、电阻率、载流子浓度分布等电学参数的方法，该方法首先测量一系列点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测样品在探针接触点附近的电阻率，进而换算成系列测试点所对应的载流子浓度。为了提升空间分辨率，同时根据目标测量深度不同，可以将样品截面方向磨成一系列的角度，将硅片磨角后可以测量分辨深度方向的电阻率变化。srp测试能够测试si、inp、gaas、sic等半导体的外延、扩散、注入工艺中载流子浓度空间分布情况，已成为半导体材料制备及工艺生产中比较重要的测试手段之一。
57.随着半导体工艺的提高，srp样品的集成度也越来越高，小面积的srp样品分析时由于无法研磨的原因使得样品可测面积较小，导致下针距离受限，检测效果较差。
58.针对上述问题，本发明提出一种srp样品的制备方法、研磨装置及检测方法，在针对小规格的srp样品时，可利用同类别的样品进行拼接完成srp样品的制备，增加了srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有足够的下针距离，提升了检测效果。
59.为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种srp样品的制备方法进行详细介绍，具体的，该方法的流程图如图1所示，包括以下步骤：
60.步骤s101，选取多个相同类型的初始srp样品；其中，初始srp样品为回型结构。
61.初始srp样品为小尺寸的回型结构样品，在选取的过程中尽可能的选取同类型且尺寸相近的样品，以便于完成拼接。回型结构的初始srp样品包括中间区域和边界区域，可按照测试需求来对中间区域或边界区域进行测量，如测量边界区域掺杂浓度、载流子浓度、电阻率等。回型结构的初始srp样品具体如图12所示，对回型结构样品的测量时，一般测量中间区域的四边掺杂浓度，具体的说就是边界区域的掺杂浓度。对于形状为正方形的初始srp样品来说，可将其按照标准九宫格进行划分，中间的小正方形为中间区域，其四周区域为边界区域。例如，初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为100um
×
100um；与中间区域周围8个相同的区域共同组成边界区域，此时的初始srp样品的总面积为300um
×
300um。
62.步骤s102，按照预设磨片规格确定需制备的srp样品区域，并根据srp样品区域确定初始srp样品的拼接方案。
63.磨片规格主要包括测试深度、研磨角度、针距、针点数量等参数，在研磨角度一定的情况下，测试深度与针距存在一定的反比关系，即测试深度越大，针距就越大；测试深度越小，针距也就越小。在针距一定的情况下，测试深度与研磨角度存在一定的正比关系，即测试深度越大，研磨角度越大；测试深度越小，研磨角度就越小。例如：磨片规格为：针距2.5um、针点50个、测试深度50nm、使用角度1
°9′
的磨片样品座；同理，磨片规格还可为：针距5um、针点50个、测试深度0.1um、使用角度1
°9′
的磨片样品座。磨片规格的核心参数之一就是测试深度，通过测试深度可决定相应的研磨角度，结合针距和针点即可计算得到样品的可测面积。
64.以上述磨片规格举例，磨片规格为：针距2.5um、针点50个、测试深度50nm、使用角度1
°9′
的磨片样品座时，样品可测面积至少需要125um
×
125um；磨片规格为：针距5um、针点50个、测试深度0.1um、使用角度1
°9′
的磨片样品座时，样品可测面积至少需要250um
×
250um。在样品可测面积至少需要125um
×
125um的条件下，如果srp样品可测范围仅为100um
×
100um时则无法实现精准测量，则需根据125um
×
125um的可测面积的约束下对初始srp样品进行拼接，以确定拼接方案。
65.拼接方案中主要涉及拼接方向，当使用两个初始srp样品即可满足磨片规格对应
的可测面积时，则将不同的初始srp样品按照相同边长进行拼接即可；当使用超过两个初始srp样品才能满足磨片规格对应的可测面积时，需要考虑这些srp样品的排列方向，如“一”字排列、“l”字排列等排列方式，拼接的过程同样按照相同边长进行排列。
66.步骤s103，按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品。
67.拼接方案确定后，将这些srp样品按照拼接方案的顺序和位置依次摆放在硅片衬底上，并通过胶水进行固定。一般而言，使用胶水固定时需使用不导电的胶水，以防止对检测时产生干扰。
