电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子设备，尤其是涉及一种填充热塑性树脂或热固性树脂且赋予 封固性的电子设备。
【背景技术】
[0002] JP特开平09-092105号公报（专利文献1)中公开了一种通过设置树脂注入口 向内部填充树脂的结构。
[0003] 专利文献1 :JP特开平09-092105号公报
[0004]在上述JP特开平09 - 092105号公报（专利文献1)中公开的装置中，如果要使 用低硬度树脂来抑制由封固树脂引起的对电子部件等的应力损伤，则由于低硬度树脂总体 上线膨胀系数较高（例如，线膨胀系数在90 X 1(T6/°C以上），在高温环境下使用该装置时， 引起封固树脂膨胀，有可能使封固树脂从封闭空间即壳体内经过开放部（例如，填充树脂 的填充口）而溢出。
[0005] 发生这样的封固树脂从壳体内溢出的现象，不仅会使产品外观受到损害，而且产 生如下担心，即：从壳体内溢出的封固树脂作为异物混入电子设备的使用环境中。另外，由 于封固树脂缺少，使得壳体内的封固性下降，因此产生使电子设备的耐水性能劣化的担心。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种如下电子设备，S卩：即使在高温环境下（例如，50°C以 上）使用利用线膨胀系数在90X1(T7°C (90ppm/°C)以上的树脂（例如，热熔树脂）制作的 装置，也不会发生由填充树脂的热膨胀引起的树脂从开放部（例如，填充口）溢出的现象。
[0007] 根据本发明的电子设备，具备：筒状的本体外壳，一端被封闭，封闭构件，用于堵塞 本体外壳的另一端的开口，电子部件，配置于被本体外壳及封闭构件包围的位置，树脂部， 被填充在本体外壳的内部，线膨胀系数在90X1(T7°C以上且400X1(T6/°C以下；在本体壳 体上设置有浇口，浇口使本体外壳的内侧和外侧连通，用于填充树脂部，在本体外壳的内部 具有填充树脂限制面，该填充树脂限制面具有特定区域，特定区域指，包括与浇口相向的位 置，并与本体外壳的内表面之间的距离在0. 2mm以上且1. 0mm以下且面积为浇口的截面面 积的至少4倍的区域。
[0008] 优选地，烧口具有与直径在1. 0mm~3. 0mm范围内的圆的开口面积相当的截面面 积。
[0009] 优选地，封闭构件包括外表面与本体外壳的内表面相接触的的主部，填充树脂限 制面与主部构成为一体，填充树脂限制面配置于与浇口相向的位置。
[0010] 还优选地，填充树脂限制面包括沿本体外壳的轴向延伸的构件，在与本体外壳的 轴向平行的整个规定长度范围内，该构件的延伸方向上的两侧与本体外壳的内表面相接 触。
[0011] 或者，还优选地，在填充树脂限制面上，在与浇口相向的面的表面上沿本体外壳的 轴向设置有沟槽部。
[0012] 或者，还优选地，在观察与本体外壳的轴向相垂直的方向的截面时，填充树脂限制 面具有与浇口相向的面呈凸面的圆弧状形状。
[0013] 优选地，封闭构件包括：第一部分，其外表面的至少一部分与本体外壳的内表面相 接触；第二部分，与第一部分构成为一体，当观察与本体外壳的轴向相垂直的方向的截面 时，该第二部分具有比第一部分的形状更小的形状。填充树脂限制面包括第二部分的外表 面。
[0014] 还优选地，在第一部分设置有缺口部，缺口部的外表面与第二部分的外表面构成 连续面。
[0015] 或者，还优选地，在第二部分的外表面设置有沿本体外壳的轴向延伸的一对突起 物，封闭构件配置成使被一对突起物包围的空间与浇口连通。
[0016] 还优选地，在第二部分的周向外表面的与本体外壳的内表面相向的一侧设置有沿 圆周方向延伸的突起部。
[0017] 或者，还优选地，封闭构件包括主部，所述主部的外表面与本体外壳的内表面相接 触，在主部设置有缺口部，所述缺口部的外表面与本体外壳的内表面间的距离在0. 2mm~ 1. 0_的范围内，封闭构件配置成使缺口部与浇口连通。
[0018] 还优选地，在本体外壳的一端设置有用于与封闭构件嵌合的嵌合部；所述嵌合部 构成为的与封闭构件嵌合的其内表面在与本体外壳的轴向相垂直的方向的截面形状小于 本体外壳的其他部分的截面形状，并且所述嵌合部形成呈与本体外壳的内部连通的中空结 构；浇口接近嵌合部而设置，中空结构的厚度在〇.2_~1.0mm的范围内。
