一种变压器铁芯空载试验装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电器设备领域，具体涉及一种变压器铁芯空载试验装置。
【背景技术】
[0002]变压器空载试验是变压器的例行试验，主要包括空载损耗和空载电流的测量。空载试验一般从电压较低的绕组施加额定电压、额定频率的正弦波，其他绕组开路。在此条件下测量变压器损耗和励磁电流。空载损耗意味着变压器寿命内的能量损失。因而进行空载试验的主要目的是精确测量变压器的空载损耗，以保证其不超过标准或合同要求的限值，同时，通过空载试验，可以检验变压器磁路上是否存在缺陷。
[0003]由于变压器空载损耗的超标在返工方面存在较大的麻烦，所以能在制造工序的早期发现空载损耗是否超标，显得尤为重要。当前大部分工厂都在变压器铁芯叠制完成后对变压器的铁芯进行空载试验，以检验空载损耗是否符合设计标准及合同要求的限值。
[0004]要做变压器铁芯空载试验，则必须绕制其临时低压线圈，当前绝大多数都是在做试验时用绝缘漆包线缠绕铁芯柱，制作出符合试验的临时线圈。这样做不仅费时、费力，而且很容易把线圈的匝数及绕向弄错，不利于高效完成试验任务。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于克服上述现有技术中存在的缺点，提供一种变压器铁芯空载试验装置，解决变压器铁心空载试验时绕制低压线圈的问题，能够不用重复绕制低压临时线圈的简易线圈工装。
[0006]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0007]包括多孔插线头以及多孔插线座，多孔插线头和多孔插线座之间通过若干相互绝缘的连接线连接，连接线的两端设置有用于与变压器相连接的外接引线。
[0008]所述连接线为铜质漆包线。
[0009]每根连接线的两端连接于多孔插线头和多孔插线座的同一位置。
[0010]所述多孔插线头和多孔插线座为圆形结构。
[0011]本实用新型具有以下的有益效果:
[0012]与现有技术相比，本实用新型由于采用了相互连接的多孔插线头和多孔插线座代替绕过铁芯柱的绕线，在进行空载损耗时，减去了繁琐的一圈一圈的绕过铁芯柱，保障的绕向的正确性和每个铁芯的低压匝数相同，方法简单，大大的提高了效率，减少了人为的出错率，保障了铁芯空载试验数据的准确和有效性。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型变压器铁芯空载试验装置结构示意图。
[0014]图中:1.连接线；2.多孔插线头；3.多孔插线座；4.第一外接引线；5.第二外接引线。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图，对本实用新型作进一步详细说明。
[0016]参见图1，本实用新型包括多孔插线头2以及多孔插线座3，多孔插线头2和多孔插线座3为圆形结构，多孔插线头2和多孔插线座3之间通过若干相互绝缘的连接线I连接，连接线的两端设置有用于与变压器相连接的外接引线，其中，多孔插线头2端为第二外接引线5，多孔插线座3端为第一外接引线4，连接线I为铜质漆包线，每根连接线I的两端连接于多孔插线头2和多孔插线座3的同一位置。
[0017]操作方法:
[0018]本实用新型中，当对一台变压器铁芯进行空载试验时，3个同样的此工装按照同方向绕过铁芯柱，然后插线头对准插入插线座，根据变压器的连接组别对外界引线做出正确的接线方式；通电测量铁芯空载损耗。
[0019]与现有技术相比，本实用新型技术在做空载损耗时，减去了繁琐的一圈一圈的绕过铁芯柱，保障的绕向的正确性和每个铁芯的低压匝数相同，方法简单，大大的提高了效率，减少了人为的出错率，保障了铁芯空载试验数据的准确和有效性。
【主权项】
1.一种变压器铁芯空载试验装置，其特征在于:包括多孔插线头(2)以及多孔插线座(3)，多孔插线头(2)和多孔插线座(3)之间通过若干相互绝缘的连接线⑴连接，连接线的两端设置有用于与变压器相连接的外接引线。
2.根据权利要求1所述的一种变压器铁芯空载试验装置，其特征在于:所述连接线(I)为铜质漆包线。
3.根据权利要求1所述的一种变压器铁芯空载试验装置，其特征在于:每根连接线(I)的两端连接于多孔插线头(2)和多孔插线座(3)的同一位置。
4.根据权利要求1所述的一种变压器铁芯空载试验装置，其特征在于:所述多孔插线头(2)和多孔插线座(3)为圆形结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种变压器铁芯空载试验装置，包括多孔插线头以及多孔插线座，多孔插线头和多孔插线座之间通过若干相互绝缘的连接线连接，连接线的两端设置有与变压器相连接的外接引线；本实用新型技术在做空载损耗时，减去了繁琐的一圈一圈的绕过铁芯柱，保障的绕向的正确性和每个铁芯的低压匝数相同，方法简单，大大的提高了效率，减少了人为的出错率，保障了铁芯空载试验数据的准确和有效性。
【IPC分类】G01R31-00
【公开号】CN204287346
【申请号】CN201420759079
【发明人】刘俊飞, 刘延
【申请人】中国西电电气股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月4日