一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构及其构建方法
【专利摘要】一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构及其构建方法，该结构是在信号过孔周围，放置接地过孔构成同轴过孔阵列，接地过孔与信号过孔的尺寸相同；每一个接地过孔到信号过孔的距离相等，位于以信号过孔为圆心的圆周上；每一接地过孔连接磁场探头的顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面；每一个接地过孔可以从直流到高频一直保持导通，从而可以实现宽频带的磁场探头阻抗匹配；通过调整接地过孔与信号过孔的距离以及接地过孔的个数来实现信号过孔带来的阻抗变化，从而保证了磁场探头阻抗连续。该构建方法，首先进行CST微波工作室中构建磁场探头模型，并仿真设计；然后进行计算；最后对每次仿真结束后观察TDR仿真结果，直至阻抗的仿真结果达到目标阻抗值。
【专利说明】一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构及其构建方法 【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种宽频带的微型近场磁场测试探头的阻抗补偿结构及其构建方法， 属于电磁泄漏和电磁场近场测试技术领域。 【【背景技术】】
[0002] 磁场探头内导体(信号线)通过信号过孔换层的时候，由于信号过孔的寄生效应， 会影响信号线的阻抗，进而影响了磁场探头在高频带的特性。因此需要对过孔位置处的阻 抗进行宽频带的阻抗补偿设计，解决因阻抗突变带来的信号完整性问题，提高近场磁场测 试探头的可用频带。 【
【发明内容】
】
[0003] 1.发明目的：
[0004] 近场扫描是解决电磁干扰和电磁兼容问题的一种重要手段。探头是近场扫描中的 关键部件。电磁场频谱的带宽很宽需要测试中的磁场探头满足宽频带测试的要求，保持磁 场探头在测试频带内阻抗恒定是实现宽频带测试要求的重要部分。保持磁场探头阻抗恒定 的关键在于在宽频带内保持磁场探头的信号线的阻抗恒定。一种宽频带的微型近场磁场测 试探头其频带为300kHz~20GHz，采用PCB印刷电路板工艺生产，金属背面支撑共面波导 (Conductor-backed coplanar waveguide，CB_CPW)中心导体和带状线为磁场探头的信号 线;CB-CPW中心导体和带状线通过信号过孔连接这使得阻抗发生突变，进而影响了近场磁 场测试探头在高频带的特性。为了解决上述阻抗变化问题，本发明公开了一种宽频带的微 型近场磁场测试探头阻抗补偿结构及其构建方法，目的是解决信号过孔带来的阻抗变化， 提高传输线的性能，延展电磁场探头的工作频带。
[0005] 2.技术方案：
[0006] 为了完成发明目的，本发明从分析信号过孔位置处的阻抗的角度出发，提出阻抗 补偿结构，补偿磁场探头在信号过孔的阻抗变化，进而实现宽频带内磁场探头的阻抗补偿。
[0007] 本发明一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，该阻抗补偿结构是以宽频带的 微型近场磁场测试探头为基础，该测试探头的结构为：
[0008] 它至少包括微型同轴连接器以及磁场探头本体；
[0009] 所述的微型同轴连接器为SMA接头，SMA接头型号为美国西南微波公司研制的超级 SMA(Super SMA)连接器，具体型号为292-04A-6;
[0010] 所述的磁场探头本体的设计和制作是基于印刷电路板(Printed Circuit Board， PCB)工艺的四层电路板;所述的磁场探头本体包括顶层屏蔽平面、底层屏蔽平面、中间1层、 中间2层的带状线、信号过孔、短路孔、信号过孔周围的同轴过孔阵列、CB-CPW中心导体以及 CB-CPW中心导体两侧的栅栏式过孔阵列；
[0011] 所述的磁场探头本体，呈凸字型结构，突出的一端为顶端，另一端为底端;顶端主 要用于磁场信号检测，底端主要用于手持和SMA接头的安装，凸字型结构可以在方便固定、 安装SMA接头的前提下减小探头本体的尺寸；
