专利名称：一种具有内存列备用修复功能的内存列架构的制作方法
技术领域：
本发明涉及的是一种具有内存列备用修复(memory row redundancy repair ) 功能的内存列架构，特别是指一种在每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内 存区段的具有内存列备用修复功能的内存列架构。
背景技术：
一力殳而言，目前在现有4支术的内存芯片的内存列架构(memory row scheme ) 中，除了包含有复数个传统的标准内存区段(normal memory section )的夕卜，也包 含有所谓的备用内存区段(redundancy memory section ),其中，备用内存区段是 具有与标准内存区段类似的结构，并且用来取代在所述的复数个标准内存区段中 被认定为失效的内存单元。请参考图1,图1所绘示的为现有技术中的一种具有内存列备用修复功能的 内存列架构100的简化方块示意图。如图1所示，内存列架构100包含有 一第 一标准内存区段lll、 一第二标准内存区段112、 一第三标准内存区段113、 一第 四标准内存区段114、 一第五标准内存区段115、 一第六标准内存区l殳116、 一第 七标准内存区段117、 一第八标准内存区段118、 一第一备用内存区l殳121、以及 一第二备用内存区段122，其中，第一备用内存区段121是耦接在第一标准内存 区段lll，第二备用内存区段122是耦接在第八标准内存区段118,此外，第一备 用内存区段121与第一标准内存区段111、第二标准内存区段112、第三标准内存 区段113、以及第四标准内存区段114是彼此耦接，以构成一第一内存列备用修 复模块，而所述的第 一 内存列备用修复模块是用在当上述包含在所述的第 一 内存 列备用修复模块内的任一标准内存区段失效时，可以利用第一备用内存区段121 来修复失效的标准内存区段；类似地，第二备用内存区段122与第八标准内存区 段118、第五标准内存区段115、 一第六标准内存区段116、以及第七标准内存区 段117是彼此耦接，以构成一第二内存列备用修复模块，而所述的第二内存列备 用修复模块是用在当上述包含在所述的第二内存列备用修复模块内的任一标准内存区段失效时，可以利用第二备用内存区段122来修复失效的标准内存区段。然而，由于第一标准内存区段111以及第八标准内存区段118中的小讯号会 因为分别增加第一备用内存区段121以及第二备用内存区段122而造成讯号变小， 所以使得第一标准内存区段111以及第八标准内存区段118中的小讯号会跟其余 的第二标准内存区段112、第三标准内存区段113、第四标准内存区l殳114、第五 标准内存区段115、第六标准内存区段116、以及第七标准内存区段117中的小讯 号不一致，而这样的结果很有可能会导致整体内存列架构100的电性表现 (electrical performance )与步文能(efficiency)变差。发明内容有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种在每一标准内存区段的一侧均设 置有一备用内存区段的具有内存列备用修复(memory row redundancy repair)功 能的内存列架构，以解决上述的问题。依据本发明的申请专利范围，其是公开一种具有内存列备用修复功能的内存 列架构，所述的内存列架构包含有复数个标准内存区段；以及复数个备用内存 区段；其中，所述的复数个标准内存区段的个数是大于2,并且所述的复数个备 用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存 区段的一侧均设置有一备用内存区段。依据本发明的申请专利范围，其是公开一种具有内存列备用修复功能的内存 列架构，所述的内存列架构包含有复数个第一标准内存区段；复数个第二标准 内存区段；复数个第一备用内存区段，耦接在所述的复数个第一标准内存区段； 以及复数个第二备用内存区段，耦接在所述的复数个第二标准内存区段，其中， 所述的复数个第 一标准内存区段是彼此耦接，并且所述的复数个第二标准内存区 段是彼此耦接，而且两相邻第二标准内存区段之间是间隔一第 一标准内存区段， 以及两相邻第二备用内存区段之间是间隔一第一备用内存区段。本发明的优点在于，整体内存列架构的电性表现与效能比较高。
