专利名称：执行基于模型的光刻校正的方法
技术领域：
本发明通常涉及光刻法的领域，并且更具体地说，涉及一种强化用于长程计算的设计数据结构(design data hierarchy)的方法，而无论研究区(Region Of Interest)(ROI)的尺寸，以用于基于模型的光刻法模拟和光临近校正(OPC)。
背景技术：
在半导体器件的制作中的光微刻方法，也称为光刻法，包含将所需电路图案复制到半导体晶片上作为总体所需的设计数据结构。所需电路图案通常被表示为被称作光掩模的模板上的不透明和完全或半透明区。在光刻法中，光掩模模板上的图案通过曝光系统的光学成象方式投射在涂有光致抗蚀剂的晶片上。
计算由光学投射系统所产生的图像的空间象模拟器，已经证明是一种分析并改进集成电路制作的光刻法的技术水平的有用工具。这种模拟已经在具有许多级的结构的先进掩模设计，例如相移掩模(PSM)设计和用于掩模设计的光临近校正(OPC)等中找到应用。模型化空间象为半导体制造的关键部分。由于目前光刻工具采用部分相干照明，这种模型化除基本图案之外都是高强度的计算。由掩模所产生的空间象，即光学投射系统的象平面中的光强度，是微刻法中控制所产生的光致抗蚀剂结构复制掩模设计好坏程度的非常重要的量。
但是，目前与半导体芯片制造的光刻法相联系的光临近校正模拟核没有考虑更高阶像差，这种像差的结果可在长程效应中看到，尽管不象1-2微米的近程那样显著。随着技术水平朝更小光波长前进，例如193nm和157nm以及超紫外(EUV)13nm；并且随着器件尺寸对被用于印刷他们至晶片上的光的波长的比率变得相当更小，长程效应，例如闪光(flare)变得显著，使得不可避免地考虑更高阶像差。
闪光通常被定义成在光刻法中位于应该为暗的位置处的不需要的光。在闪光效应恒定的情况下，定量的位移完全补偿它的效应；但是，在闪光效应不恒定的情况下，闪光效应的任何不可接受的变化可以减弱电路性能，并最终导致灾难性故障。因此，有必要确定并补偿任何闪光效应。
所设计掩模形状的结构表示是现有技术中被用于存储类似掩模形状的常规方法。在现有技术中，掩模可包含百万数量级的形状，各形状分别表示超大规模集成(VLSI)电路上的某器件。但是，单独表示各形状对用于这种掩模形状上的计算算法造成巨大的挑战。通常发现许多这种掩模的形状彼此等价，并且他们的相邻形状也彼此等价。掩模的结构表示在形状组和它们的邻居中识别这种等同。包含基本多边形掩模形状的组可进一步在结构中重组。通过这种方式，对整个掩模而言仅一些基本形状和它们的组需要被存储，这将导致用于上述计算算法的存储和运行时间方面的巨大节省。
但是，当掩模设计需要考虑例如光学或化学闪光之类的极长程效应时，互作用范围变得非常大，因此需要重组的形状的邻居变得非常大。在这种大相互作用的情况下，现有技术在等价形状和它们的小紧邻邻居中确定结构是行不通的。
在复制所需电路图案至晶片上的过程中，最好保持所需设计数据结构，该结构通常由几个结构级组成。但是，半导体晶片处理常常灾难性破坏设计数据结构，例如那些包含长程效应的情况，其中大研究区(ROI)被暴露至这种半导体处理步骤。
举例说来，长程闪光效应通常在初始单元层跨越ROI而发生，初始单元层即结构设计的最高级，即使对那些达到接近全晶片尺寸的10mm的ROI而言。如果不考虑，这些长程闪光效应最终通过侵蚀(erosion)破坏设计数据结构。此外，在设计结构内围绕给定特征的ROI越大，该特征将被侵蚀变平(flatten)的越快。
举例说来，在计算设计结构内的任何给定级的密度图的步骤中，任何所产生的闪光效应将导致设计数据结构的变平或破坏。这会作为在结构级的一侧上的闪光级图案不同于在该结构级的相反侧上的闪光级图案的结果而发生。处理这种不同结构级的对象之间的交互作用的常规方法通常是移动这些对象至它们的共同祖先(common ancestor)。因此，例如，对于在初始单元级处存在的闪光图的闪光计算，未在该初始单元级上的所有特征必须被移动至初始单元，这导致输出设计变得完全扁平。因此，在没有特殊处理的情况下，包含例如闪光的长程效应的半导体处理步骤可使得所需设计结构不可获得。