[0012] 所述的顶层平面在顶端开"凸"字型的缝隙，底端开长方形缝隙；"凸"字型缝隙防 止顶层屏蔽平面对磁场信号的屏蔽，长方形缝隙防止所述的CB-CPW中心导体在顶层布线时 与顶层屏蔽平面连接；
[0013] 所述的底层屏蔽平面顶端开有与顶层平面顶端相同尺寸的"凸"字型的缝隙，防止 底层屏蔽平面对磁场信号的屏蔽，磁场探头底端不作任何开缝；
[0014] "凸"字型缝隙的大小决定了探头的灵敏度和空间分辨率；
[0015] 所述的中间2层的带状线呈"L"型，一端通过所述的短路过孔与顶层屏蔽平面和底 层屏蔽平面在"凸"字型缝隙处连接，所述的带状线与顶层"凸"字型缝隙和底层"凸"字型缝 隙构成内部环，以接收外界的磁场信号；内部环被所述的顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面包 裹，可以有效抑制电场信号的耦合，减少内部环接收的电场信号，提高探头对磁场信号的灵 敏度；
[0016] 所述的CB-CPW中心导体位于顶层屏蔽平面开的长方形缝隙内，所述的顶层屏蔽平 面作为CB-CPW的地平面，所述的中间1层作为CB-CPW的金属背面;所述的CB-CPW中心导体作 为馈电线，一端与SMA接头连接，另一端通过信号过孔与带状线的另一端连接;所述的CB-CPW中心导体两侧对称分布的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，构成栅栏式过 孔阵列，抑制磁场探头的谐振；
[0017] 所述的信号过孔周围的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，每一个接地 过孔到信号过孔的距离相等为0.9~1.3mm，构成同轴过孔阵列，实现探头宽频带的阻抗匹 配；
[0018] 所述的CB-CPW中心导体的长度5~8mm;所述的信号过孔直径为0.2mm~0.3mm，信 号过孔到所述的磁场探头两侧边缘的水平距离相等。
[0019] 所述的接地过孔直径为〇 ? 2mm~0 ? 3mm;
[0020] 所述的短路孔直径为0.2mm~0.3mm;
[0021] 所述的宽频带是300kHz~20GHz。
[0022] 所述的微型是探头的尺寸为0 50mm X 10mm~C> 90mm X 20mm。
[0023] 下面将本发明一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，详述如下：
[0024] 本发明一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，该结构是在信号过孔周围，放 置接地过孔构成同轴过孔阵列，接地过孔与信号过孔的尺寸相同；每一个接地过孔到信号 过孔的距离相等，位于以信号过孔为圆心的圆周上;每一接地过孔连接磁场探头的顶层屏 蔽平面和底层屏蔽平面;每一个接地过孔可以从直流到高频一直保持导通，从而可以实现 宽频带的磁场探头阻抗匹配;通过调整接地过孔与信号过孔的距离以及接地过孔的个数来 实现信号过孔带来的阻抗变化，从而保证了磁场探头阻抗连续。
[0025] 将1个接地过孔和信号过孔称为一对通孔，如果在信号过孔周围放置4个接地过 孔，一共就有4对通孔;如果在信号过孔周围放置6个接地过孔，一共就有6对通孔。接地过孔 连接着磁场探头顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，在实际测试过程中，顶层屏蔽平面和底层 屏蔽平面都与外接电源地相连，因此接地过孔携带电荷，这样接地过孔就和信号过孔形成 电容。电容的大小跟接地过孔和型号过孔的物理尺寸和介质的介电常数有关。接地过孔和 信号过孔的尺寸相同，这样一对通孔可以看作作平行双线，根据微波理论，一对通孔电容的 计算可由下式计算：
[0027] 其中，e为介质的介电常数，D为接地过孔到信号过孔距离，a为接地过孔和信号过 孔的半径。
[0028] 接地过孔为信号提供电流返回路径，这样接地过孔和信号过孔之间形成电感回 路，一对通孔电感的计算可由下式计算：
[0030]其中，y为介质的磁导率。