图1为现有的一种具有内存列备用修复功能的内存列架构的简化方块示意图；图2为依据本发明的 一 实施例的 一种具有内存列备用修复功能的内存列架构 的简化方块示意图。附图标记说明100-内存列架构；111 -第一标准内存区段；112-第二标准 内存区段；113 -第三标准内存区段；114-第四标准内存区段；115-第五标准 内存区段；116-第六标准内存区段；117-第七标准内存区段；118-第八标准 内存区段；121-第一备用内存区段；122-第二备用内存区段；200-内存列架构； 211 -第一标准内存区段；212-第二标准内存区段；213 -第三标准内存区段；214 -第四标准内存区段；215 -第五标准内存区段；216 -第六标准内存区段；217 -第七标准内存区段；218-第八标准内存区段；211 -第一备用内存区段；222 -第二备用内存区段；223 -第三备用内存区段；224-第四备用内存区段；225 -第五备用内存区段；226-第六备用内存区段；227 -第七备用内存区段；228 -第八备用内存区段。
具体实施方式
在本说明书以及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的组 件，而所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来 称呼同 一个组件，本说明书与后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分 组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则，在通篇说明书与后 续的请求项当中所提与的「包含有」为一开放式的用语，故应解释成「包含有但 不限定在」，此外，「耦接J 一词在此是包含任何直接与间接的电气连接手段， 因此，若文中描述一第一装置耦接在一第二装置，则代表所述的第一装置可以直 接电气连接在所述的第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至所 述的第二装置。本发明是^^开一种具有内存列备用》务复(memory row redundancy repair)功 能的内存列架构，所述的内存列架构包含有复数个标准内存区段(normal memory section); 以及复数个备用内存区段(redundancy memory section ); 其中，所述 的复数个标准内存区段的个数是大于2，并且所述的复数个备用内存区段的个数 是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置 有一备用内存区段，此外，所述的复数个标准内存区段以及所述的复数个备用内 存区段的数量为偶数个，并且每一标准内存区段与位于其一侧的一备用内存区段是彼此耦接，其中，分别具有奇数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的 复数个备用内存区段是构成一第一内存列备用修复模块，而分别具有偶数的序号 的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第二内存列 备用修复模块。另外，在此请注意本发明所公开的具有内存列备用修复功能的内 存列架构可以应用在目前所有种类的内存芯片中。请参考图2,图2所绘示的为依据本发明的一实施例的一种具有内存列备用 修复功能的内存列架构200的简化方块示意图。如图2所示，内存列架构200包 含有 一第一标准内存区段211、 一第二标准内存区段212、 一第三标准内存区段 213、 一第四标准内存区段214、 一第五标准内存区段215、 一第六标准内存区段 216、 一第七标准内存区段217、 一第八标准内存区段218、 一第一备用内存区段 221、 一第二备用内存区段222、 一第三备用内存区段223、 一第四备用内存区段 224、 一第五备用内存区段225、 一第六备用内存区段226、 一第七备用内存区段 227、以及一第八备用内存区段228，其中，第一备用内存区段221是耦接在第一 标准内存区段211,第二备用内存区段222是耦接在第二标准内存区段212，第三 备用内存区段223是耦接在第三标准内存区段213，第四备用内存区段224是耦 接在第四标准内存区段214，第五备用内存区段225是耦接在第五标准内存区段 215,第六备用内存区段226是耦接在第六标准内存区段216,第七备用内存区段 227是耦接在第七标准内存区段217,以及第八备用内存区革殳228是耦接在第八标 准内存区段218,此外，第一备用内存区段221与第一标准内存区段211、第三备 用内存区段223与第三标准内存区段213、第五备用内存区段225与第五标准内 存区段215、以及第七备用内存区段227与第七标准内存区段217是彼此耦接， 以构成一第 一 内存列备用修复模块，而所述的第 一 内存列备用修复模块是用在当 上述包含在所述的第一内存列备用修复模块内的任一标准内存区段中的内存单元 被认定为失效时，可以利用耦接在其它处在正常操作状态的标准内存区段的备用 内存区段来修复被认定为失效的内存单元；同样地，第二备用内存区段222与第 二标准内存区段212、第四备用内存区段224与第四标准内存区段214、第六备用 内存区段226与第六标准内存区段216、以及第八备用内存区段228与第八标准 内存区段218也是彼此耦接，以构成一第二内存列备用修复模块，而所述的第二 内存列备用修复模块是用在当上述包含在所述的第二内存列备用修复模块内的任 一标准内存区段中的内存单元被认定为失效时，可以利用耦接在其它处在正常操作状态的标准内存区段的备用内存区段来修复被认定为失效的内存单元。