不幸地，现有技术由于缺乏强化长程计算的所需设计数据结构的解决方案而受阻遏。此外，因为必须确定并补偿任何闪光效应，所需设计数据结构的变平阻止将计算应用到校正任何闪光效应。
因此，本发明通过提供一种用于基于模型的光刻法模拟中的、与ROI尺寸无关的、用于强化长程计算的设计数据结构的方法，克服现有技术中的上述问题和缺点。
发明内容
记住现有技术的问题和不足，因此本发明的一个目的是提供一种用于光刻法中的、强化与研究区(ROI)尺寸无关的长程计算的设计数据结构的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种有效地、容易地和成本有效地保持与ROI的尺寸无关的所需设计数据结构的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种当所需设计数据结构被破坏时有效地、容易地和成本有效地重建设计数据结构的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种避免所需设计数据结构的变平以使闪光计算可被应用于基于模型的模拟的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种节省处理时间和存储器的强化设计数据结构的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种需要较小磁盘存储器存储重建设计结构的结果的强化设计数据结构的基于模型的方法。
本发明的另一目的是提供一种在基于模型的光刻法引擎和计算中提供稳定性的强化设计数据结构的基于模型的方法。
从说明书将部分地可理解或可见本发明的其它目的和优点。
本领域的技术人员将会理解的上述和其它目的在本发明中得以实现，本发明的第一方面涉及执行基于模型的光刻校正。该方法包括提供具有多个有限几何形状的所需设计数据结构的一种单元阵列布局，可选地为qausi-image，随后将该单元阵列设计分成多个单元。然后基于对应于多个有限几何形状与多个单元之间的交互作用的密度图产生交互作用图。该交互作用图被截断以产生截断单元图，截断单元图随后被用于将基本上相同出现的被选择截断单元分组为选自多个不同桶(bucket)的单桶。然后所需设计数据结构采用多个不同桶来强化，从而最终校正光刻。
在这方面，所需设计数据结构可以包含多个结构级以使本方法可在多个结构级的任何一级发生。多个有限几何形状可为多边形，包括正多边形、不规则多边形、凸多边形、凹多边形、正凸多边形、正凹多边形、不规则凸多边形、不规则凹多边形及其组合。被分割布局的多个单元最好为多个能够覆盖单元阵列布局的整个区域的有限几何形状。
该第一方面的方法还可以包括计算多个密度的密度图，对多个单元中的每一个有一个密度，其中多个密度对应于多个单元的每一个的交互作用。这些密度随后被采用逆幂定律核(inverse power lawkernel)而卷积(convolved)，并利用多个卷积密度产生交互作用图。形状与单元之间的交互作用可以是密度效应，包括有限几何形状的几何学、形状的覆盖量、区域覆盖、计算的空间象覆盖、计算的抗蚀剂图象覆盖、周长覆盖及其组合。
可为每个截断单元指定参考数字，其中相同的参考数字表示基本上相同的截断单元。将基本上相同出现的选择的截断单元分组的步骤将这些单元转换为单构件块。如此做时，本方法可产生多个不同的单构件块，这些单构件块被用于产生这些不同构件块的结构排列。然后该结构排列被用于强化所需设计数据结构，或者通过保持所需设计数据结构，或者替换地，在所需设计数据结构至少部分破坏时构建新的设计数据结构。