[0031] 一对通孔之间的特性阻抗为：
[0032]相比于平行双线，同轴过孔阵列周围的接地过孔均匀分布在信号过孔周围，接地 过孔会均匀分布电荷，同轴过孔阵列的电容与平行双线基本相同，但是N(N为接地过孔的个 数)个接地过孔与信号过孔形成N对并联电感回路，同轴过孔阵列的电感为式(2)中的1/N， 因此同轴过孔阵列的特性阻抗为：
(4)
[0034] 同轴过孔阵列的阻抗可以表示信号过孔位置处的阻抗，因此可以调整接地过孔的 尺寸和个数达到阻抗匹配。
[0035] 本发明一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构的构建方法，包括以下步骤： [0036]步骤一：结合图1和图2在CST微波工作室中构建磁场探头模型；对CST微波工作室 进行仿真设计，包括仿真算法设置、仿真背景设置、仿真边界条件设置、仿真频率设置、勾选 TDR仿真设置；
[0037]步骤二:根据磁场探头本身的特点设定接地过孔个数为6个，接地过孔的半径采用 机械钻孔最小的半径〇 . 125mm，由待补偿的50 Q目标阻抗，根据公式(4)计算出接地过孔与 信号过孔的距离为0.9mm;
[0038] 步骤三:按照步骤二计算结果在信号过孔5周围放置6个接地过孔1，接地过孔1到 信号过孔5的距离为0.9mm，
[0039]步骤四：每次仿真结束后观察TDR仿真结果，若发现信号过孔位位置处阻抗下凹 (容性)可增大接地过孔到信号过孔的距离，若发现信号过孔位置处阻抗上凸（感性），可减 小接地过孔到信号过孔的距离；多次调整调整信号过孔周围的接地过孔的个数、接地过孔 与信号过孔的距离，直至阻抗的仿真结果达到目标阻抗值。
[0040] 本发明的有益效果是：
[0041] (1)提出了接地短路孔和信号过孔构成的同轴过孔阵列实现了宽频带的阻抗补 偿。
[0042] (2)由于信号过孔引入的阻抗变化有可能是容性变化(阻抗变小），也有可能是感 性变化(变大），同时由于电路板结构的限制，比如在距离信号过孔比较近的距离范围内，有 其它的传输线或者电路元件，因此单调地调节接地短路孔的半径和接地短路孔到信号过孔 的中心间距的方法便受到了限制，而基于同轴过孔阵列的阻抗补偿将接地短路孔的个数也 作为一个调节阻抗的因素，成功地解决了上述的限制。
[0043] (3)基于同轴过孔阵列的补偿其结构简单，易实现宽频带的补偿，工程人员容易掌 握和应用，仅仅增加了几个接地短路孔，因此其加工设计成本低，容易应用和生产。 【【附图说明】】
[0044] 图1为宽频带近场磁场探头本体三维结构展开图。
[0045] 图2(a)为宽频带近场磁场探头顶层的俯视图。
[0046] 图2(b)为宽频带近场磁场探头中间1层的俯视图。
[0047] 图2(c)为宽频带近场磁场探头中间2层的俯视图。
[0048] 图2(d)为宽频带近场磁场探头底层的俯视图。
[0049] 图3为磁场探头本体底端包含同轴过孔阵列的局部俯视图。
[0050] 图4为磁场探头本体经过同轴过孔阵列阻抗补偿的仿真和测试图。
[0051 ]图5为磁场探头阻抗补偿结构的构建方法流程图。
[0052] 附图标记说明：
[0053] 1-接地过孔，21-栅栏式过孔阵列，22-同轴过孔阵列，23-短路过孔，
[0054] 31-磁场探头顶层屏蔽平面，32-磁场探头中间1层，33-磁场探头带状线，
[0055] 34-磁场探头底层屏蔽平面，35-磁场探头CB-CPW中心导体，
[0056] 36-顶层长方形缝隙，41-顶层"凸"字型缝隙，42-底层"凸"字型缝隙，
[0057] 5-信号过孔。 【【具体实施方式】】
[0058] 结合附图，将进一步阐明磁场探头的阻抗补偿结构及其构建方法，提供仿真设计 思路和过程，仿真和测试结果。
[0059] 本发明一种宽频带近场磁场探头的结构，该阻抗补偿结构是以宽频带近场磁场探 头为基础，为了更好的说明本发明的阻抗补偿结构，图1、图2(a) - (d)展示了本发明中该磁 场探头本体的结构图。
[0060] (1)磁场探头阻抗补偿结构
