第二有效检测区区的多个第二检测像素。在方法中，可以相对于要成像的本体部分定位成像设备出02)。然后，可以将X射线束指向本体部分(604)。可以使用第一检测器阵列来获取第一图像信号(606)。可以使用第二检测器阵列来获取第二图像信号￠08)。可以使用第一和第二图像信号来计算第三图像￠10)。在计算第三图像时，可以使用现有技术中已知的算法对第一图像信号和第二图像信号进行插值。
[0061]在一些实施例中，X射线束可以被准直以提供第一光束部分和第二光束部分。第一光束部分可以具有第一剂量水平。第二光束部分可以具有小于第一剂量水平的第二剂量水平。这样，可以使用第一光束部分和第一检测器阵列来获取第一图像信号，并且可以使用第二光束部分和第二检测器阵列来获取第二图像信号。
[0062]已经描述了成像设备的示例性实施例。本领域技术人员应当理解，可以在本公开的精神和范围内做出各种修改。所有这些或其他变型和修改都被发明人考虑到并且在本公开的范围内。
【主权项】
1.一种X射线成像设备，包括: 闪烁体层，被配置成由X射线来生成光，所述闪烁体层包括第一表面和第二表面； 第一检测器，在所述第一表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光，所述第一检测器包括多个第一检测像素；以及 第二检测器，在所述第二表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光，所述第二检测器包括多个第二检测像素，其中所述第二检测器不同于所述第一检测器。2.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器包括TFT检测器阵列，所述TFT检测器阵列包括具有第一像素大小的所述多个第一检测像素，并且所述第二检测器包括CMOS传感器，所述CMOS传感器包括具有小于所述第一像素大小的第二像素大小的所述多个第二检测像素。3.根据权利要求2所述的X射线成像设备，其中所述第一像素大小是所述第二像素大小的整数倍。4.根据权利要求3所述的X射线成像设备，其中所述闪烁体层、所述第一检测器和所述第二检测器被布置成处于使得X射线在所述闪烁体层中传播之前穿过所述TFT检测器的配置。5.根据权利要求4所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器包括基板和所述TFT检测器阵列，并且所述第一检测器被布置成使得所述TFT检测器阵列在所述基板与所述闪烁体层之间。6.根据权利要求5所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述多个第二检测像素在所述闪烁体层与所述晶片之间。7.根据权利要求6所述的X射线成像设备，还包括布置在所述闪烁体层与所述CMOS传感器之间的光纤面板(F0FP)。8.根据权利要求6所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器的所述晶片在所述晶片的外围附近具有通孔以实现通过所述通孔到所述第二检测像素的电耦合。9.根据权利要求5所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述晶片在所述闪烁体层与所述多个第二检测像素之间，使得由所述第二检测像素检测的光穿过所述晶片。10.根据权利要求3所述的X射线成像设备，其中所述闪烁体层、所述第一检测器和所述第二检测器被布置成处于使得X射线在所述闪烁体层中传播之前穿过所述CMOS传感器的配置。11.根据权利要求10所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器包括基板和所述TFT检测器阵列，并且所述第一检测器被布置成使得TFT检测器阵列在所述闪烁体层与所述基板之间。12.根据权利要求11所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述多个第二检测像素在所述闪烁体层与所述晶片之间。13.根据权利要求12所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器的所述晶片在所述晶片的外围附近具有通孔以实现通过所述通孔到所述第二检测像素的电耦合。14.根据权利要求12所述的X射线成像设备，还包括在所述CMOS传感器与所述闪烁体层之间的另外的闪烁体层，所述另外的闪烁体层与所述闪烁体层接触，以在所述闪烁体层与所述第二检测器阵列的外围之间提供空间，使得电连接器能够与所述第二检测器阵列耦入口 ο15.根据权利要求12所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述晶片在所述闪烁体层与所述多个第二检测像素之间，使得由所述第二检测像素检测的光穿过所述晶片。16.根据权利要求10所述的X射线成像设备，还包括布置在所述闪烁体层与所述CMOS传感器之间的光纤面板(F0FP)。17.