一种自启动基准电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明主要涉及基准电路的设计领域，特指一种自启动基准电路。
【背景技术】
[0002] 对于模拟集成电路，其性能的好坏取决于很多因素，基准电压、基准电流的稳定性 也是其中一个很重要的因素。基准电压、基准电流的电路形式很多，各有优缺点，自举基准 是其中一种电路形式，它是通过有源器件上的电压产生电流，并用该电路作为该有源器件 的电流，如此可以得到与电源电压无关的基准电压和基准电流。但是诸如自举基准这种与 电源无关的偏置电路有一个很重要的问题，即"简并"偏置点的存在，这是其自身电路特点 决定的，即上电时所有晶体管传输的电流均为零，且电路可以一种保持这种状态。偏置电路 的这种特性使得电路很可能失效，这就需要一个启动电路，该电路的目的就是在偏置电路 上电时将其从"零电流"模式引导至正常工作模式。
【发明内容】
[0003] 本发明要解决的问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，提出一种自启动基 准电路。
[0004] 本发明提出的解决方案为：本发明是一种含自启动的基准电路，通常基准电路存 在的"简并"偏置点问题，即上电时所有晶体管传输的电流均为零的问题，自启动电路可以 将偏置电路从上电时的"零电流"模式引导至正常工作模式，且该启动电路结构简单，消耗 的电流极低，即实现了一种低功耗自启动基准电路。
【附图说明】
[0005] 图1是本发明的电路原理示意图。
【具体实施方式】
[0006] 以下将结合附图和具体实施对本发明做进一步详细说明。
[0007] 如图1所示，自举基准电路中的PMOS管凡和M7的尺寸相同，PMOS管M 8、M9、M1Q的 尺寸相同，假设M8、M 9、M1(I漏电流I DS分别为I :、12和I 3,则电流11= I 2= I 3，且此电流值取 决于MOS管的阈值电压和电阻&阻值以及MOS管工艺参数；即
【主权项】
1. 一种自启动基准电路，其特征在于： 电路由启动电路和自举基准组成；启动电路由PMOS管Ml、PMOS管M2、NMOS管Ms、NMOS 管M4、NMOS管Ms组成，其中PMOS管M 1、M2的栅极接地，PMOS管M 1源极接电源VDD，漏极接 PMOS管M2的源极，PMOS管M 2漏极接NMOS管M 3漏极W及NMOS管M 4、Ms的栅极，NMOS管M 3、 M4、M前源极接地；NMOS管M 4的漏极连接到PMOS管M e的栅极、漏极W及PMOS管M 8的源极； NMOS管Ms的漏极连接到PMOS管M 1。的栅极、漏极W及PMOS管M 8、M9的栅极W及NMOS管M 12 的漏极；PMOS管的Ms漏极连接到电阻R。的一端，R。的另一端接地；PMOS管M g源极连接到 的漏极，M g的漏极连接到NMOS管M U的漏极、栅极W及NMOS管M i2、Ms的栅极，NMOS管M 11 和的源极接地，PMOS管M e、M,、Ml。的源极接电源VDD。
【专利摘要】本发明公开了一种自启动基准电路。基准电路是模拟电路常用的模块，本发明是一种含自启动的基准电路，通常基准电路存在的“简并”偏置点问题，即上电时所有晶体管传输的电流均为零的问题，自启动电路可以将偏置电路从上电时的“零电流”模式引导至正常工作模式，且该启动电路结构简单，消耗的电流极低，即实现了一种低功耗自启动基准电路。
【IPC分类】G05F1-56
【公开号】CN104536504
【申请号】CN201410766853
【发明人】蒋仁杰
【申请人】长沙景嘉微电子股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月12日