在此请 注意，以上所述的实施例仅为举例说明，而并非本发明的限制条件。无论如何，在本发明所公开的技术内容中最重要的精神在于提供一种可以将 一内存列(memory row )中的复数个备用内存区段平均地分散耦接在复数个标准 内存区段中的每一个标准内存区段的内存列架构，所以熟习本项相关技艺者在阅 读上述说明内容的后应所述的可以轻易地了解不管使用何种方式或顺序，只要能 将所述的复数个备用内存区段平均地分散耦接在所述的复数个标准内存区段中的 每一个标准内存区段，就应属于本发明所公开的申请专利范围。综上所述，在本发明所公开的具有内存列备用修复功能的内存列架构中，由 于每一个标准内存区段的一侧均设置有一备用内存区段，而不像现有的的具有内 存列备用修复功能的内存列架构是将所有的备用内存区段集中设置在最外侧的两 个标准内存区段，所以本发明的具有内存列备用修复功能的内存列架构可以使得 每一个标准内存区段的小讯号保持一致，因此就能轻易地解决现有的具有内存列 备用修复功能的内存列架构所造成的问题，以进而避免影响整体内存列架构的电 性表王见(electrical performance )与岁文能(efficiency)。以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限 制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其 进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种具有内存列备用修复功能的内存列架构，其特征在于所述的内存列架构包含有至少三个标准内存区段；以及复数个备用内存区段；所述的复数个备用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内存区段。
2. 根据权利要求1所述的内存列架构，其特征在于所述的标准内存区段以 及所述的备用内存区段的数量为偶数个。
3. 根据权利要求1所述的内存列架构，其特征在于每一标准内存区段与位 于其一侧的一备用内存区段是相耦接的。
4. 根据权利要求1所述的内存列架构，其特征在于所述的每一标准内存区 段均具有一序号，所述每一备用内存区段均具有一序号，以及具有相同序号的一 标准内存区段与位于其一侧的一备用内存区段是相耦接。
5. —种具有内存列备用修复功能的内存列架构，其特征在于所述的内存列 架构包含有复数个第一标准内存区段； 复数个第二标准内存区段；复数个第一备用内存区段，耦接在所述的复数个第一标准内存区段；以及 复数个第二备用内存区段，耦接在所述的复数个第二标准内存区段，其中所 述的第 一标准内存区段之间是相耦接，所述的第二标准内存区段之间是相耦接， 两相邻所述第二标准内存区段之间是间隔 一 所述第 一 标准内存区段，以及两相邻 所述第二备用内存区段之间是间隔一所述第一备用内存区段。
6. 根据权利要求5所述的内存列架构，其特征在于所述的第一标准内存区 段与所述的第二标准内存区段的总数，所述的第一备用内存区段与所述的第二备 用内存区段的总数均为偶数个。
全文摘要
本发明为一种具有内存列备用修复功能的内存列架构，所述的内存列架构包含有复数个标准内存区段以及复数个备用内存区段，其中，所述的复数个标准内存区段的个数是大于2，并且所述的复数个备用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内存区段，此外，分别具有奇数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第一内存列备用修复模块，而分别具有偶数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第二内存列备用修复模块。
文档编号G06F11/00GK101329653SQ20071010618
公开日2008年12月24日 申请日期2007年6月22日 优先权日2007年6月22日
发明者王释兴, 袁德铭 申请人:钰创科技股份有限公司