在第二方面，本发明涉及一种通过提供表示其上具有多个多边形的所需设计数据结构的单元阵列布局而执行基于模型的光刻校正方法。单元阵列布局被分割为多个单元，并且随后提供对应于多边形与多个单元之间的交互作用的密度图。基于该密度图产生交互作用图，交互作用图随后被截断以产生截断单元图。随后基本上相同分组的截断单元被分别分割为多个桶中的不同桶，其中多个桶的每一个包含相同分组的截断单元的单个集合。随后利用这些桶产生结构排列，并且通过使用该结构排列强化所需的设计数据结构。本方法最终是校正光刻。
在此第二方面中，应该注意截断单元的基本上相同分组将该分组转换为单构件块，其中多个这种单构件块被最终用于产生结构排列。这些构件块可沿截断单元图在多个位置产生，作为精确副本、旋转版、镜像版、旋转镜像版和其组合的任何一种。同样在该第二方面中，所需设计数据结构可通过保持所需设计数据结构、或替换地在所需设计数据结构至少部分破坏时构建新的设计数据结构而强化。所需设计数据结构和新的设计数据结构可互相相同，或彼此不同。
在本发明的第三和第四方面，本发明涉及一种机器可读的程序存储设备，该设备有形地实施由机器执行的指令程序，从而分别与本发明的第一方面和第二方面相关地执行用于执行基于模型的光刻校正的上述方法步骤。
本发明被认为是新颖的特征和本发明的基本特征在所附权利要求中具体说明。附图仅出于示例目的并且未按比例绘制。但是，本发明本身作为组织和操作方法可以参照下文结合附图的详细说明而最好地被理解，其中
图1为本发明实施中所采用的优选步骤的流程框图。
图2A是用于图1的工艺流程中的具有多个有限几何形状的单元阵列布局的示意图。
图2B是图2A的单元布局的密度图的示意图，表示被分割为部分的布局和各部分被确定的形貌所覆盖的量。
图2C是截断步骤的示意图，即舍入图2B的密度图的各方形的覆盖量。
图3A是用于图1的工艺流程中的单元布局的另一示例的示意图，表示具有基于图3C的截断结果的指定参考数字的布局的单元。
图3B是图3A的单元布局的示意图，表示具有卷积密度的单元。
图3C是表示截断图3B的卷积单元密度的结果的示意图。
图4A是用于图1的工艺流程中的另一单元/掩模布局示例，表示具有相同计算和截断密度值“A”的布局的单元。
图4B是图4A的单元布局的示意图，表示对基于密度“A”的单元和它们在N、E、S、W、NE、NW、SW、SE方向的各相邻单元指定参考数字的结果。
图4C是图4B的单元布局的示意图，表示装桶和重构筑(renesting)的结果，其中所选的表示基本上相同的单元或单元组的桶沿本发明的截断图可重复很多次，从而随后这些桶被用于重建结构。
具体实施例方式
在描述本发明的优选实施方式时，将参照附图的图1-4C，其中同样数字指本发明的同样特征。
前述发明最终用于光刻法中以校正具有所需电路图案的光掩模上的变形，用以精确投射图案至涂有光致抗蚀剂的晶片上。如此做时，本发明提供与研究区(ROI)尺寸无关地强化长程计算的所需设计数据结构的基于模型的光刻模拟。
按照本发明，通过或者保持原始的所需设计数据结构，或者当原始所需设计数据结构已经例如被处理条件部分或全部破坏时通过重构设计数据结构，从而强化所需设计数据结构。但是，本发明对由于例如设计结构的变平而部分或完全破坏原始所需设计数据结构，设计数据结构必须被重构的情况尤其有用。因此，本发明有利地避免所需设计数据结构的破坏和/或变平，使得长程效应可在基于模型的光刻模拟中被补偿，该光刻模拟包括但不限于空间象计算、光临近校正、印刷图象预测、模型调整等。
