专利名称：Pci-e插槽供电电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种PCI-E插槽供电电路。
背景技术：
主板上的 PCI-E (Peripheral Component Interconnect Express)插槽需要 3. 3V Dual电源供电，此电源在S5 (Soft shutdown)状态下是有电的，所以，当PCI-E插槽上装有 PCI-E设备时会造成系统在S5状态下额外耗电，有时会超过Eup认证的节能要求(Eup认证要求系统在S5状态下耗电不能超过1W)。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种能在主板处于S5状态下不为PCI-E插槽供电的供电电路。一种PCI-E插槽供电电路，包括一控制芯片、一第一电子开关及一第二电子开关， 所述控制芯片用于判断一主板的工作状态并据此输出一控制信号，所述第一电子开关的第一端用于与所述控制芯片相连，以接收所述控制信号，所述第一电子开关的第一端还通过一第一电阻接收来自主板的3. 3V双重电源，所述第一电子开关的第二端接地，第三端与所述第二电子开关的第一端相连，还通过一第二电阻接收所述3. 3V双重电源，所述第二电子开关的第二端接收所述3. 3V双重电源，第三端与一 PCI-E插槽相连。上述PCI-E插槽供电电路通过控制芯片及两电子开关可使得在主板处于S5状态时停止对PCI-E插槽供电。
图1是本发明PCI-E插槽供电电路的较佳实施方式的电路图。主要元件符号说明第一场效应管Ql第二场效应管Q2电阻R1、R2PCI-E 插槽5Super 1/0 芯片具体实施例方式下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述请参考图1，本发明PCI-E插槽供电电路的较佳实施方式包括一控制芯片、第一场效应管Ql和一第二场效应管Q2。所述第一场效应管Ql的栅极用于与所述控制芯片相连，以接收来自控制芯片的控制信号PCIE_PWR_CTL，其栅极还通过一电阻Rl与3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL相连，所述第一场效应管Ql的源极接地，漏极与所述第二场效应管Q2的栅极相连，还通过电阻R2与所述3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL相连，所述第二场效应管Q2的漏极与一 PCI-E插槽5相连， 源极与所述3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL相连。本实施方式中，所述控制芯片为主板上的Super I/O芯片6，其通过判断主板的工作状态并据此输出所述控制信号PCIE_PWR_CTL。当主板处于S5状态时，所述Super I/O芯片6输出低电平的控制信号PCIE_PWR_ CTL,从而使所述第一场效应管Ql断开，进一步使得所述第二场效应管Q2断开，即使得 PCI-E插槽5不再接收所述3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL。此时，与所述PCI-E插槽5相连的 PCI-E设备不再工作。当主板处于S0-S4状态时，所述Super I/O芯片6输出高电平的控制信号PCIE_ PWR.CTL,从而使所述第一场效应管Ql导通，进一步使得所述第二场效应管Q2导通，即使得所述3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL为PCI-E插槽5供电。从工作原理可以看出，所述第一场效应管Ql及第二场效应管Q2在电路中起到电子开关的作用，因此，其他实施方式中，所述第一场效应管Ql及第二场效应管Q2亦可采用其他类型的场效应管或三极管来代替，甚至其他具有电子开关功能的电子元件均可。比如， 当利用一三极管来代替所述第一场效应管Ql时，所述三极管的基极对应于所述第一场效应管Ql的栅极、三极管的集电极对应于第一场效应管Ql的漏极、三极管的发射极对应于所述第一场效应管Ql的源极。该电子开关包括一第一端、一第二端及一第三端，所述第一端用于接收所述PCI-E控制信号PCIE_PWR_CTL以控制第二端及第三端的导通与断开，第二端接地，第三端通过电阻R2与所述3. 3V双重电源+3. 3V_DUAL相连。
权利要求
1.一种PCI-E插槽供电电路，包括一控制芯片、一第一电子开关及一第二电子开关，所述控制芯片用于判断一主板的工作状态并据此输出一控制信号，所述第一电子开关的第一端用于与所述控制芯片相连，以接收所述控制信号，所述第一电子开关的第一端还通过一第一电阻接收来自主板的3. 3V双重电源，所述第一电子开关的第二端接地，第三端与所述第二电子开关的第一端相连，还通过一第二电阻接收所述3. 3V双重电源，所述第二电子开关的第二端接收所述3. 3V双重电源，第三端与一 PCI-E插槽相连。
2.如权利要求1所述的PCI-E插槽供电电路，其特征在于所述第一电子开关为一场效应管，所述场效应管的栅极对应所述第一电子开关的第一端，所述场效应管的源极对应所述第一电子开关的第二端，所述场效应管的漏极对应所述第一电子开关的第三端。
3.如权利要求1所述的PCI-E插槽供电电路，其特征在于所述第二电子开关为一场效应管，所述场效应管的栅极对应所述第二电子开关的第一端，所述场效应管的源极对应所述第二电子开关的第二端，所述场效应管的漏极对应所述第二电子开关的第三端。
4.如权利要求1所述的PCI-E插槽供电电路，其特征在于所述控制芯片为一Super I/O芯片。
全文摘要
一种PCI-E插槽供电电路，包括一控制芯片、一第一电子开关及一第二电子开关，所述控制芯片用于判断一主板的工作状态并据此输出一控制信号，所述第一电子开关的第一端用于与所述控制芯片相连，以接收所述控制信号，所述第一电子开关的第一端还通过一第一电阻接收来自主板的3.3V双重电源，所述第一电子开关的第二端接地，第三端与所述第二电子开关的第一端相连，还通过一第二电阻接收所述3.3V双重电源，所述第二电子开关的第二端接收所述3.3V双重电源，第三端与一PCI-E插槽相连。上述PCI-E插槽供电电路可在主板处于S5状态时停止对PCI-E插槽供电。
文档编号G06F1/26GK102541230SQ20101060276
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日
发明者林正忠, 江武 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司