[0061] 如图3所示，位于顶层的磁场探头CB-CPW中心导体35通过信号过孔5实现了与磁场 探头带状线33的连接，信号流的流向随之发生换层。在信号过孔5周围放置接地过孔1，接地 过孔1连接磁场探头顶层屏蔽平面31和磁场探头底层屏蔽平面34。在高频情况下，接地过孔 可以等效为L、C电路模型，在信号过孔5周围增加接地短路孔1，信号过孔5与所有的接地过 孔1构成了同轴过孔阵列22,接地过孔1改变了信号过孔5的分布参数。
[0062] 放置接地过孔1的个数N为6,接地过孔1的半径a为0.125111111，介质为1?(^6^43508， 介电常数为e为3.66;设置接地过孔1与信号过孔5的距离D为0.9mm，这样根据公式(2)理论 计算可得，此时同轴过孔阵列的特性阻抗为50 在N与a确定的前提下适当调整D的大小， 最终在磁场探头阻抗补偿结构中，同轴过孔阵列的D为1.0_。
[0063]测试采用安捷伦E5071C 300kHz~20GHz的矢量网络分析仪模块中的时域反射仪 (Time-Domain Ref lector，TDR)功能模块，上升时间为43.8Ps。特性阻抗CST仿真和测试结 果对比如图4所示。图2(a) - (d)横坐标的长度对应了 SMA接头和磁场探头本体的总长度，顺 序从SMA接头到磁场探头底端，到磁场探头顶端。磁场探头顶端的内部环是短路的，因此在 磁场探头顶端(对应图4横坐标大约94mm)处特性阻抗迅速减小。
[0064] (2)磁场探头补偿结构构建方法
[0065] 图5为磁场探头阻抗补偿结构的构建方法流程图，下面将详细阐述磁场探头阻抗 补偿结构的构建方法步骤。
[0066] 步骤一:结合图1和图2 (a) - (d)在CST微波工作室中构建磁场探头的CST仿真模型 (不包含同轴过孔阵列）；设置CST微波工作室的算法为时域算法；设置边界条件为电壁 (Electric)，电壁边界条件有着使得仿真有着良好的收敛性;虽然所设计的磁场探头下限 频率为300kHz，但是仿真是设计下限频率为0GHz可以加速仿真的进程，因此设置仿真频率 为0~20GHz;设置仿真背景为"Normal"，含义为背景设置为真空，这与实际环境中的空气比 较类似;在CST仿真设置中，勾选"TDR Analysis"。
[0067] 步骤二:根据磁场探头本身结构的特点，放置6个接地过孔1;为了加工简单，将构 成同轴过孔阵列的接地过孔1的半径采用和其他过孔相同的尺寸，设置接地过孔1的半径为 0.125mm;根据公式(4)计算可得接地过孔1与信号过孔5的距离大约为0.9mm;
[0068] 步骤三:按照步骤二计算结果在信号过孔5周围放置6个接地过孔1，接地过孔1到 信号过孔5的距离为0.9mm，这样6个接地过孔1近似均匀分布在以信号过孔5为圆心，0.9_ 为半径的圆周上；
[0069]步骤四：仿真结束后观察TDR仿真结果，若发现信号过孔位5位置处阻抗下凹（容 性)可增大D，若发现信号过孔5位置处阻抗上凸（感性），可减小D，多次调整直至满足阻抗匹 配;在本发明中，根据公式计算的D，仿真结果显示信号过孔位置5处的阻抗下凹，因此增大 了D，经过多次优化，最终D的值设为1.0_。
[0070]需要指出的是，本发明公开的技术手段、设计方法不仅限于本发明，同时也适用于 结合本发明设计思想、方法、技术手段以及本发明所述的技术特征所衍生出的其他方案，例 如在高速PCB板设计中对重要信号线的过孔阻抗补偿，因此这些所衍生出的其他方案都应 视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于:该阻抗补偿结构是在信号 过孔周围，放置接地过孔构成同轴过孔阵列，接地过孔与信号过孔的尺寸相同；每一个接地 过孔到信号过孔的距离相等，位于以信号过孔为圆心的圆周上;每一接地过孔连接磁场探 头的顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面;每一个接地过孔从直流到高频一直保持导通，实现宽 频带的磁场探头阻抗匹配;通过调整接地过孔与信号过孔的距离以及接地过孔的个数来实 现信号过孔带来的阻抗变化，从而保证了磁场探头阻抗连续。2. 根据权利要求1所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于：1个 接地过孔和信号过孔为一对通孔。