在本发明的优选实施方式中，由于它涉及闪光计算，前述通过保持或重构设计结构而强化所需设计数据结构的方法，至少包括闪光图的分级、候选单元的选择、为所选择单元重新计算闪光图和随后将相同情形的这些所选择单元装桶的步骤。但是，应该理解本发明可被用以任何对设计数据结构的保护有利、具有平滑变化和大ROI效应的处理。
现在参照附图，图1A表示本发明的优选工艺流程，其中首先在步骤100利用任何已知方法和设备预确定初始所需设计数据结构。该预确定所需设计数据结构包括几级(或层)结构，并且各级具有预定电路图案。为示例目的，并为容易理解本发明，该图指的是所选择设计结构的结构级至少一的一部分的示例，最好是称为初始单元层的结构设计最上级。但是，应该理解本发明可被用于设计结构内的任一级。
参照图2A，表示用于本发明的一部分初始单元级的单元阵列布局30，其中单元阵列布局30上具有多个有限几何形状31。在步骤100预确定初始所需设计数据结构之后，单元阵列布局30在步骤150被划分或分割为多个一致的图案，例如是一致的正方形34。但是，应该理解本发明适合用于任何有限几何形状。例如，单元阵列布局30可被分割为能够跨越和覆盖整个布局的任何类型的多边形图案，包括但不限于规则或不规则、凸或凹、或其组合。此外，在本基于模型的模拟中，单元阵列布局30可为预确定所需设计数据结构的qausi-image(或形状的灰度图像)，其为非常接近的复制品。也就是说，单元阵列布局30最好不是所需设计结构的精确图像。
一旦布局30被分为多个一致的正方形34，在步骤200计算如图2B所示的布局的密度图40。这通过先将布局30分为多个单独正方形34，然后通过确定被有限几何形状31覆盖的各正方形34的部分而被完成。一旦已经计算各一致的正方形34的覆盖量，然后各正方形34被根据有限几何形状31覆盖正方形的多少指定一个数字。例如，如图2B所示，表示各正方形的覆盖百分比，其中该百分比表示各正方形的密度数45。
按照本发明，总密度图可表示大量不同的密度效应，包括但不限于有限几何形状的几何、该几何的覆盖(例如被有限几何形状覆盖的本基于模型的初级单元级与未被该形状覆盖的部分的百分比，如图2B所示)、单元阵列布局30部分的覆盖量、区域覆盖、计算的空间、抗蚀剂或任何其它形式的晶片图像的覆盖、周长覆盖或任何其它拓扑覆盖、和甚至它们的组合。
在初始单元级的总密度图40被完成后，即一旦多个正方形34的所有密度数45已经被计算，本发明继续进行，使用表示形状的qausi-image的该密度图40以强化结构，而不是使用精确几何。如此做时，密度图40使得能够通过使用逆幂定律核的卷积而强化设计数据中的结构。也就是说，在步骤250使用逆幂定律核卷积在多个正方形34中的每一个处操作的各密度45，以获得多个沿密度图的卷积操作密度。
本发明的一个关键特征是大量正方形34的这些卷积操作密度随后用在本发明的步骤300中，以产生由各正方形34的所有存储的卷积操作密度的浮点数表示的平滑函数表的交互作用图。使用该交互作用图或表，然后在步骤350中截断即舍入各卷积操作密度，从而在步骤400中产生被截断图50，如图2C所示。该截断卷积操作密度的步骤也被称为分级。
本发明中，通过使用截断密度55替换卷积密度而产生截断图50，其中这些截断密度55包含由能被5除尽的最接近数字替代的卷积密度。例如，参照图2B和2C，具有卷积密度22％的正方形已经被参考数字55’所示的20％替换，具有卷积密度0.005％的正方形已经被参考数字为55”所示的0％替换，等等。如此做时，第一被卷积操作密度可被截断，从而使它由被认为是第二被卷积操作密度的等价物的稍微粗略的数表示，从而避免在第一和第二被卷积操作密度之间进行任何细致的区别的需要，这反过来节省处理运行时间和存储器的需要。