68.多个初始srp样品固定在硅片衬底上之后，利用盖玻片覆盖在初始srp样品上层进行保护，进而得到中间srp样品。此时的中间srp样品为三层结构，从上至下依次为盖玻片、初始srp样品、硅片衬底。与传统的srp样品不同，此时的中间层包含了多个初始srp样品，这些初始srp样品尺寸相近且为同类样品，在进行拼接后能够扩大可测范围，以达到最终的测量要求。
69.步骤s104，将中间srp样品放置在满足预设磨片规格的研磨装置中，并按照预设磨片规格对应的时间和转速对中间srp样品进行研磨，得到满足预设磨片规格的srp样品。
70.中间srp样品获取后需按照磨片规格所对应的角度进行研磨，研磨过程通过研磨装置所实现，研磨装置中至少包括样品研磨台、固定支架以及研磨机。具体的说是根据测试深度的需求选择合适角度的样品研磨台，进而将中间srp样品放置在样品研磨台中，在利用固定支架进行固定后使用研磨机进行研磨，最终得到在磨片规格下能够满足可测面积的srp样品。
71.通过上述实施例中提供的srp样品的制备方法可知，该方法在针对小规格的srp样品时，可利用同类别的样品进行拼接完成srp样品的制备，增加了srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有足够的下针距离，提升了检测效果。
72.在一些实施方式中，按照预设磨片规格确定需制备的srp样品的测量区域，并根据srp样品的测量区域确定初始srp样品的拼接方案的步骤s102，如图2所示，包括：
73.步骤s201，获取预设磨片规格中包含的参数；其中，参数至少包括：测试深度、针点数量、针距及研磨角度。
74.例如，磨片规格中包含的参数为：针距2.5um、针点50个、测试深度50nm、使用角度1
°9′
的磨片样品座。初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为100um
×
100um；初始srp样品的面积为300um
×
300um。
75.步骤s202，根据参数计算需制备的srp样品区域。
76.以测试深度50nm为例，按照1
°9′
的磨片规格要求，在针距2.5um、针点50个时得到样品可测面积至少为125um
×
125um，因此需制备的srp样品区域的面积也至少为125um
×
125um，也可根据具体情况提高制备的srp样品区域的面积。
77.步骤s203，利用srp样品区域的面积与初始srp样品的面积比值，确定初始srp样品的数量，并根据初始srp样品的数量确定拼接方案。
78.由于srp样品区域的面积一定大于初始srp样品的面积，因此该比值一定大于1。当比值大于1小于2时，则表明至少需要2个初始srp样品才能满足需求；同理，当比值大于2小于3时则表明至少需要3个初始srp样品才能满足需求。初始srp样品的数量确定后，根据需
制备的srp样品区域确定拼接顺序及拼接方向，进而得到拼接方案。
79.具体的说，初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为100um
×
100um；初始srp样品的面积为300um
×
300um；在对边缘区域进行掺杂浓度测量时需要考虑边缘区域，此时的边缘区域可理解为8个100um
×
100um的区域，分别位于中间区域的四周。而以测试深度50nm为例，按照1
°9′
的磨片规格要求，在针距2.5um、针点50个时得到样品可测面积至少为125um
×
125um，因此可选择两个初始srp样品，并将其进行拼接，拼接后的初始srp样品边缘区域相连接后达到200um，满足可测面积中125um的边长要求。
80.在一些实施方式中，按照拼接方案将初始srp样品固定在硅片衬底上，如图3所示，包括：
81.步骤s301，根据拼接方案确定初始srp样品的摆放顺序及硅片衬底的摆放区域。
82.以上述参数为例，在确定使用两个初始srp样品进行拼接的拼接方案后，选取面积为3mm
×
5mm的硅片衬底，并在该硅片衬底确定这两个初始srp样品的摆放位置和摆放顺序。
83.步骤s302，在硅片衬底的摆放区域中涂上ab胶并按照摆放顺序依次放置初始srp样品，待ab胶凝固后将初始srp样品固定在硅片衬底上。
84.实际操作过程中，可按照摆放顺序依次涂抹ab胶，然后将初始srp样品按照摆放顺序依次摆放，待ab胶凝固后即可将初始srp样品固定在硅片衬底上。
85.实际操作过程中，在硅片衬底的摆放区域中涂上ab胶并按照摆放顺序依次放置初始srp样品的过程，如图4所示，包括：
86.步骤s41，利用点胶方式将ab胶点在硅片衬底的摆放区域中。