3. 根据权利要求1所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于:所述 接地过孔连接着磁场探头顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面;顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面都 与外接电源地相连，接地过孔就和信号过孔形成电容；一对通孔电容的计算由下式计算：其中，ε为介质的介电常数，D为接地过孔到信号过孔距离，a为接地过孔和信号过孔的 半径。4. 根据权利要求1或2或3所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在 于:接地过孔为信号提供电流返回路径，接地过孔和信号过孔之间形成电感回路，一对通孔 电感的计算由下式#胃· (.2) 其中，μ为介质的磁导率。5. 根据权利要求4所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于:一对 通孔之间的特性阻抗为 (3)。6. 根据权利要求1所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于：同轴 过孔阵列周围的接地过孔均匀分布在信号过孔周围，接地过孔会均匀分布电荷，同轴过孔 阵列的电容与平行双线相同，但是个接地过孔与信号过孔形成N对并联电感回路，同轴过孔 阵列的电感为式（W由的I /N.田此同鈾忖孔陈列的特性阻抗为：(4) 其中，N为接地过孔的个数； 同轴过孔阵列的阻抗表示信号过孔位置处的阻抗，因此调整接地过孔的尺寸和个数达 到阻抗匹配。7. 根据权利要求1所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构，其特征在于:该测 试探头的结构至少包括微型同轴连接器以及磁场探头本体； 所述的微型同轴连接器为SM接头； 所述的磁场探头本体的设计和制作是基于印刷电路板PCB工艺的四层电路板;所述的 磁场探头本体包括顶层屏蔽平面、底层屏蔽平面、中间1层、中间2层的带状线、信号过孔、短 路孔、信号过孔周围的同轴过孔阵列、CB-CPW中心导体以及CB-CPW中心导体两侧的栅栏式 过孔阵列； 所述的磁场探头本体，呈凸字型结构，突出的一端为顶端，另一端为底端;顶端用于磁 场信号检测，底端用于手持和SM接头的安装； 所述的顶层平面在顶端开凸字型的缝隙，底端开长方形缝隙；凸字型缝隙防止顶层屏 蔽平面对磁场信号的屏蔽，长方形缝隙防止所述的CB-CPW中心导体在顶层布线时与顶层屏 蔽平面连接； 所述的底层屏蔽平面顶端开有与顶层平面顶端相同尺寸的凸字型的缝隙，防止底层屏 蔽平面对磁场信号的屏蔽，磁场探头底端不作任何开缝； 凸字型缝隙的大小决定了探头的灵敏度和空间分辨率； 所述的中间2层的带状线呈L型，一端通过所述的短路过孔与顶层屏蔽平面和底层屏蔽 平面在凸字型缝隙处连接，所述的带状线与顶层凸字型缝隙和底层凸字型缝隙构成内部 环，以接收外界的磁场信号；内部环被所述的顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面包裹； 所述的CB-CPW中心导体位于顶层屏蔽平面开的长方形缝隙内，所述的顶层屏蔽平面作 为CB-CPW的地平面，所述的中间1层作为CB-CPW的金属背面;所述的CB-CPW中心导体作为馈 电线，一端与SMA接头连接，另一端通过信号过孔与带状线的另一端连接;所述的CB-CPW中 心导体两侧对称分布的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，构成栅栏式过孔阵 列，抑制磁场探头的谐振； 所述的信号过孔周围的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，每一个接地过孔 至帽号过孔的距离相等为0.9~1.3mm，构成同轴过孔阵列，实现探头宽频带的阻抗匹配； 所述的CB-CPW中心导体的长度5~8mm;所述的信号过孔直径为0.2mm~0.3mm，信号过 孔到所述的磁场探头两侧边缘的水平距离相等。