然后，截断密度55各自被指定一个标识，如参考数字，其中相同标识指示相同或基本上相同的正方形34。在某些情况下，作为本发明的截断步骤400的结果，正方形34可为基本上相同的正方形(或等价物)。如本发明的另一实施例所示，图3A-3C表示正方形掩模形状，其中如图3A所示，该掩模形状的中心四个正方形具有相似的密度值1，而围绕该中心四个正方形的正方形均相似地具有密度值0。按照本发明，通过先卷积图3B所示的正方形的密度，然后通过截断图3C所示的卷积密度并指定如图3A所示的标识，从而获得图3A的结果。
在本发明的优选实施方式中，其中长程效应包括闪光效应，截断卷积单元或正方形密度的步骤被称为闪光图的分级。分级指一组高精度计算数字至一组低精度数字的多对一变换。在闪光图分级中，所使用的掩模或有限几何形状(多边形)通常在初始设计阶段设计成预确定精度，其中卷积单元密度通常描述那些表示在模拟的结构级的网格显示器上的设计形状的几何。但是，该网格显示器经常受分辨率能力的限制，并因此影响预确定设计的最小实际值。同样，由于本发明的一个目的是通过重构筑或重构闪光图而改进设计的结构，因此将初始设计保持在比设计步骤所定义的精度更高的精度是没有意义的。
因此，本发明通过截断初始预定设计整数，使得闪光计算能够限定由于闪光效应而使原始几何截断的量，从而有利地克服这种问题。如此做时，优选计算闪光的范围，以使几何上的闪光效应仅在部分设计步骤不同。由于与附近对象的效应相比闪光为第二级的效应，因此估计闪光图表示中的相对小的范围(约十二)对闪光计算是足够的。在这种方式中，作为浮点数表而产生的初始闪光图已经按照本发明而重新加工，即截断，从而仅包括有限数目的不同值。
本发明的工艺流程在步骤500继续，对在步骤400计算的截断密度图值进行装桶和重构筑。装桶的步骤对重构筑结构是必需的，将具有相同密度的正方形或单元的组与相同的相邻正方形或单元分装成单个类别或“桶”。这些“桶”随后被用于重构筑，即重构设计数据结构，以使结构强化。在重构结构的过程中，这些“桶”可与相邻桶进一步重组。
参照图4A-4C，掩模布局70被表示在图4A中，掩模布局70的密度值已经计算并按照如上所述的本发明的步骤截断。在该具体例子中，所有的16个正方形具有相同的截断密度值“A”72。如图所示，布局70中心的四个正方形“A”都被在左(西“W”)、底(南“S”)、右(东“E”)、上(北“N”)和所有对角线(NE、NW、SE和SW)上具有相同密度“A”的正方形围绕。
在本发明的装桶和重构筑步骤500中，在布局70的中心的所有四个正方形“A”被认为是互相等价的，如图4B的标记“A5”所示。按照相同的方式，被标记为“A4”的正方形表示掩模布局70内具有密度“A”并且其相邻E、N、NE和SE单元均具有相同密度“A”的那些正方形。同样，被标记为“A3”的正方形表示掩模布局70内具有密度“A”并且其相邻W、S和SW单元均具有相同密度“A”的那些正方形。该装桶和重构筑步骤500在布局70中继续这样进行。
在本发明的装桶和重构筑步骤500的优选实施方式中，首先确定是否存在用于重构筑的任何单元(正方形)或单元组。如果确定不存在单元或单元组，那么工艺流程继续至步骤600以重构筑，即重构设计结构。但是，如果确实存在单元或单元组，那么按照本发明，确定各单元的密度值并定位所有相邻单元，即N、E、S、W、NE、NW、SE和SW。本发明也可以经由扩展而考虑和定位任何预定的相邻单元或单元组。在步骤503，具有相同值并且具有对应的相同截断值的邻居的那些单元被分组在单个共同的桶中。
本发明可以产生多个不同的桶，各桶具有共同的单元或其分组的集合，其中这些桶的每一个被指定为具有一个值的单个的较大单元，从而该单个较大单元可沿截断图在许多情形或位置处发生。例如，如图4B和4C中的短划线所示，图4B中具有密度“A”的正方形组的桶80在沿如图4C所示的截断图的许多不同位置处发生。应该理解如图4B和4C所示的九个正方形仅是示例目的，按照本发明可以利用任何数目的单元产生多个相似的相邻阵列中的任何一个。