[0019] 还优选地，本体外壳在本体外壳的一端设置有用于与封闭构件嵌合的嵌合部；嵌 合部的与封闭构件嵌合的内表面的截面形状小于本体外壳的其他部分的截面形状，并且所 述嵌合部形成与本体外壳的内部连通的中空结构；中空结构的厚度在0. 2mm~1. 0mm的范 围内；封闭构件包括与嵌合部的内表面相接触的主部以及外表面与中空结构的内侧的面构 成连续的面的突出部；浇口设置于与嵌合部相向的部分或者与本体外壳的突出部相向的部 分。
[0020] 基于本发明的电子设备具备：筒状的本体外壳，一端被封闭；电子部件，配置于被 本体外壳包围的位置；树脂部，被填充在本体外壳的内部，线膨胀系数在90X1(T 6/°C以上 且400X1(T6/°C以下。在本体外壳的另一端设置有突出部，所述突出部的内表面的截面形状 小于本体外壳的其他部分的截面形状，突出部形成与本体外壳的内部连通的中空结构；在 本体外壳设置有使本体外壳的内侧和外侧连通并用于填充树脂部的浇口；突出部的中空结 构将从浇口填充至中空结构的内部的树脂部的厚度限制在0. 2mm~1. 0mm的范围内。
[0021] 述电子设备的应用温度范围在-30°C~85°C的范围。
[0022] 发明效果
[0023] 根据本发明的电子设备，在使用利用线膨胀系数在90X 1(T6/°C (90ppm/°C )以上 的树脂（例如，热熔树脂）进行制作的情况下，即使在高温环境下（例如，50°C以上）使用， 也能防止由填充树脂的热膨胀引起的树脂从开放部（例如，填充口）溢出的现象的电子设 备。
【附图说明】
[0024] 图1是示出本实施方式的接近传感器的立体图。
[0025] 图2是示出本实施方式的接近传感器的分解状态的立体图。
[0026] 图3是沿图1中III -III线的箭头方向的剖视图。
[0027] 图4是沿图1中IV -IV线的箭头方向的剖视图。
[0028] 图5是将本实施方式的接近传感器所具有的检测部的附近扩大示出的剖视图。
[0029] 图6是示意性示出用于实现本实施方式的填充树脂限制面的薄膜浇口部件的立 体图。
[0030] 图7是沿图6中vn- vn线的箭头方向的剖视图。
[0031] 图8是示出利用本实施方式的薄膜浇口部件的树脂填充处理的示意图。
[0032] 图9A、9B是示出包括实施方式1的薄膜浇口部件及薄膜浇口部件的接近传感器的 示意图。
[0033] 图10A、10B是示出实施方式1的变形例1中薄膜烧口部件的示意图。
[0034] 图11A、11B是示出实施方式1的变形例2中薄膜烧口部件的示意图。
[0035] 图12是示出实施方式1的变形例3中薄膜浇口部件的示意图。
[0036] 图13A、13B是示出实施方式2的薄膜浇口部件及包括薄膜浇口部件的接近传感器 的示意图。
[0037] 图14A、14B是示出实施方式3的薄膜浇口部件及包括薄膜浇口部件的接近传感器 的示意图。
[0038] 图15A、15B是示出实施方式4的薄膜浇口部件包括及薄膜浇口部件的接近传感器 的示意图。
[0039] 图16A、16B是示出实施方式5的薄膜浇口部件及包括薄膜浇口部件的接近传感器 的示意图。
[0040] 图17是示出实施方式6的接近传感器的立体图。
[0041] 图18是示出实施方式6的薄膜浇口部件的示意图。
[0042] 图19A、19B是示出实施方式7的薄膜浇口部件及包括薄膜浇口部件的接近传感器 的示意图。
[0043] 图20A、20B是示出实施方式8的薄膜浇口部件的示意图。
[0044] 附图标记说明
[0045] 20线圈盒、30线圈线轴、36电磁线圈、37顶端、40磁芯、46线圈拉杆、50印刷电 路板、60,601(，601，6011基底金属件、61，62,82开口、63,6311内表面、70带环软线、71电缆、 72环构件、80,80M夹紧件、81填充口、102中心轴、120树脂部、210检测部、280线膨胀系 数、310, 310A，310G，310H，3101，310J 圆筒壳、320, 320A，320B，320C，320D，320E，320F，320G， 320H，3201，320J，320K 薄膜浇口部件、320L 中空结构、321，321A，3211 第一圆筒部、321K 角 筒部、322, 322G，322H，322J 第二圆筒部、323, 323A，323B，323C，323D，323E，323F，323K 薄膜 浇口部、323M，340勘合部、324, 326, 327两侧、325, 328沟槽部、329壁部、331限制板、332浇 口周边部、334缺口部、33