87.点胶是利用尖锐物体蘸取少量ab胶实现胶水的布局，可利用牙签或细针蘸取最少的ab胶，然后将胶水点在硅片衬底的摆放区域中。需注意的是，点胶的过程遵循最少量的点胶，如果第一点胶的用量不足时，可进行多次点胶，但最终的点胶用量尽可能的少，防止胶水过多影响测试的精度。
88.步骤s42，按照摆放顺序将初始srp样品并排放置。
89.在使用两个初始srp样品进行拼接的拼接方案时，可按照摆放顺序将两个初始srp样品并排粘贴，最终在胶水完成凝固后实现样品的拼接。
90.在一些实施方式中，待ab胶凝固后将初始srp样品固定在硅片衬底上的过程，如图5所示，包括：
91.步骤s51，根据ab胶的用量确定初始srp样品的粘贴时间；其中，粘贴时间为当前ab胶的用量下初始srp样品能够固定在硅片衬底上的时间。
92.实际操作过程中，可通过加热器来减少粘贴时间。具体的说，先根据ab胶的用量确定初始srp样品的粘贴时间，该粘贴时间为当前ab胶的用量下初始srp样品能够固定在硅片衬底上的时间。达到这个时间后，ab胶处于半凝固状态，能够保证胶水中的初始srp样品能够初步固定在硅片衬底上，此时内部的胶水还没有凝固。
93.步骤s52，当初始srp样品达到粘贴时间后，利用加热器对初始srp样品进行加热，使得ab胶完全凝固。
94.加热器进行加热的过程中，尽可能的利用低温烘烤的方式。例如，可设置加热器的烘烤温度为80
°
并持续5分钟加热，最终实现ab胶完全凝固，减少了凝固时间。
95.在一些实施方式中，将盖玻片覆盖在初始srp样品上得到中间srp样品的过程，如
图6所示，包括：
96.步骤s601，在已固定在硅片衬底上的初始srp样品的表面涂抹ab胶。
97.此时的初始srp样品已经固定在硅片衬底上，然后在初始srp样品表面涂抹ab胶，胶量可适当增多以更好的粘贴盖玻片。
98.步骤s602，选取与硅片衬底的尺寸相同的盖玻片覆盖在初始srp样品的表面。
99.以上述参数为例，在使用两个初始srp样品进行拼接的拼接方案时，选取的硅片衬底面积为3mm
×
5mm，因此盖玻片的面积也为3mm
×
5mm。在初始srp样品表面盖上盖玻片后，调节盖玻片的位置使其与硅片衬底相契合，此时的盖玻片完全覆盖在拼接后的两个初始srp样品上。
100.步骤s603，待ab胶凝固后得到中间srp样品。
101.实际操作中可用镊子等工具将盖玻片进行压紧，挤压出胶水中的气泡，然后等待ab胶凝固后得到中间srp样品。具体如图7所示，从图7中可看出，此时的中间srp样品为三层结构，从上至下依次为盖玻片、两个初始srp样品、硅片衬底。与传统的srp样品不同，此时的中间层包含了多个初始srp样品，这些初始srp样品尺寸相近且为同类样品，在进行拼接后能够扩大可测范围，以达到最终的测量要求。
102.在一些实施方式中，选取与硅片衬底的尺寸相同的盖玻片覆盖在初始srp样品的表面之后，如图8所示，还包括：
103.步骤s81，调整盖玻片的位置，使其完全覆盖在初始srp样品的表面。
104.盖玻片调整的过程可利用镊子等工具来实现，最终使得盖玻片完全覆盖在初始srp样品的表面，然后利用加热器对其进行加热烘烤。
105.步骤s82，利用加热器对初始srp样品进行加热，使得ab胶完全凝固。
106.实际操作过程中，可在已覆盖盖玻片的初始srp样品上施加重物，有助于粘贴效果。然后利用加热器进行加热烘烤，该步骤中的加热温度一般会高于点胶时的加热温度，如可设置加热器的烘烤温度为120
°
并持续10分钟加热，最终实现ab胶完全凝固，减少了凝固时间。
107.通过上述实施例中提供的srp样品的制备方法可知，该方法在针对小规格的srp样品时，可对同类别的两个样品进行拼接从而完成srp样品的制备，增加了srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有足够的下针距离，提升了检测效果。
108.本发明实施例提供了一种srp样品的研磨装置，该装置用于上述实施例中提到的srp样品的制备方法；如图9所示，该装置包括：样品研磨台910、固定支架920以及研磨机930；
109.其中，样品研磨台910用于放置srp样品，样品研磨台910包含多个不同的研磨角度；固定支架920设置在样品研磨台910的样品放置区域，用于固定srp样品；研磨机930用于对srp样品进行研磨。
110.以上述测试深度50nm的要求，选择角度1
°9′
样品研磨台，并使用两个初始srp样品进行拼接的拼接方案时，将srp样品利用加热器和蜡固定在样品放置区域，并利用固定支架920进行固定。研磨机930中涂有均匀的钻石膏和润滑油，并按照设定的时间和转速开始研磨。