因此，考虑到前述对装桶和重构筑步骤500的描述，任何具有相同或基本上相似的交互作用图的单元出现都被收集至桶中。如此做时，被认为基本上彼此相似的截断图的各部分在重组步骤后变得等价，其中这种图之间的距离在任何点处都不超过一级。优选本发明的所有构件块，以使它们包含多个不同的有限几何形状。优选地，这些构件决基本上包括所有可检测的形状，而其它构件块包含选出的一些可检测形状。其中，只有选择的一些可检测形状被包括在构件块内，优选地，选择结构级内具有高出现数目的至少二十四个几何形状。
本发明的基本特征在于本发明的基本构件块将较小的正方形，例如具有值“A”(卷积和截断步骤之后)的那些正方形，转换为较大的正方形组或单位。如此做时，这些较小正方形的组崩溃，以形成本发明的新的、更大的单个基本构件块，例如图4B和4C的构件块80。
随后，本发明产生这些基本构件块的结构排列以最终重构结构，或在步骤600产生重构筑图，使得长程计算的设计数据结构被强化，尤其是在原始设计数据结构由于处理条件而已经丢失或破坏的那些情况下。通过确定或计算图内所选择的单元或单元组的出现，产生基本构件块的结构排列，其中这些构件块可以沿图重复多次(例如，几百、几千和甚至几百万次)。这些构件块的重复可包括这些构件块的精确副本、旋转版、镜像版以及旋转镜像版。然后，图内的基本构件块的所有出现的位置和数目被计算、编入索引和存储，以通过单元例子之间的逐点对比而构建构件块的结构排列。
对各桶而言，产生新的设计数据结构，并且桶内的对应交互作用图被附属至该新设计数据结构。随后，这些具有其对应的新设计数据结构的桶被用于强化设计数据结构，优选地，当原始设计数据结构由于处理条件而丢失或破坏时，重构原始的所需设计数据结构。如此做时，原始设计数据结构的转换由新设计数据结构的转换替代。新设计数据结构可与原始所需设计数据结构相同或不同。
因此，本发明利用结构处理的概念强化设计数据结构，优选地，当原始设计数据结构由于处理条件而丢失或破坏时，重构原始的所需设计数据结构，但不限于那些包含产生破坏性闪光效应的密度图计算。本发明的优点之一是它避免对交互作用图内具有值“A”的每一个正方形进行长程成像计算的需要，因为这些具有值“A”的正方形被卷积、截断、结构排列并随后利用其相同的出现而装桶，使得新的结构被构建(重构筑)，从而强化设计数据结构。如此做时，节省大量的计算和处理时间，并且实现处理存储器需要的显著减少。
该重构结构图随后可用于任何长程计算。或者，本发明的重构结构图可以用于不依赖形状的精确几何，例如图像密度图、周长图等的多种其它计算。在优选实施方式中，在原始设计数据结构如上所述已经被再处理之后，闪光计算可被嵌入标准模拟程序中。
本方法可通过存储在机器可读的程序存储设备上的计算机程序产品而实施，并通过该机器有形地实施可执行指令的程序，从而执行各方法步骤。本发明的程序存储设备可作为采用光学、磁性和/或电子的机器的一个部件而设计、制作和使用，从而执行本发明的方法步骤。程序存储设备包括但不限于磁盘、磁带、光盘、只读存储器(ROM)、软盘、半导体芯片等。包含已知源代码的计算机可读程序代码装置可以用来将上述方法转换以用于计算机上。
尽管已经结合具体的优选实施方式特定地描述了本发明，但显然根据前面的描述，本领域的技术人员将明了许多改变、修改和变化。因此，希望权利要求书包含本发明的真正范围和精神内的任何改变、修改和变化。
权利要求
1.一种执行基于模型的光刻校正的方法，该方法包括提供具有多个有限几何形状的所需设计数据结构的单元阵列布局；将所述单元阵列布局分割为多个单元；基于对应于所述多个有限几何形状与所述多个单元之间的交互作用的密度图而产生交互作用图；截断所述交互作用图以产生截断单元图；将基本上相同出现的选择的一些所述截断单元分组为选自多个不同桶的单桶；以及利用所述多个不同桶强化所述所需设计数据结构以校正光刻。