8. -种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构的构建方法，其特征在于:包括以下步骤： 步骤一:在CST微波工作室中构建磁场探头模型;对CST微波工作室进行仿真设计，包括 仿真算法设置、仿真背景设置、仿真边界条件设置、仿真频率设置及勾选TDR仿真设置； 步骤二:根据磁场探头本身的特点设定接地过孔个数为6个，接地过孔的半径采用机械 钻孔最小的半径〇. 125mm，待补偿的50 Ω目标阻抗，根据公式(4)计算出接地过孔与信号过 孔的距离为0.9mm; 步骤三:按照步骤二计算结果在信号过孔周围放置6个接地过孔，接地过孔到信号过孔 的距离为〇.9mm， 步骤四：每次仿真结束后观察TDR仿真结果，若发现信号过孔位位置处阻抗下凹，则增 大接地过孔到信号过孔的距离，若发现信号过孔位置处阻抗上凸，则减小接地过孔到信号 过孔的距离;多次调整调整信号过孔周围的接地过孔的个数、接地过孔与信号过孔的距离， 直至阻抗的仿真结果达到目标阻抗值。9. 根据权利要求8所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构的构建方法，其特 征在于:在步骤一中，仿真算法为时域算法;仿真背景为Normal，含义为真空;仿真边界条件 为电壁、仿真频率为0~20GHz;勾选TDR Analysis。10. 根据权利要求8所述的一种宽频带近场磁场探头的阻抗补偿结构的构建方法，其特 征在于:该测试探头的结构至少包括微型同轴连接器以及磁场探头本体； 所述的微型同轴连接器为SM接头； 所述的磁场探头本体的设计和制作是基于印刷电路板PCB工艺的四层电路板;所述的 磁场探头本体包括顶层屏蔽平面、底层屏蔽平面、中间1层、中间2层的带状线、信号过孔、短 路孔、信号过孔周围的同轴过孔阵列、CB-CPW中心导体以及CB-CPW中心导体两侧的栅栏式 过孔阵列； 所述的磁场探头本体，呈凸字型结构，突出的一端为顶端，另一端为底端;顶端用于磁 场信号检测，底端用于手持和SM接头的安装； 所述的顶层平面在顶端开凸字型的缝隙，底端开长方形缝隙；凸字型缝隙防止顶层屏 蔽平面对磁场信号的屏蔽，长方形缝隙防止所述的CB-CPW中心导体在顶层布线时与顶层屏 蔽平面连接； 所述的底层屏蔽平面顶端开有与顶层平面顶端相同尺寸的凸字型的缝隙，防止底层屏 蔽平面对磁场信号的屏蔽，磁场探头底端不作任何开缝； 凸字型缝隙的大小决定了探头的灵敏度和空间分辨率； 所述的中间2层的带状线呈L型，一端通过所述的短路过孔与顶层屏蔽平面和底层屏蔽 平面在凸字型缝隙处连接，所述的带状线与顶层凸字型缝隙和底层凸字型缝隙构成内部 环，以接收外界的磁场信号；内部环被所述的顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面包裹； 所述的CB-CPW中心导体位于顶层屏蔽平面开的长方形缝隙内，所述的顶层屏蔽平面作 为CB-CPW的地平面，所述的中间1层作为CB-CPW的金属背面;所述的CB-CPW中心导体作为馈 电线，一端与SMA接头连接，另一端通过信号过孔与带状线的另一端连接;所述的CB-CPW中 心导体两侧对称分布的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，构成栅栏式过孔阵 列，抑制磁场探头的谐振； 所述的信号过孔周围的接地过孔连接顶层屏蔽平面和底层屏蔽平面，每一个接地过孔 至帽号过孔的距离相等为0.9~1.3mm，构成同轴过孔阵列，实现探头宽频带的阻抗匹配； 所述的CB-CPW中心导体的长度5~8mm;所述的信号过孔直径为0.2mm~0.3mm，信号过 孔到所述的磁场探头两侧边缘的水平距离相等。
【文档编号】G01R33/02GK105891740SQ201610216818
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月8日
【发明人】阎照文, 王健伟, 张伟, 苏东林
【申请人】北京航空航天大学