111.研磨的效果如图10所示，具体的说，初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为
100um
×
100um；初始srp样品的面积为300um
×
300um；在对边缘区域进行掺杂浓度测量时需要考虑边缘区域，此时的边缘区域可理解为8个100um
×
100um的区域，分别位于中间区域的四周。而以测试深度50nm为例，按照1
°9′
的磨片规格要求，在针距2.5um、针点50个时得到样品可测面积至少为125um
×
125um，因此可选择两个初始srp样品，并将其进行拼接，拼接后的初始srp样品边缘区域相连接后达到200um，满足可测面积中125um的边长要求。
112.本发明实施例提供了一种srp样品的检测方法，该方法用于对srp样品的四边掺杂浓度进行检测，如图11所示，该方法包括：
113.步骤s1101，按照预设磨片规格确定srp的最大可测区域。
114.磨片规格主要包括测试深度、研磨角度、针距、针点数量，例如：磨片规格为：针距2.5um、针点50个、测试深度50nm、使用角度1
°9′
的磨片样品座；同理，磨片规格还可为：针距5um、针点50个、测试深度0.1um、使用角度1
°9′
的磨片样品座。磨片规格的核心参数之一就是测试深度，通过测试深度可决定相应的研磨角度，结合针距和针点即可计算得到样品的可测面积。
115.具体的说，磨片规格为：针距2.5um、针点50个、测试深度50nm、使用角度1
°9′
的磨片样品座时，样品可测面积至少需要125um
×
125um；磨片规格为：针距5um、针点50个、测试深度0.1um、使用角度1
°9′
的磨片样品座时，样品可测面积至少需要250um
×
250um。在样品可测面积至少需要125um
×
125um的条件下，如果srp样品可测范围仅为100um
×
100um时则无法实现精准测量，则需根据125um
×
125um的可测面积的约束下对初始srp样品进行拼接，以确定拼接方案。
116.步骤s1102，根据srp的最大可测区域选取多个相同类型的初始srp样品，并利用上述实施例中提到的srp样品的制备方法得到满足预设磨片规格的srp样品。
117.该步骤中得到的srp样品使用多个相同类型的初始srp样品进行拼接，从而增大了srp样品的制样面积，使得拼接后的srp样品具有足够的下针距离，提升了检测效果。
118.具体的说，初始srp样品的回型结构中的中间区域面积为100um
×
100um；初始srp样品的面积为300um
×
300um。在对边缘区域进行掺杂浓度测量时需要考虑边缘区域，此时的边缘区域可理解为8个100um
×
100um的区域，分别位于中间区域的四周。以测试深度50nm为例，按照1
°9′
的磨片规格要求，在针距2.5um、针点50个时得到样品可测面积至少为125um
×
125um，因此可选择两个初始srp样品，并将其进行拼接，拼接后的初始srp样品边缘区域相连接后达到200um，满足可测面积中125um的边长要求。
119.步骤s1103，对已制备的srp样品进行srp检测，得到srp样品的掺杂浓度数据。
120.通过两根探针在样品斜截面上接触式的测量来获得检测数据，最终得到srp样品的掺杂浓度数据随深度的分布曲线。
121.本发明实施例所提供的srp样品的制备方法，其实现原理及产生的技术效果和前述实施例中提到的srp样品的制备方法相同，为简要描述，实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。
122.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的
相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
123.作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
124.另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
125.功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以用软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
126.最后应说明的是：以上实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。