2.如权利要求1的方法，其中所述所需设计数据结构包括多级结构，使得所述方法可在所述多级结构的任一级发生。
3.如权利要求1的方法，其中所述单元阵列布局包括所述确定的所需设计数据结构的cause-image，以强化所述所需设计数据结构。
4.如权利要求1的方法，其中所述多个有限几何形状包括多个多边形。
5.如权利要求4的方法，其中所述多个多边形从由规则多边形、不规则多边形、凸多边形、凹多边形、规则凸多边形、规则凹多边形、不规则凸多边形、不规则凹多边形及其组合构成的多边形组中选择。
6.如权利要求1的方法，其中所述分割的单元阵列布局中的所述多个单元包括多个能够覆盖所述单元阵列布局的整个区域的有限形状。
7.如权利要求1的方法，其中产生所述交互作用图的所述步骤还包括计算包括多个密度的所述密度图，对于所述多个单元中的每一个有一个密度，其中所述多个密度对应于所述多个单元中的每一个的所述交互作用；通过采用逆幂定律核卷积所述多个密度而提供多个卷积密度；利用所述多个卷积密度产生所述交互作用图。
8.如权利要求1的方法，其中所述多个有限几何形状与所述多个单元之间的所述交互作用从由有限几何形状的几何、所述有限几何形状的覆盖量、区域覆盖、计算的空间象覆盖、计算的抗蚀剂图象覆盖、周长覆盖及其组合构成的密度效应组中选择。
9.如权利要求1的方法，其中截断所述交互作用图以产生所述截断单元图的所述步骤还包括对每一个所述截断单元指定从标号组中选择的标号，其中相同标号表示基本上相同的截断单元。
10.如权利要求1的方法，其中将所述基本上相同出现的选择的一些所述截断单元分组为所述桶的所述步骤还包括对于位于所述截断单元图内的每一个所述截断单元，确定密度值和所有相邻单元；通过定位具有基本上相同的所述密度值的选择的一些所述截断单元和所述相邻单元，确定所述图内至少一组基本上相同的截断单元；以及将所述至少一组基本上相同的截断单元分组为所述桶。
11.如权利要求10的方法，该方法还包括确定多个不同组的基本上相同的截断单元，以及将所述多个不同组中的每一个分组为选自所述多个不同桶的各不同桶，其中所述各不同桶各自仅包括所述截断单元中的基本上相同的单元。
12.如权利要求1的方法，其中将所述基本上相同出现的所述选择的一些所述截断单元分组的所述步骤将所述选择的一些所述截断单元转换为单构件块以强化所述设计数据结构。
13.如权利要求12的方法，该方法还包括以下步骤提供多个不同单构件块；产生所述多个不同单构件块的结构排列；以及利用所述结构排列强化所述所需设计数据结构。
14.如权利要求1的方法，其中所述所需设计数据结构通过保持所述所需设计数据结构而强化。
15.如权利要求1的方法，其中当所述所需设计数据结构至少部分破坏时，所述所需设计数据结构通过构建新设计数据结构而强化。
16.一种执行基于模型的光刻校正的方法，该方法包括提供表示其上具有多个多边形的所需设计数据结构的单元阵列布局；将所述单元阵列布局分割为多个单元；提供对应于所述多边形与所述多个单元之间的交互作用的密度图；基于所述密度图产生交互作用图；截断所述交互作用图以产生截断单元图；将基本上相同分组的所述截断单元分别隔离成多个桶的不同桶，从而所述多个桶中的每一个包括所述截断单元的所述相同分组的单个集合；利用所述多个桶产生结构排列；和利用所述结构排列强化所述所需设计数据结构以校正光刻。
17.如权利要求16的方法，其中所述密度图包括多个密度，对于所述多个单元中的每一个有一个密度。
18.如权利要求17的方法，该方法还包括在产生所述交互作用图之前采用逆幂定律核卷积所述多个密度的步骤。
19.如权利要求16的方法，其中所述多边形与所述多个单元之间的所述交互作用从由多边形的几何、所述多边形的覆盖量、区域覆盖、计算的空间象覆盖、计算的抗蚀剂图象覆盖、周长覆盖及其组合构成的密度效应组中选择。