根据权利要求16所述的X射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述多个第二检测像素在所述光纤面板与所述晶片之间。18.根据权利要求3所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器具有由所述TFT检测器阵列的所述多个第一检测像素限定的第一有效检测区区，并且所述第二检测器具有由所述CMOS传感器的所述多个第二检测像素限定的第二有效检测区区，所述第二有效检测区区小于所述第一有效检测区区。19.根据权利要求18所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器的所述第一有效检测区区基本上覆盖所述闪烁体层的整个所述第一表面，并且所述第二检测器的所述第二有效检测区区覆盖所述闪烁体层的所述第二表面的部分。20.根据权利要求19所述的X射线成像设备，其中未由所述第二有效检测区区覆盖的所述闪烁体层的所述第二表面的至少部分涂覆有反射涂层。21.根据权利要求19所述的X射线成像设备，还包括至少覆盖未由所述第二有效检测区区覆盖的所述第二表面的部分的可拆卸反射器。22.根据权利要求19所述的X射线成像设备，其中未由所述第二有效检测区区覆盖的所述闪烁体层的所述第二表面的部分涂覆有光学涂层，所述光学涂层具有与所述CMOS传感器的反射率基本上相同的反射率。23.根据权利要求2所述的X射线成像设备，其中所述第二检测器包括并排平铺以形成矩形或正方形有效检测区区的两个或更多个CMOS传感器。24.根据权利要求23所述的X射线成像设备，其中所述矩形或正方形有效检测区区基本上覆盖所述闪烁体层的所述第二表面的整个宽度或侧部。25.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述第一检测像素具有第一像素大小，并且所述第二检测像素具有小于所述第一像素大小的第二像素大小。26.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器包括第一TFT检测器阵列，并且所述第二检测器包括第二 TFT检测器阵列。27.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述多个第一检测像素限定第一有效检测区区，并且所述多个第二检测像素限定小于所述第一有效检测区区的第二有效检测区区。28.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述多个第一检测像素具有第一灵敏度，并且所述多个第二检测像素具有大于所述第一灵敏度的第二灵敏度。29.根据权利要求1所述的X射线成像设备，其中所述第一检测器包括具有第一检测速度的多个第一检测像素，并且所述第二检测器包括具有大于所述第一速度的第二检测速度的多个第二检测像素。30.一种成像方法，包括: 相对于要成像的本体部分来定位成像设备，其中所述成像设备包括: 第一检测器阵列、第二检测器阵列以及在所述第一检测器阵列与所述第二检测器阵列之间的闪烁体层； 所述第一检测器阵列包括限定第一有效检测区区的多个第一检测像素，所述第二检测器阵列包括限定大于所述第一有效检测区区的第二有效检测区区的多个第二检测像素； 将X射线束指向所述本体部分； 使用所述第一检测器阵列来获取第一图像信号；以及 使用所述第二检测器阵列来获取第二图像信号。31.根据权利要求30所述的成像方法，其中所述X射线光束被准直以提供第一光束部分和第二光束部分，所述第一光束部分具有第一剂量水平并且所述第二光束部分具有小于所述第一剂量水平的第二剂量水平，并且所述第一图像信号使用所述第一光束部分来获取并且所述第二图像信号使用所述第二光束部分和所述第一光束部分来获取。32.根据权利要求30所述的成像方法，还包括使用所述第一图像信号和所述第二图像信号来计算第三图像的步骤。33.根据权利要求30所述的成像方法，其中计算所述第三信号的步骤包括对所述第一图像信号与所述第二图像信号进行插值的步骤。34.根据权利要求30所述的成像方法，其中所述第一检测器阵列是CMOS检测器阵列，并且所述第二检测器阵列是TFT检测器阵列。
【专利摘要】一种x射线成像设备包括：被配置成由x射线来生成光的闪烁体层、用以检测在闪烁体中生成的光的在闪烁体层的第一表面处的TFT检测器阵列、以及用以检测在闪烁体中生成的光的在闪烁体层的第二表面处的CMOS传感器。
【IPC分类】G01T1/20, G01T7/00, G01T1/16
【公开号】CN105324683
【申请号】CN201480036132
【发明人】R·韦斯菲尔德, R·科尔贝斯, I·莫洛维, A·甘谷利
【申请人】瓦里安医疗系统公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年3月28日
【公告号】DE112014003002T5, US20150003584, WO2014209453A1