20.如权利要求16的方法，其中截断所述交互作用图以产生所述截断单元图的所述步骤还包括对每一个所述截断单元指定从标号组中选择的标号，其中相同标号表示基本上相同的截断单元。
21.如权利要求16的方法，其中将所述基本上相同出现的选择的一些所述截断单元分组为所述桶的所述步骤还包括对于位于所述截断单元图内的每一个所述截断单元，确定密度值和所有相邻单元；通过定位具有基本上相同的所述密度值的选择的一些所述截断单元和所述相邻单元，确定所述图内至少一组基本上相同的截断单元；以及将所述至少一组基本上相同的截断单元分组为所述单桶。
22.如权利要求16的方法，其中隔离所述基本上相同分组的所述截断单元的所述步骤将所述分组的所述截断单元转换成单构件块以强化所述设计数据结构。
23.如权利要求22的方法，其中所述结构排列包括多个所述单构件块。
24.如权利要求23的方法，其中所述多个所述单构件块沿从由精确副本、旋转版、镜像版、旋转镜像版和其组合构成的构件块出现的组中选择的所述截断单元图在多个位置处出现。
25.如权利要求16的方法，其中所述所需设计数据结构通过保持所述所需设计数据结构而强化。
26.如权利要求16的方法，其中当所述所需设计数据结构至少部分破坏时，所述所需设计数据结构通过重新构建新的设计数据结构而强化。
27.如权利要求26的方法，其中所述所需设计数据结构和所述新设计数据结构彼此相同。
28.如权利要求26的方法，其中所述所需设计数据结构和所述新设计数据结构彼此不同。
29.一种机器可读的程序存储设备，该设备有形地实施由机器执行的指令程序，从而执行用于执行基于模型的光邻近校正的方法步骤，所述方法步骤包括提供具有多个有限几何形状的所需设计数据结构的单元阵列布局；将所述单元阵列布局分割为多个单元；基于对应于所述多个有限几何形状与所述多个单元之间的交互作用的密度图而产生交互作用图；截断所述交互作用图以产生截断单元图；将基本上相同出现的选择的一些所述截断单元分组为选自多个不同桶的单桶；和利用所述多个不同桶强化所述所需设计数据结构以校正光刻。
30.一种机器可读的程序存储设备，该设备有形地实施由机器执行的指令程序，从而执行用于执行基于模型的光邻近校正的方法步骤，所述方法步骤包括提供表示其上具有多个多边形的所需设计数据结构的单元阵列布局；将所述单元阵列布局分割为多个单元；提供对应于所述多边形与所述多个单元之间的交互作用的密度图；基于所述密度图产生交互作用图；截断所述交互作用图以产生截断单元图；将基本上相同分组的所述截断单元分别隔离成多个桶的不同桶，从而所述多个桶中的每一个包括所述相同分组的所述截断单元的单个集合；利用所述多个桶产生结构排列；以及利用所述结构排列强化所述所需设计数据结构以校正光刻。
全文摘要
用于执行基于模型的光刻校正的方法和程序存储设备，所述方法将具有多个多边形的单元阵列布局分割为多个覆盖该布局的单元。该布局表示所需设计的数据结构。然后产生对应于多边形与多个单元之间的交互作用的密度图，随后各单元内的密度被卷积。利用该卷积密度形成交互作用图，然后截断该交互作用图以形成截断单元图。然后基本上相同分组的截断单元被分别隔离成多个桶中的不同桶，其中这些多个桶的各桶包含相同分组的截断单元的单个集合。利用这些桶产生结构排列，并利用该结构排列强化所需设计的数据结构以最终校正光刻。
文档编号G06F17/50GK1612046SQ200410086089
公开日2005年5月4日 申请日期2004年10月21日 优先权日2003年10月27日
发明者格莱格·M·加拉丁, 埃马纽埃尔·高夫曼, 黎家辉, 马克·A·莱文, 马哈拉伊·穆克海吉, 多夫·拉姆, 阿兰·E·罗森布鲁斯, 施罗姆·施拉夫曼 申请人:国际商业机器公司